英飞凌科技股份公司近日推出适用于IGBT、SiC和GaN栅极驱动器电源的EiceDRIVER™ Power 2EP1xxR全桥变压器驱动器系列。2EP1xxR系列扩大了英飞凌功率器件产品阵容，为设计人员提供了隔离式栅极驱动器电源解决方案。该系列半导体器件可以帮助实现非对称输出电压，以经济高效、节省空间的方式为隔离式栅极驱动器供电。因此，2EP1xxR尤其适用于需要隔离式栅极驱动器的工业和消费类应用，包括太阳能应用、电动汽车充电、储能系统、焊接、不间断电源、驱动应用等。2EP1xxR系列采用具有功率集成技术
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英飞凌 EiceDRIVER 全桥变压器驱动器 栅极驱动器电源
碳化硅（SiC MOSFET）和氮化镓(GaN)因其高频率、低损耗的特性得到广泛的应用，但对驱动系统的性能提出了更高的要求。英飞凌最新一代增强型EiceDRIVER™ 1ED34X1系列可提供高的输出电流、米勒钳位保护、精准的短路保护、可调的软关断等功能，为新一代的功率器件保驾护航。EiceDRIVER™增强型1ED34X1主要特色：● 单通道隔离型栅极驱动芯片● 输出电流典型值+3/6/9A● 功能绝缘电压高达2300V● 带米勒钳位、Desat短路保护、
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MOSFET EiceDRIVER MOSFET
【2023 年 5 月 6 日，德国慕尼黑讯】英飞凌科技股份公司（FSE 代码：IFX / OTCQX 代码：IFNNY）继推出 EiceDRIVER™ 6ED223xS12T 系列 1200 V 绝缘体上硅（SOI）三相栅极驱动器之后，现又推出 EiceDRIVER 2ED132xS12x 系列，进一步扩展其产品组合。该驱动器 IC系列的半桥配置补充了现有的 1200V SOI 系列，为客户提供了更多的选择以及设计灵活性。增强的电流输出能力将这一产品组合的适用性提升到更高的系统功率水平。这些器件能够提供
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英飞凌 EiceDRIVER 半桥驱动器
英飞凌科技股份有限公司 (FSE:IFX / OTC QX:IFNNY) 日前推出新一代应用于新能源汽车的高压IGBT门级驱动器。有了专为混合动力/电动汽车 (HEV) 的主逆变器而设计的全新EiceDRIVER™ SIL和EiceDRIVER™ Boost驱动器，汽车系统供应商便能够更轻松地设计出更具成本效益的HEV电力传动传动子系统，该系统完全符合ASIL C/D功能安全要求标准 (ISO 26262)。
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英飞凌 EiceDRIVER 逆变器 IGBT
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