基于氮化镓器件的逆变器参考设计(EPC9193)让您实现具有更高性能的电机系统，其续航里程更长、精度更高、扭矩更大，而且同时降低了系统的总成本。宜普电源转换公司（EPC）近日宣布推出EPC9193，它是使用EPC2619 eGaN®FET的三相BLDC电机驱动逆变器，具有14V~65V的宽输入直流电压范围和两种配置，分别为标准和高电流版本：● EPC9193 是标准参考设计，在每个开关位置使用单个FET，可提供高达30ARMS 的最大输出电流。● EPC91
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氮化镓器件 电动自行车 无人机 机器人 EPC GaN 宜普
SiC 市场的快速扩张主要得益于电动汽车的需求，预计 2023 年市场将比上年增长 60%。
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GaN SiC
Qorvo是一家在射频解决方案领域具有显著影响力的美国公司。它通过提供创新的射频技术，为移动、基础设施与国防/航空航天市场提供核心技术及解决方案，致力于实现全球互联。Qorvo在射频前端模块、滤波器、功率放大器、开关、调谐器等领域都展现出了强大的技术实力和市场地位。它是全球主要的功频放大器供货商，其产品在市场上具有较高的认可度和广泛的应用。这使得Qorvo在推动5G网络、云计算、物联网等新兴应用市场的发展方面发挥了重要作用。在Qorvo所擅长的宽带功率放大器领域之中，GaN材料展露出了重要的应用潜力。由于
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Qorvo GaN 宽带功率放大器
3月20日，春分时期，万物复苏，SEMICON China 2024在上海新国际博览中心拉开了序幕。现场一片繁忙热闹，据悉本次展会面积达90000平方米，共有1100家展商、4500个展位和20多场会议及活动涉及了IC制造、功率及化合物半导体、先进材料、芯车会等多个专区。本次展会中，碳化硅、氮化镓等第三代半导体产业链格外亮眼，据全球半导体观察不完全统计，共有近70家相关企业带来了一众新品与最新技术，龙头企业颇多，材料方面包括Resonac、天域半导体、天岳先进、天科合达等企业，设备端则如晶盛机电、中微公司
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碳化硅 氮化镓 第三代半导体
根据韩国媒体THE ELEC的报导，模拟芯片大厂德州仪器(TI)的一位高层表示，该公司正在将其多个晶圆厂生产的6英寸氮化镓(GaN)芯片，转移到8英寸晶圆厂来生产。报导指出，德州仪器韩国公司经理Jerome Shin在首尔举行的新闻发布会上表示，德州仪器正在达拉斯和日本会津准备兴建8英寸晶圆厂，这将使其能够提供更具价格竞争力的GaN芯片JeromeShin指出，人们普遍认为GaN芯片比碳化硅(SiC)芯片更昂贵，但这种看法自2022年以来发生了转变。因为德州仪器正在将其生产由6英寸晶圆厂转换为8英寸晶圆厂
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德州仪器 氮化镓 模拟芯片
近日，美国GaN器件厂商Odyssey宣布出售公司资产。目前，Odyssey已与客户签署最终协议，将其大部分资产出售给一家大型半导体公司，交易金额为952万美元，目前买家信息处于保密状态。资料显示，Odyssey成立于2019年，专注基于专有的氮化镓（GaN）处理技术开发高压功率开关元件和系统，拥有一座面积为1万平方英尺的半导体晶圆制造厂，配备了一定比例的1000级和10000级洁净空间以及先进半导体开发和生产工具，致力于推出工作在650V和1200V的垂直氮化镓场效应晶体管。偿还贷款和交易费用后，公司预
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氮化镓 第三代半导体
引言随着技术的迅速发展，人们对电源的需求亦在不断攀升。为了可持续地推动这一发展，太阳能等可再生能源被越来越多地用于电网供电。同样，为了实现更快的数据处理、大数据存储以及人工智能(AI)，服务器的需求也在呈指数级增长。鉴于这些趋势，设计人员面临着一项重大挑战：如何在持续提升设计效率的同时，在相同的尺寸内实现更高的功率。这一挑战已经推动了氮化镓(GaN)在高压电源设计中的广泛应用，原因在于GaN具有两大优势：● 提高功率密度。GaN的开关频率较高，使设计人员能够使用体积更小的无源器件（
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氮化镓 中压应用
自2018年10月25日，Anker发布全球首款GaN充电器，将GaN正式引入消费电子领域以来，短短几年间，各大GaN厂商纷纷涉足相关产品。当前，GaN消费电子产品市场已是一片红海，竞争日趋激烈。面对GaN在消费电子领域应用现状，相关企业开始寻求新的增量市场，GaN技术应用由此逐步向新能源汽车、光伏、数据中心等其他应用场景延伸。GaN的特殊价值，正在消费电子之外的多个领域持续释放。01GaN正在加速“上车”在汽车电动化与智能化趋势下，汽车搭载的电子电力系统越来越多。而与传统硅材料相比，基于GaN材料制备的
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唯一全面专注的下一代功率半导体公司及氮化镓和碳化硅功率芯片行业领导者——纳微半导体近日宣布将参加于2024年3月20-22日在深圳福田会展中心举办的亚洲充电展，邀请观众造访由最新氮化镓和碳化硅技术打造，象征着全电气化未来的“纳微芯球”展台。纳微半导体将展出最新的GaNFast™和GeneSiC™应用及解决方案，包括：● 功率水平更高、以应用为导向的GaNSense™ Halfbridge半桥氮化镓技术● 高性能、速度快的第三代高速碳化硅技术● &
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纳微半导体 亚洲充电展 GaN+SiC 快充
英飞凌科技股份公司近日宣布与Worksport Ltd.合作，共同利用氮化镓（GaN）降低便携式发电站的重量和成本。Worksport将在其便携式发电站转换器中使用英飞凌的GaN功率半导体GS-065-060-5-B-A提高效能和功率密度。在采用英飞凌GaN晶体管后，该功率转换器将变得更轻、更小，系统成本也将随之降低。此外，英飞凌还将帮助Worksport优化电路和布局设计，进一步缩小尺寸并提高功率密度。Worksport首席执行官Steven Rossi表示：“英飞凌高质量标准和稳固的供应链为我们提供了
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英飞凌 Worksport 氮化镓 GaN 便携式发电站
2024 年 3 月 7 日，中国——意法半导体 SRK1004 同步整流控制器降低采用硅基或 GaN 晶体管的功率转换器的设计难度，提高转换能效，目标应用包括工业电源、便携式设备充电器和 AC/DC适配器。SRK1004的检测输入能够承受高达190V 的电压，可以连接高低边功率开关管。共有四款产品供用户选择，仅器件选型就可以让用户优化应用设计，通过选择5.5V或 9V的栅极驱动电压，可以在设计选用理想的逻辑电平 MOSFET
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意法半导体 同步整流控制器 氮化镓 功率转换器
全球增强型氮化镓(GaN)功率 FET 和 IC领域的领导者宜普电源转换公司（EPC）推出 100 V、1 mOhm EPC2361。这是市场上具有最低导通电阻的GaN FET，与EPC的上一代产品相比，其功率密度提高了一倍。EPC2361的RDS(on)典型值只有1 mOhm，采用耐热QFN封装，顶部裸露，封装尺寸只有3 mm x 5 mm。EPC2361的RDS(on)最大值x面积仅为15 mΩ*mm2 –比等效100 V 硅MOSFET的体积小超过五倍。凭借超低导通电阻
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EPC 1mΩ 导通电阻 GaN FET
激光探测及测距 (LiDAR) 的应用包括自主驾驶车辆、无人机、仓库自动化和精准农业。在这些应用中，大多都有人类参与其中，因此人们担心 LiDAR 激光可能会对眼睛造成伤害。为防止此类伤害，汽车 LiDAR 系统必须符合 IEC 60825-1 1 类安全要求，同时发射功率不超过 200 W。通用解决方案一般采用 1 至 2 ns 脉冲，重复频率为 1 至 2 MHz。这很有挑战性，因为需要使用微控制器或其他大型数字集成电路 (IC) 来控制激光二极管，但又不能直接驱动它，这样就必须增加一个栅极
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自主驾驶 LiDAR GaN FET
电力电子应用希望纳入新的半导体材料和工艺。
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当今，快充市场正迎来前所未有的机遇与挑战。风暴仍在继续，快充市场的迅猛发展，用户对于充电器的功率需求也在不断增大；移动设备的普及，用户对于充电器体积的要求也越来越高；同时为了在激烈的市场竞争中脱颖而出，低成本是每个快充产品必须考虑的因素。种种这些都对快充技术的要求愈发严格，不仅需要高效率、高功率，还需要适应多样化的标准和满足用户个性化的需求。在种种挑战之下，PI推出了InnoSwitch5-Pro 离线反激式开关IC，在内部集成750V或900V PowiGaN™初级开关、初级侧控制器、FluxLink™
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PI SR-ZVS GaN 氮化镓
氮化镓(gan)介绍
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