过去几十年间，人口和经济活动的快速增长推动了全球能源消耗的稳步增长，并且预计这一趋势还将持续。这种增长是线下与线上活动共同作用的结果。因此，数据中心的快速扩张显著增加了全球电力需求。据估计，2022 年全球数据中心耗电量约为240-340 太瓦时（TWh）。近年来，全球数据中心的能源消耗以每年20-40% 的速度持续增长[1]。图1 1910年以来全球二氧化碳排放量（单位：千兆吨）：总量（上）；按行业划分（下）随着能源消耗的增加，相关的二氧化碳排放量也在2022年达到创纪录的37 千兆吨。为应对这一问题，
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/ 编辑推荐 /氮化镓晶体管和碳化硅MOSFET是近年来新兴的功率半导体，相比于传统的硅材料功率半导体，他们都具有许多非常优异的特性：耐压高，导通电阻小，寄生参数小等。他们也有各自与众不同的特性：氮化镓晶体管的极小寄生参数，极快开关速度使其特别适合高频应用。碳化硅MOSFET的易驱动，高可靠等特性使其适合于高性能开关电源中。本文基于英飞凌科技有限公司的氮化镓晶体管和碳化硅MOSFET产品，对他们的结构、特性、两者的应用差异等方面进行了详细的介绍。引 言作为第三代功率半导体的绝代双骄，氮化镓晶体
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12 月 12 日消息，日本半导体制造商罗姆 ROHM 当地时间本月 10 日宣布同台积电就车载氮化镓 GaN 功率器件的开发和量产事宜建立战略合作伙伴关系。罗姆此前已于 2023 年采用台积电的 650V 氮化镓 HEMT（注：高电子迁移率晶体管）工艺推出了 EcoGaN 系列新产品。罗姆、台积电双方将致力于把罗姆的氮化镓器件开发技术与台积电业界先进的 GaN-on-Silicon（硅基氮化镓）工艺技术优势结合起来，满足市场对高耐压和高频特性优异的功率器件日益增长的需求。台积电在新闻稿中提到，
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12月4日，据GlobalFoundries（格芯）官网消息，其又从美国政府获得了950万美元（折合人民币约6900万元）的联邦资助，用于推进其位于美国佛蒙特州埃塞克斯交界的工厂的硅基氮化镓（GaN）半导体的生产。据介绍，这笔资金由美国国防部可信接入项目办公室（TAPO）提供，是美国联邦政府为支持格芯在佛蒙特州的氮化镓项目而投入的最新资金。获得这笔资金后，格芯将继续为其氮化镓IP产品组合和可靠性测试增加新的工具、设备和原型开发能力，其将更接近在佛蒙特州全面制造8英寸氮化镓芯片。据悉，自2020年以来，包括
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文章 概述本文介绍了 宽带隙（ GaN ）技术在高压 LED照明 中的应用，以及如何解决效率和功率密度挑战。文章重点讨论了利用GaN技术的LED驱动器架构的降压部分，展示了如何通过宽带隙技术提高效率和功率密度。文中还介绍了STMicroelectronics的MasterGaN系列，该系列将高电压智能功率BCD工艺栅极驱动器与高电压GaN晶体管结合，简化了设计并提高了功率密度。事实证明， 高压LED照明可以有效地取代高强度放电 (HID
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今年十月份，日本功率器件大厂罗姆半导体（ROHM）公开表示，将在氮化镓功率半导体领域加强与台积电合作，公司旗下的氮化镓（GaN）产品将全面委托台积电代工生产。值得注意的是，罗姆之前主要利用内部工厂来生产相关器件，但是近年来已经开始将部分产品委托台积电代工，只不过罗姆此前并未对外公布。而此次，罗姆将全面委托台积电代工生产有望运用于广泛用途的 650V 耐压产品，借由活用外部资源，应对急增的需求，扩大业务规模。有分析认为，罗姆全面委托台积电代工氮化镓产品，旨在降低成本。毕竟，氮化镓材料虽然性能优越，但成本一直
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英飞凌科技股份公司近日宣布推出新型高压分立器件系列CoolGaN™ 650 V G5晶体管，该系列进一步丰富了英飞凌氮化镓（GaN）产品组合。该新产品系列的适用范围广泛，包括USB-C适配器和充电器、照明、电视、数据中心、电信整流器等消费和工业开关电源（SMPS）、可再生能源，以及家用电器中的电机驱动器。最新一代CoolGaN™晶体管可直接替代CoolGaN™ 600 V G1晶体管，实现了现有平台的快速重新设计。新器件改进了性能指标，确保为重点应用带来具有竞争力的开关性能。与主要同类产品和英飞凌之前的产
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1 LiDAR（3D感测和距离感测）备受瞩目在物流行业，物流需求持续扩大，但同时也面临着严重的劳动力短缺问题。越来越多的业内企业开始考虑引进智慧物流系统，利用AGV（无人搬运车）和AMR（自主移动机器人）等执行工作。然而，也有很多企业担心安全性和系统管理等方面的问题。实际上，ISO 对功能安全的要求也很高，能够确保安全性的智能感测技术和模块已经逐渐成为不可或缺的存在。在这种背景下，旨在构建更安全、更安心的智慧物流系统，并且能够更精准地感测更远的距离、不易受到阳光干扰的激光雷达LiD
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1932年，研究人员在George Herbert Jones实验室，将金属镓和氨在900℃至1000℃的高温下进行反应，成功合成了GaN材料。近一个世纪的时间里，氮化镓逐渐引领着功率变换领域的新一轮变革。特别是Power Integrations公司近日推出的业界首款1700V氮化镓开关IC——InnoMux™-2系列产品，不仅刷新了氮化镓技术的耐压纪录，更是以其卓越的性能和广泛的应用前景，成为了电源管理领域的遥遥领先者。 氮化镓逐渐成为王者 最佳开关电源技术覆盖从十瓦至一兆瓦的广泛
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深耕于高压集成电路高能效功率变换领域的知名公司Power Integrations近日推出InnoMux™-2系列单级、独立调整多路输出离线式电源IC的新成员。新器件采用公司专有的PowiGaN™技术制造而成，是业界首款1700V氮化镓开关IC。1700V额定耐压进一步提升了氮化镓功率器件的先进水平，此前的业界首创产品是Power Integrations于2023年推出的900V和1250V器件。1700V InnoMux-2 IC可在反激设计中轻松支持1000VDC额定输入电压，并在需要一个、两个或三
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Nexperia今天推出了一系列新的AC/DC反激式控制器，进一步壮大其不断扩展的电源IC产品组合。NEX806/8xx和NEX8180x专为基于GaN的反激式转换器而设计，用于PD(Power Delivery)快速充电器、适配器、壁式插座、条形插座、工业电源和辅助电源等设备以及其他需要高功率密度的AC/DC转换应用。 NEX806xx/NEX808xx是准谐振/多模反激式控制器，可在宽VCC范围(10-83V)下工作，而NEX81801/NEX81802是自适应同步整流控制器。这些IC可与N
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如今，围绕第三代半导体的研发和应用日趋火热。由于具有更大的禁带宽度、高耐压、高热导率、更高的电子饱和速度等特点，第三代半导体材料能够满足未来电子产品在高温、高功率、高压、高频等方面更高的要求，被认为是突破传统硅（Si）器件性能天花板的必由之路。氮化镓（GaN）和碳化硅（SiC）并称为第三代半导体界的“双雄”。其中，SiC在高耐压和大电流应用方面优势突出，近年来在新能源汽车、可再生能源等功率电子领域风头无两；而GaN则凭借出色的击穿场强特性和电子饱和速度，提供出色的低导通电阻和高速开关（高频率工作）性能，在
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自德州仪器官网获悉，日前，德州仪器公司（TI）宣布已开始在日本会津工厂生产基于氮化镓(GaN)的功率半导体。随着会津工厂的投产，结合其在德克萨斯州达拉斯的现有GaN制造能力，德州仪器的内部GaN基功率半导体制造能力将翻四倍。德州仪器技术与制造高级副总裁穆罕默德·尤努斯（Mohammad Yunus）表示，在GaN芯片设计和制造方面拥有十多年的丰富经验后，TI成功地将200mm GaN技术（这是目前制造GaN的最具可扩展性和成本竞争力的方法）应用于会津工厂的量产。这一里程碑使德州仪器能够在内部制造更多的Ga
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新闻亮点：● 德州仪器增加了GaN制造投入，将两个工厂的GaN半导体自有制造产能提升至原来的四倍。● 德州仪器基于GaN的半导体现已投产上市。● 凭借德州仪器品类齐全的GaN集成功率半导体，能打造出高能效、高功率密度且可靠的终端产品。● 德州仪器已成功开展在12英寸晶圆上应用GaN制造工艺的试点项目。德州仪器 (TI)近日宣布，公司基于氮化镓 (GaN) 的功率半导体已在日本会津工厂开始投产。随着会津工厂投产，
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2023 年全球可再生能源发电量首次超过全球总发电量的 30%创历史新高，这则消息的背后是技术的不断创新与突破。一直以来，可再生能源利用的一大问题是缺乏弹性，比如对于光伏而言，只能根据光照进行发电，而无法根据需求而定。不过，随着储能技术的推进，微型逆变器和串式逆变器正朝向双向操作技术方向演进，且随时可以按需智能地融入电网。一个重要且可预见的趋势是氮化镓可作为下一代家庭太阳能生产的重要组成部分，提供更高的功率密度，更小的外部无源元件、从而降低系统成本，增加系统效率，提供智能电网的弹性。作为氮化镓供应商的先驱
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氮化镓(gan)介绍
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