相比基于硅(Si)的MOSFET，基于碳化硅(SiC)的MOSFET器件可实现更高的效率水平，但有时难以轻易决定这项技术是否更好的选择。本文将阐述需要考虑哪些标准因素。超过 1000 V 电压的应用通常使用IGBT解决方案。但现在的SiC 器件性能卓越，能够实现快速开关的单极组件，可替代双极 IGBT。这些SiC器件可以在较高的电压下实施先前仅仅在较低电压 (<600 V) 下才可行的应用。与双极 IGBT 相比，这些基于 SiC 的 MOSFET 可将功率损耗降低多达 80%。英飞凌进一步优化了
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儒卓力 MOSFET
近年来，工业应用对MOSFET 的需求越来越高。从机械解决方案和更苛刻的应用条件都要求半导体制造商开发出新的封装方案和实施技术改进。从最初的通孔封装（插件）到 DPAK 或 D2PAK 等表面贴装器件 (SMD)，再到最新的无引脚封装，以及内部硅技术的显著改进，MOSFET 解决方案正在不断发展，以更好地满足工业市场新的要求。本文介绍了 TOLT 的封装方案、热性能和电路板的可靠性。关键特性，主要优势和应用目标应用市场英飞凌公司的 TOLT（JEDEC：HDSOP-16)，封装OptiMOS™ 5 功率
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Arrow MOSFET
汽车行业发展创新突飞猛进，车载充电器（OBC）与DCDC转换器（HV-LV DCDC）的应用因此也迅猛发展，同应对大多数工程挑战一样，设计人员把目光投向先进技术，以期利用现代超结硅（Super Junction Si）技术以及碳化硅（SiC）技术来提供解决方案。在追求性能的同时，对于车载产品来说，可靠性也是一个重要的话题。在车载OBC/DCDC应用中，高压功率半导体器件用的越来越多。对于汽车级高压半导体功率器件来说，门极氧化层的鲁棒性和宇宙辐射鲁棒性是可靠性非常重要的两点。宇宙辐射很少被提及，但事实是无论
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Infineon OBC SiC
全球知名半导体制造商ROHM（总部位于日本京都市）开发出一款小型且高效的20V耐压Nch MOSFET*1“RA1C030LD”，该产品非常适用于可穿戴设备、无线耳机等可听戴设备、智能手机等轻薄小型设备的开关应用。近年来，随着小型设备向高性能化和多功能化方向发展，设备内部所需的电量也呈增长趋势，电池尺寸的增加，导致元器件的安装空间越来越少。另外，电池的尺寸增加也是有限制的，为了更有效地利用有限的电池电量，就需要减少用电元器件的功率损耗。针对这种需求，开发易于小型化而且特性优异的晶圆级芯片尺寸封装的MOSF
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ROHM MOSFET
据日本共同社日前报道， 日本电子零部件巨头罗姆（ROHM）将于今年12月量产下一代功率半导体，以碳化硅（SiC）为原材料。据悉，罗姆花费约20年推进研发碳化硅半导体。新一代半导体可让可提高机器运转的用电效率， 若装在纯电动汽车上，续航里程可提升一成，电池体积也可更小。据悉，罗姆将在福冈县筑后市工厂今年开设的碳化硅功率半导体专用厂房实施量产，还计划为增产投资最多2200亿日元（约合人民币114亿元），并将2025年度的碳化硅销售额上调至1100亿日元。公开资料显示， 碳化硅具备
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罗姆 功率半导体 碳化硅 新能源车
富昌电子（Future Electronics）一直致力于以专业的技术服务，为客户打造个性化的解决方案，并缩短产品设计周期。在第三代半导体的实际应用领域，富昌电子结合自身的技术积累和项目经验，落笔于SiC相关设计的系列文章。希望以此给到大家一定的设计参考，并期待与您进一步的交流。前两篇文章我们分别探讨了SiC MOSFET的驱动电压，以及SiC器件驱动设计中的寄生导通问题。本文作为系列文章的第三篇，会从SiC MOS寄生电容损耗与传统Si MOS作比较，给出分析和计算过程，供设计工程师在选择功率开关器件时
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富昌电子 MOSFET
高压功率系统设计人员努力满足硅MOSFET和IGBT用户对持续创新的需求。基于硅的解决方案在效率和可靠性方面通常无法兼得，也不能满足如今在尺寸、重量和成本方面极具挑战性的要求。不过，随着高压碳化硅（SiC）MOSFET的推出，设计人员现在有机会在提高性能的同时，应对所有其他挑战。 在过去20年间，额定电压介于650V至1200V的SiC功率器件的采用率越来越高，如今的1700V SiC产品便是在其成功的基础上打造而成。技术的进步推动终端设备取得了极大的发展；如今，随着额定电压为1700V的功率器件的推出，
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SiC MOSFET 功率转换
现阶段半导体市场，900V-1500V的超高压MOSFET几乎被进口品牌垄断，并存在价格高、交付周期长等问题，为填补国内该项系列产品的市场空白，瑞森半导体采用新型的横向变掺杂技术，利用特殊的耐压环和晶胞设计，研发出电压更高、导通内阻更低的超高压系列MOS管，打破了进口品牌垄断的局面 。一、破局进口品牌垄断现阶段半导体市场，900V-1500V的超高压MOSFET几乎被进口品牌垄断，并存在价格高、交付周期长等问题，为填补国内该项系列产品的市场空白，瑞森半导体采用新型的横向变掺杂技术，利用特殊的耐压环和晶胞设
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RS瑞森半导体 MOSFET
目前影响着车辆运输和半导体技术的未来有两大因素。业界正在采用令人振奋的新方法，即以洁净的能源驱动我们的汽车，同时重新设计支撑电动车（EV）子系统的半导体材料，大幅提升功效比，进而增加电动车的行驶里程。政府监管机构持续要求汽车OEM减少其车系的整体二氧化碳排放量，对于违规行为给予严厉的处罚，同时开始沿着道路和停车区域增设电动车充电基础设施。但是，尽管取得了这些进展，主流消费者仍然对电动车的行驶里程存有疑虑，使电动车的推广受到阻力。更复杂的是，大尺寸的电动车电池虽然可以增加其行驶里程，缓解消费者关于行驶里程的
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碳化硅 牵引逆变器 电动车 ADI
本文介绍最新的驱动器+ MOSFET（DrMOS）技术及其在稳压器模块（VRM）应用中的优势。单芯片DrMOS组件使电源系统能够大幅提高功率密度、效率和热性能，进而增强最终应用的整体性能。随着技术的进步，多核架构使微处理器在水平尺度上变得更密集、更快速。因此，这些组件需要的功率急剧增加。微处理器所需的此种电源由稳压器模块（VRM）提供。在该领域，推动稳压器发展的主要有两个参数。首先是稳压器的功率密度（单位体积的功率），为了在有限空间中满足系统的高功率要求，必须大幅提高功率密度。另一个参数是功率转换效率，高
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单芯片 驱动器 MOSFET DrMOS 电源系统设计
近日，安森美公布了2022年第三季度业绩，其三季度业绩直线上扬，总营收21.93亿美元，同比增长25.86%；毛利10.58亿美元，同比增长46.82%。财报数据显示，其三大业务中，智能电源组营收为11.16亿美元，同比增长25.1%；高级解决方案组营收7.34亿美元，同比增长19.7%；智能感知组营收为3.42亿美元，同比增长44.7%，三大业务全线保持增长。自安森美总裁兼首席执行官Hassane El-Khoury加入安森美后，安森美执行了一系列的战略转型，聚焦于智能电源和智能感知两大领域，从传统的I
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安森美 SiC MOSFET
基础半导体器件领域的高产能生产专家Nexperia今天宣布扩展其适用于热插拔和软启动的ASFET产品组合，推出10款全面优化的25V和30V器件。新款器件将业内领先的安全工作区(SOA)性能与超低的RDS(on)相结合，非常适合用于12V热插拔应用，包括数据中心服务器和通信设备。 多年来，Nexperia致力于将成熟的MOSFET专业知识和广泛的应用经验结合起来，增强器件中关键MOSFET的性能，满足特定应用的要求，以打造市场领先的ASFET。自ASFET推出以来，针对电池隔离(BMS)、直流
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Nexperia MOSFET ASFET SOA
2022年11月17日—领先于智能电源和智能感知技术的安森美(onsemi，美国纳斯达克股票代号：ON)，宣布推出新系列MOSFET器件，采用创新的顶部冷却，帮助设计人员解决具挑战的汽车应用，特别是电机控制和DC-DC转换。 新的Top Cool器件采用TCPAK57封装，尺寸仅5mm x 7mm，在顶部有一个16.5 mm2的热焊盘，可以将热量直接散发到散热器上，而不是通过传统的印刷电路板（以下简称“PCB”）散热。采用TCPAK57封装能充分使用PCB的两面，减少PCB发热，从而提高功率密度
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安森美 Top Cool封装 MOSFET
2022年11月16日—领先于智能电源和智能感知技术的安森美(onsemi，美国纳斯达克股票代号：ON)，宣布梅赛德斯-奔驰在其主驱逆变器中采用安森美的碳化硅（以下简称“SiC”）技术，这是两家公司战略合作的一部分。安森美的VE-Trac SiC模块提高了梅赛德斯-奔驰纯电动汽车VISION EQXX主驱逆变器的能效并减轻了其重量，使电动汽车的续航里程增加10%。这款电动汽车完成了从德国斯图加特到英国银石的1,202公里（747英里）旅程，保持了单次充电后最远的行驶距离记录。VISION EQXX在电动车
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安森美 碳化硅 纯电动汽车 充电
本文分析了目前不间断电源（UPS）在互联网数据中心中的应用和发展趋势。对目前热门的碳化硅材料和英飞凌碳化硅技术做了介绍，并着重说明了碳化硅器件在UPS应用中的优势。分析给出了目前UPS常用拓扑及方案，最后基于50 kW的逆变部分做了各方案的损耗分析。1.引 言互联网数据中心(Internet Data Center,IDC),是集中计算和存储数据的场所，是为了满足互联网业务以及信息服务需求而构建的应用基础设施。受新基建、数字经济等国家政策影响以及新一代信息技术发展的驱动，我国数据中心市场规模增长迅猛。随着
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Infineon 碳化硅 UPS
碳化硅(sic)mosfet介绍
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