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耐用性 文章 最新资讯

电池架构使用100%硅负极来提高能量密度和耐用性

  • 推出了采用 100% 硅负极设计的智能手机电池平台,能量密度超过每升 900 瓦时 (Wh/L)。这款名为 AI-1 的电池专为执行高级设备处理任务(包括人工智能工作负载)的智能手机而开发。这种电池架构已以 7,350 毫安时 (mAh) 配置运送给原始设备制造商 (OEM) 进行评估和鉴定。该设计采用了以硅为主的阳极配置,解决了通常与硅材料相关的体积膨胀和机械应变挑战。通过优化负极结构和支撑材料(如阴极配方、隔膜和电解质),电池支持高放电率,并在很宽的温度范围内保持运行完整性。初步内部测试表明,支持 3
  • 关键字: 电池架构  硅负极  能量密度  耐用性  

耐用性更高的新型沟槽型功率MOSFET

  • 在线性模式供电的电子系统中,功率 MOSFET器件被广泛用作压控电阻器,电磁干扰 (EMI) 和系统总体成本是功率MOSFET的优势所在。 在线性模式工作时,MOSFET必须在恶劣工作条件下工作,承受很高的漏极电流(ID)和漏源电压 (VDS),然后还需处理很高的功率。这些器件必须满足一些技术要求才能提高耐用性,还必须符合热管理限制,才能避免热失控。 意法半导体 (ST) 推出了一款采用先进的 STPOWER STripFET F7制造技术和H2PAK 封装的 100V功率 MOSFE
  • 关键字: 意法半导体  功率  MOSFET  耐用性  

验证射频功率晶体管的耐用性

  • 目前制造的大功率射频晶体管比以往任何时候都更坚实耐用。针对特高耐用性设计的器件可以承受严重的失配,即使在满输出电平时也是如此。现在多家制造商可提供大功率硅横向扩散金属氧化物半导体(LDMOS)晶体管,
  • 关键字: 射频功率晶体管  耐用性  LDMOS  
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耐用性介绍

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