新闻亮点：新款发布的具有电源路径保护功能的 48V 集成式热插拔电子保险丝简化了数据中心设计，助力设计人员达到 6kW 以上的功率水平。新型集成式氮化镓 (GaN) 功率级采用行业标准的晶体管外形无引线 (TOLL) 封装，将德州仪器的 GaN 和高性能栅极驱动器与先进的保护功能相结合。中国上海（2025 年4 月 9 日）— 德州仪器 (TI)（纳斯达克股票代码：TXN）于今日推出新款电源管理芯片，以满足现代数据中心快速增长的电源需求。随着高性能计算和人工智能 (AI) 的采用率越来越高，数据中心需要更
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德州仪器 GaN 数据中心 电源管理芯片 保险丝
● 双方签署氮化镓（GaN）技术联合开发协议，致力于为AI数据中心、可再生能源发电与存储、汽车等领域打造面向未来的功率电子技术● 英诺赛科可借助意法半导体在欧洲的制造产能，意法半导体可借助英诺赛科在中国的制造产能服务多重电子应用领域、全球排名前列的半导体公司意法半导体 （STMicroelectronics，简称ST）与8英寸高性能低成本硅基氮化镓（GaN-on-Si）制造全球领军企业英诺赛科，共同宣布签署了一项氮化镓技术开发与制造协议。双方将充分发挥各自优
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意法半导体 英诺赛科 氮化镓
近日，九峰山实验室发布国内首个100 nm硅基氮化镓商用工艺设计套（PDK），性能指标达到国内领先、国际一流水平。作为全球第二个、国内首个商用方案，其技术指标可支撑高通量Ku/Ka频段低轨卫星通信，能够满足下一代移动通信、商用卫星通信与航天领域、车联网及工业物联网、手机终端等多领域对高频、高功率、高效率氮化镓器件的需求，推动我国相关领域器件从“进口替代”迈向“技术输出”。PDK（Process Design Kit，工艺设计套件）是半导体制造中不可或缺的工具包。它为芯片设计者提供工艺参数、器件模型、设计规
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九峰山实验室 100nm 氮化镓 PDK平台
Nexperia近日宣布其E-mode GaN FET产品组合新增12款新器件。本次产品发布旨在满足市场对更高效、更紧凑系统日益增长的需求。这些新型低压和高压E-mode GaN FET适用于多个市场，包括消费电子、工业、服务器/计算以及电信，尤其着重于支持高压、中低功率以及低压、中高功率的使用场景。自2023年推出E-mode GaN FET以来，Nexperia一直是业内少有、同时提供级联型或D-mode和E-mode器件的供应商，为设计人员在应对设计过程中的不同挑战提供了更多便捷性。Nexperia
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Nexperia GaN FET
3月14日， “2025 英飞凌消费、计算与通讯创新大会”（ICIC 2025，以下同）在深圳举行。本届大会汇聚600多位业界精英，就AI、机器人、边缘计算、氮化镓应用等话题展开了精彩探讨，首次在国内展示了英飞凌两款突破性技术——300mm氮化镓功率半导体晶圆和20μm超薄硅功率晶圆，彰显了英飞凌在技术创新领域的领先地位，并解读最新产品与解决方案，为行业注入新动能，助力企业在低碳数字变革的浪潮中把握先机。2025英飞凌消费、计算与通讯创新大会（ICIC 2025）在深圳举行2024年，
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英飞凌 MCU GaN
氮化镓 （GaN） 高电子迁移率晶体管 （HEMT） 是场效应晶体管的一种形式，它在微波频率下工作时结合了高水平的性能和低噪声系数。不过，HEMT 与其他类型的 FET 器件有些不同，它的性能优于标准结或 MOSFET。这些独特的器件在微波射频 （RF） 应用中表现出色。来自 n 型区域的电子穿过晶格，许多电子保持在异质结附近（异质结是指通过两个或多个半导体的接触耦合形成的界面区域）。这种只有一层厚的电子形成二维电子气体。650V GaN HEMT 的开关能量 （Esw） 是在硬开关条
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GaN HEMT 开关应用 低噪声功率
无晶圆厂环保科技半导体公司 Cambridge GaN Devices（CGD）开发了一系列高能效氮化镓（GaN）功率器件，使更加环保的电子产品非常易于设计和运行。CGD今日推出的 Combo ICeGaN® 解决方案使 CGD 利用其 ICeGaN® 氮化镓（GaN）技术满足100kW 以上的电动汽车动力系统应用，该市场超过100亿美元。Combo ICeGaN®将智能 ICeGaN HEMT IC 和绝缘栅双极晶体管（IGBT）组合在同一个模块或集成功率管理器件（IPM）中，最大限度地提高了效率，为昂
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CGD GAN 电动汽车 驱动逆变器
电动汽车 （EV） 越来越受欢迎，因为精明的消费者，尤其是在加利福尼亚州，认识到出色的加速性能的优势，例如，当红绿灯变绿时，汽油动力汽车可能会被尘土甩砸。这是因为电动机在驾驶员踩下油门的那一刻就会产生峰值扭矩。然而，与内燃机 （ICE） 汽车相比，电动汽车的主要动机是能源效率。EV 车载电池充电器EV1 的车载电池充电器 （OBC） 完全能够为来自交流电网的高压牵引电池充电（图 1）。停放的车辆插入 EV 1 级和 2 级交流充电站之一，这些充电站出现在停车场、家庭、公司、购
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GaN 汽车应用 OBC 高压 DC-DC转换器
了解如何将氮化镓（GaN）功率晶体管技术应用于D类音频放大器，可以提高信号保真度，降低功耗，并提供比硅更轻、更具成本效益的解决方案。在音频工程中，放大器是传递强大、沉浸式声音的核心设备。这些设备将低功率音频信号转换为丰富、高功率的输出，从而驱动从便携式扬声器到专业音响系统的一切设备。在过去十年中出现的各种放大器设计中，有一种脱颖而出：D类放大器。以其高效性和广泛使用而闻名，D类技术主导了现代音频领域。然而，即使是最受欢迎的放大器也有其局限性。当前的D类音频系统虽然效率很高，但在性能上仍面临挑战。D类放大器
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GaN 放大器
氮化镓 （GaN） 功率器件因其超快的开关速度和有限的寄生效应而成为 LiDAR 传感器的核心构建模块之一，从而在高总线电压和窄脉冲宽度下实现高峰值电流。为了迎来自动驾驶汽车的未来，必须在车辆系统内使用更先进的传感器。LiDAR 是检测自动驾驶汽车周围物体存在的更广泛使用的传感器之一，它是光检测和测距的缩写，它从激光射出光并测量场景中的反射，有点像基于光的雷达。车辆的车载计算机可以使用这些数据来解释汽车与周围环境的关系以及道路上是否存在其他汽车和物体。LiDAR 传感器必须基于一个非常快速的开关，该开关为
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GaN 功率FET 栅极驱动器 LiDAR 传感器
全球知名半导体制造商ROHM（总部位于日本京都市）已将TOLL（TO-LeadLess）封装的650V耐压GaN HEMT*1“GNP2070TD-Z”投入量产。TOLL封装不仅体积小，散热性能出色，还具有优异的电流容量和开关特性，因此在工业设备、车载设备以及需要支持大功率的应用领域被越来越多地采用。此次，ROHM将封装工序外包给了作为半导体后道工序供应商（OSAT）拥有丰富业绩的日月新半导体（威海）有限公司（ATX SEMICONDUCTOR (WEIHAI) CO., LTD.，以下简称“ATX”）。
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GaN HEMT GaN ROHM
本期充电头网继续为大家带来航嘉灵动F40 Pro 40W氮化镓快速充电器的拆解，这款产品基于此前经典G35 Pro款进行设计，除新增可折叠插脚设计外，外观以及大小等基本没有变化，不过功率提升至40W，并且还支持20W+20W输出，可以满足两部iPhone 16新机快充需求。下面一起来看看产品内部有何不同。此前充电头网还拆解过航嘉20W安全快充充电器、航嘉迷你30W安全快充、航嘉100W氮化镓双认证安全快充、航嘉65W 1A1C氮化镓快充充电器等产品，欢迎查阅。航嘉灵动F40 Pro安全快充开箱包装盒正面印
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氮化镓 快速充电器 拆解
据日媒报道，名古屋大学和日本电装公司利用横向 GaN HEMT，合作开发出了一种 800V 兼容逆变器（三相、三电平），主要用于驱动使用的电动汽车牵引电机（图 1）。据了解，名古屋大学与松下控股、丰田合成、大阪大学和电装合作，参与了日本环境省自 2022 年以来实施的项目“加速实现创新 CO₂ 减排材料的社会实施和传播项目”。新开发的高压三电平逆变器是该项目努力的结果。图1 ：电装横向 GaN HEMT 电驱逆变器（左）、单相降压 DC-DC 转换器运行时的开关波形（右）。提高电动汽车和混合动力电动汽车（
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日本电装 GaN 三电平 汽车电驱
异质异构Chiplet正成为后摩尔时代AI海量数据处理的重要技术路线之一，正引起整个半导体行业的广泛关注，但这种方法要真正实现商业化，仍有赖于通用标准协议、3D建模技术和方法等。然而，以拓展摩尔定律为标注的模拟类比芯片技术，在非尺寸依赖追求应用多样性、多功能特点的现实需求，正在推动不同半导体材料的异质集成研究。为此，复旦大学微电子学院张卫教授、江南大学集成电路学院黄伟教授合作开展了Si CMOS+GaN单片异质集成的创新研究，并在近期国内重要会议上进行报道。复旦大学微电子学院研究生杜文张、何汉钊、范文琪等
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复旦大学 Si CMOS GaN 单片异质集成
全球知名半导体制造商ROHM（总部位于日本京都市）已将TOLL（TO-LeadLess）封装的650V耐压GaN HEMT*1“GNP2070TD-Z”投入量产。TOLL封装不仅体积小，散热性能出色，还具有优异的电流容量和开关特性，因此在工业设备、车载设备以及需要支持大功率的应用领域被越来越多地采用。此次，ROHM将封装工序外包给了作为半导体后道工序供应商（OSAT）拥有丰富业绩的日月新半导体（威海）有限公司（ATX SEMICONDUCTOR (WEIHAI) CO., LTD.，以下简称“ATX”）。
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GaN HEMT TOLL封装 ROHM
氮化镓(gan)介绍
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