- 预计在未来五年，住宅太阳能系统的数量将大幅增长。太阳能系统能为家庭提供清洁和绿色的能源，用于为家用电器供电，为电动汽车充电，甚至将多余的电力输送至电网。有了太阳能系统，即使发生电网故障，也不用担心。本篇博客介绍了住宅太阳能系统的主要组成部分，并建议采用安森美 (onsemi) 的电源方案方案来提高太阳能系统的效率、可靠性和成本优势。住宅太阳能逆变器系统概述住宅太阳能逆变器系统中包括了产生可变直流电压的光伏面板阵列。升压转换器使用“最大功率点跟踪”(MPPT) 方法（根据阳光的强度和方向优化能量采集），将可
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SiC 太阳能系统
- 由创新科技及工业局和引进重点企业办公室共同推动，香港科技园公司（科技园公司）与微电子企业杰平方半导体（上海）有限公司（杰平方半导体）签署合作备忘录，在科学园设立以第三代半导体为主的全球研发中心，并投资开设香港首间碳化硅（SiC）8寸先进垂直整合晶圆厂，共同推进香港微电子生态圈及第三代半导体芯片产业的发展。香港特区政府创新科技及工业局去年公布的《香港创科发展蓝图》中，明确指出应加强支持具策略性的先进制造产业发展，譬如半导体芯片，促进香港「新型工业化」的发展。作为全球最大的半导体进出口市场之一，香港更是位处大
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香港科技园公司 杰平方半导体 碳化硅 SiC 垂直整合晶圆厂
- 全球知名半导体制造商罗姆（总部位于日本京都）扩大了支持电路仿真工具*1 LTspice® 的SPICE模型*2阵容。LTspice®具有电路图捕获和波形查看器功能，可以提前确认和验证电路是否按设计预期工作。此前罗姆已经陆续提供了双极晶体管、二极管和MOSFET*3的LTspice模型，此次又新增了SiC功率元器件和IGBT*4等的LTspice模型。至此，罗姆已经提供超过3,500 种分立产品的LTspice®模型，这些模型从各产品页面均可下载。目前，罗姆官网上发布的产品所对应的LTspice®模型覆盖率
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SiC IGBT模型 罗姆 LTspice模型
- L4986简介：L4986是一款峰值电流模式PFC升压控制器，采用专有的乘法器“模拟器”，除了创新型THD优化器，还保证在所有工条件下具有非常低的总谐波失真（THD）性能。该器件引脚采用SO封装，集成了800V
高压启动功能，无需使用传统的放电电阻。可以支持的功率范围从一两百瓦到几千瓦。 ST 提供两个版本：A为65 kHz，B为130
kHz。本案例方案中使用的是65K A版本。Double -boost 电路简介：Double-boost 是无桥PFC的一种, 去掉了大功耗的整流桥，可以显著提
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ST SIC 第三代半导体 CCM PFC 4986 电动工具 割草机 双boost double boost 无桥PFC
- Denso和三菱电机宣布将分别投资5亿美元，入股Coherent的碳化硅（SiC）业务子公司。据外媒，日本电装株式会社(Denso)和三菱电机宣布，将分别投资5亿美元，入股美国半导体材料、网络及激光供应商Coherent的碳化硅（SiC）业务子公司Silicon Carbide，并分别取得12.5%股权（两家日企合计取得25%股权）。据悉，Silicon Carbide主要从事SiC晶圆等产品的制造，是于2023年4月从Coherent公司分拆出来设立的SiC业务子公司。Denso与三菱电机将向该公司采购
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三菱电机 Denso 碳化硅
- 随着我们寻求更强大、更小型的电源解决方案，碳化硅 (SiC) 等宽禁带 (WBG) 材料变得越来越流行，特别是在一些具有挑战性的应用领域，如汽车驱动系统、直流快速充电、储能电站、不间断电源和太阳能发电。这些应用有一点非常相似，它们都需要逆变器（图 1）。它们还需要紧凑且高能效的轻量级解决方案。就汽车而言，轻量化是为了增加续航里程，而在太阳能应用中，这是为了限制太阳能设备在屋顶上的重量。图 1.典型的 EV 动力总成，其中显示了逆变器半导体损耗决定逆变器效率的主要因素之一是所使用的半导体器件（IGBT /
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安森美 碳化硅
- Littelfuse拥有广泛的产品系列、具有竞争力的产品性能和先进的技术，在高压（HV）分立Si MOSFET市场具有领导地位，特别是在1700V以上产品，包括电压阻断能力高达4700V的器件，能够支持客户开发需求严苛的应用。Littelfuse拥有广泛的产品系列、具有竞争力的产品性能和先进的技术，在高压（HV）分立Si MOSFET市场具有领导地位，特别是在1700V以上产品，包括电压阻断能力高达4700V的器件，能够支持客户开发需求严苛的应用。Littelfuse提供广泛的分立HV硅(Si) MOSF
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Littelfuse MOSFET
- 热插拔是指将电子设备插入带电电源；这可能会损坏相关电子设备。电容性负载可能会产生较大的负载电流，从而给电源、电缆组件和任何限流电路带来压力。此外，电缆寄生电感上的电压变化会引起电压尖峰，从而进一步损坏电子设备。热插拔是指将电子设备插入带电电源；这可能会损坏相关电子设备。电容性负载可能会产生较大的负载电流，从而给电源、电缆组件和任何限流电路带来压力。此外，电缆寄生电感上的电压变化会引起电压尖峰，从而进一步损坏电子设备。简介热插拔是指将电子设备插入带电电源；这可能会损坏相关电子设备。电容性负载可能会产生较大的
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MOSFET 导通电阻
- 1.方案介绍:NCD57000 是一种具有内部电流隔离的高电流单通道驱动器，专为高功率应用的高系统效率和高可靠性而设计。其特性包括互补的输入端（IN+ 和 IN-）、漏极开路或故障侦测功能、有源米勒箝位功能、也配备了精确的 UVLO和DESAT保护能力(Programmable Delay) ，其中DESAT 时的软关断以及独立的高低驱动器输出（OUTH 和 OUTL）皆可用以方便系统设计及开发。 NCD57000 可在输入侧提供 5
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NCD57000 驱动器 IGBT MOSFET onsemi 马达控制
- 在工业、汽车和可再生能源应用中，基于宽禁带 (WBG) 技术的组件，比如 SiC，对提高能效至关重要。在本文中，安森美 (onsemi) 思考下一代 SiC 器件将如何发展，从而实现更高的能效和更小的尺寸，并讨论对于转用 SiC 技术的公司而言，建立稳健的供应链为何至关重要。在广泛的工业系统（如电动汽车充电基础设施）和可再生能源系统（如太阳能光伏 (PV)）应用中，MOSFET 技术、分立式封装和功率模块的进步有助于提高能效并降低成本。然而，平衡成本和性能对于设计人员来说是一项持续的挑战，必须在不增加太阳
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安森美 SiC
- 碳化硅（SiC MOSFET）和氮化镓(GaN)因其高频率、低损耗的特性得到广泛的应用，但对驱动系统的性能提出了更高的要求。英飞凌最新一代增强型EiceDRIVER™ 1ED34X1系列可提供高的输出电流、米勒钳位保护、精准的短路保护、可调的软关断等功能，为新一代的功率器件保驾护航。EiceDRIVER™增强型1ED34X1主要特色：● 单通道隔离型栅极驱动芯片● 输出电流典型值+3/6/9A● 功能绝缘电压高达2300V● 带米勒钳位、Desat短路保护、
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MOSFET EiceDRIVER MOSFET
- 在工业、汽车和可再生能源应用中，基于宽禁带 (WBG) 技术的组件，比如 SiC，对提高能效至关重要。在本文中，安森美 (onsemi) 思考下一代 SiC 器件将如何发展，从而实现更高的能效和更小的尺寸，并讨论对于转用 SiC 技术的公司而言，建立稳健的供应链为何至关重要。在广泛的工业系统（如电动汽车充电基础设施）和可再生能源系统（如太阳能光伏 (PV)）应用中，MOSFET 技术、分立式封装和功率模块的进步有助于提高能效并降低成本。然而，平衡成本和性能对于设计人员来说是一项持续的挑战，必须在不增加太阳
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碳化硅 SiC
- 近日，意法半导体官微宣布，将为博格华纳的Viper功率模块提供最新的第三代750V碳化硅功率MOSFET芯片。博格华纳将该功率模块用于沃尔沃和未来多款纯电动汽车设计电驱逆变器平台。为了充分发挥意法半导体SiC MOSFET 芯片的优势，意法半导体和博格华纳技术团队密切合作，力争让意法半导体的芯片与博格华纳的Viper功率开关匹配，最大限度提高逆变器性能，缩小电驱架构尺寸并提升经济效益。意法半导体汽车和分立器件产品部（ADG）总裁Marco Monti表示，意法半导体和博格华纳合作有助于提升沃尔沃的车辆性能
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意法半导体 博格华纳 SiC 沃尔沃
- 近期，三安半导体发布消息称，公司携碳化硅全产业链产品亮相SEMICON Taiwan
2023。除了推出650V-1700V宽电压范围的SiC
MOSFET外，三安半导体还首发了8英寸碳化硅衬底。三安半导体表示，展会上有多家重要客户在详细询问三安半导体产品参数后，表示已经确认采购意向。图：三安半导体湖南三安半导体属于三安光电下属子公司，主要业务涵盖碳化硅、氮化镓化合物半导体功率芯片的研发、设计、制造及服务，目前建立具有自主知识产权的衬底（碳化硅）、外延、芯片及封装产业生产基地。湖南三安半导体是三安
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8英寸 碳化硅
- STDES-3KWTLCP参考设计针对5G通信应用的3 kW/53.5V AC-DC转换器电源，使用完整的ST数字电源解决方案。STDES-3KWTLCP参考设计针对5G通信应用的3 kW/53.5V AC-DC转换器电源，使用完整的ST数字电源解决方案。电路设计包括前端无桥图腾柱PFC和后端LLC全桥架构。前级图腾柱PFC提供功率因数校正（PFC）和谐波失真（THD）抑制，后记全桥LLC转换器提供安全隔离和稳定的输出电压。该参考设计为高效率紧凑型解决方案，在230 VAC输入时，测量峰值效率为96.3%
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ST 第三代半导体 SIC GNA 图腾柱PFC 无桥PFC 全桥LLC 数字电源
碳化硅(sic)mosfet介绍
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