Cambridge GaN Devices (CGD) 是一家无晶圆厂环保科技半导体公司，开发了一系列高能效 GaN 功率器件，致力于打造更环保的电子器件。CGD 与与中国台湾工业技术研究院（ITRI）签署了谅解备忘录，以巩固为USB-PD适配器开发高性能GaN解决方案的合作伙伴关系、并共享市场信息、实现对潜在客户的联合访问和推广。Andrea Bricconi | CGD 首席商务官“我们很高兴能与ITRI合作，ITRI拥有一个电力解决方案研究团队，在开发电力解决方案方面有着非常丰富的经验
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CGD GaN 电源开发
氮化镓 (GaN) 半导体在 20 世纪 90 年代初首次作为高亮度蓝色发光二极管 (LED) 投入商业应用，随后成为蓝光光盘播放器的核心技术。自此以后虽已取得长足进步，但在将近二十年后，该技术才因其高能效特性而在场效应晶体管 (FET) 上实现商业可行性。氮化镓目前是半导体行业增长最快的细分市场之一，复合年增长率估计在 25% 至 50% 之间，其驱动力来自对能效更高设备的需求，以期实现可持续发展和电气化目标。与硅晶体管相比，氮化镓晶体管可以设计出体积更小、效率更高的器件。氮化镓最初
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ADI 氮化镓 功率元件
作为第三代半导体两大代表材料，SiC产业正在火热发展，频频传出各类利好消息；GaN产业热度也正在持续上涨中，围绕新品新技术、融资并购合作、项目建设等动作，不时有新动态披露。在关注度较高的扩产项目方面，上个月，能华半导体张家港制造中心（二期）项目在张家港经开区再制造基地正式开工建设。据悉，能华半导体张家港制造中心（二期）项目总投资6000万元，总建筑面积约10000平方米，将新建GaN外延片产线。项目投产后，将形成月产15000片6英寸GaN外延片的生产能力。而在近日，又有一个GaN外延片项目取得新进展。5
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碳化硅 氮化镓 化合物半导体
深耕于高压集成电路高能效功率变换领域的知名公司Power Integrations近日宣布达成协议，收购垂直氮化镓(GaN)晶体管技术开发商Odyssey Semiconductor Technologies的资产。这项交易预计将于2024年7月完成，届时Odyssey的所有关键员工都将加入Power Integrations的技术部门。此次收购将为该公司专有的PowiGaN™技术的持续开发提供有力支持。PowiGaN技术已广泛应用于该公司的众多产品系列，包括InnoSwitch™ IC、HiperPFS
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Power Integrations Odyssey 氮化镓 GaN
近日，Transphorm与伟诠电子宣布推出两款新型系统级封装氮化镓（GaN）器件（SiP），与去年推出的伟诠电子旗舰GaN SiP一起，组成首个基于Transphorm SuperGaN平台的系统级封装GaN产品系列。新推出的两款SiP器件型号分别为WT7162RHUG24B和WT7162RHUG24C，集成了伟诠电子的高频多模（准谐振/谷底开关）反激式PWM控制器和Transphorm的150 mΩ和480 mΩ SuperGaN FET。与上一款240 mΩ器件（WT7162RHUG24A）相同，两
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功率半导体 氮化镓 GaN
全球领先的氮化镓（GaN）功率半导体供应商Transphorm, Inc.与适配器USB PD控制器集成电路的全球领导者Weltrend Semiconductor Inc.近日宣布推出两款新型系统级封装氮化镓器件（SiP），与去年推出的伟诠电子旗舰氮化镓 SiP 一起，组成首个基于Transphorm SuperGaN®平台的系统级封装氮化镓产品系列。新推出的两款SiP器件型号分别为WT7162RHUG24B和WT7162RHUG24C，集成了伟诠电子的高频多模（准谐振/谷底开关）反激式PWM控制器和T
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Transphorm 伟诠 SiP氮化镓 氮化镓
《科技日报》19日报导，电子科技大学信息与量子实验室透露，该实验室研究团队近日与北京清华大学、中国科学院上海微系统与信息技术研究所合作，在国际上首次研制出氮化镓量子光源芯片，这也是电子科技大学「银杏一号」城域量子互联网研究平台，取得的又一项重要进展，相关成果发表在《物理评论快报》上。据了解，量子光源芯片是量子互联网的核心器件，可以看作点亮「量子房间」的「量子灯泡」，让互联网使用者拥有进行量子信息交互的能力。研究团队通过迭代电子束曝光和干法刻蚀工艺，攻克了高质量氮化镓晶体薄膜生长、波导侧壁与表面散射损耗等技
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氮化镓 量子光源
据天府绛溪实验室官微消息，近日，电子科技大学信息与量子实验室、天府绛溪实验室量子互联网前沿研究中心与清华大学、中国科学院上海微系统与信息技术研究所合作，在国际上首次研制出氮化镓量子光源芯片，这是电子科技大学“银杏一号”城域量子互联网研究平台取得的又一项重要进展，也是天府绛溪实验室在关键核心技术领域取得的又一创新成果。据悉，研究团队通过迭代电子束曝光和干法刻蚀工艺，攻克高质量氮化镓晶体薄膜生长、波导侧壁与表面散射损耗等技术难题，在国际上首次将氮化镓材料运用于量子光源芯片。目前，量子光源芯片多使用氮化硅等材料
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氮化镓 量子光芯片
D类音频放大器参考设计(EPC9192)让模块化设计具有高功率和高效，从而可实现全定制、高性能的电路设计。宜普电源转换公司(EPC)宣布近日推出EPC9192参考设计，可实现优越、紧凑型和高效的D类音频放大器，于接地参考、分离式双电源单端 (SE)设计中发挥200 V eGaN FET器件(EPC2307)的优势，在4Ω负载时，每声道输出功率达700 W。EPC9192是可扩展的模块化设计，其主板配有两个PWM调制器和两个半桥功率级子板，实现具备辅助管理电源和保护功能的双通道放大器。这种设计的灵活性高，使
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GaN FET D类音频放大器
Cascode GaN FET 动态测试面临的挑战 Cascode GaN FET 比其他类型的 GaN 功率器件更早进入市场，因为它可以提供常关操作并具有更宽的栅极驱动电压范围。然而，电路设计人员发现该器件在实际电路中使用起来并不那么容易，因为它很容易发生振荡，并且其器件特性很难测量并获得可重复的提取。许多设计人员在电路中使用大栅极电阻时必须减慢器件的运行速度，这降低了使用快速 GaN 功率器件的优势。图 1 显示了关断时的发散振荡。图 2 显示了导通时的大栅极电压振铃。两者都与图 3 所示的 Cas
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氮化镓 FET
基于氮化镓器件的逆变器参考设计(EPC9193)让您实现具有更高性能的电机系统，其续航里程更长、精度更高、扭矩更大，而且同时降低了系统的总成本。宜普电源转换公司（EPC）近日宣布推出EPC9193，它是使用EPC2619 eGaN®FET的三相BLDC电机驱动逆变器，具有14V~65V的宽输入直流电压范围和两种配置，分别为标准和高电流版本：● EPC9193 是标准参考设计，在每个开关位置使用单个FET，可提供高达30ARMS 的最大输出电流。● EPC91
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氮化镓器件 电动自行车 无人机 机器人 EPC GaN 宜普
SiC 市场的快速扩张主要得益于电动汽车的需求，预计 2023 年市场将比上年增长 60%。
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GaN SiC
Qorvo是一家在射频解决方案领域具有显著影响力的美国公司。它通过提供创新的射频技术，为移动、基础设施与国防/航空航天市场提供核心技术及解决方案，致力于实现全球互联。Qorvo在射频前端模块、滤波器、功率放大器、开关、调谐器等领域都展现出了强大的技术实力和市场地位。它是全球主要的功频放大器供货商，其产品在市场上具有较高的认可度和广泛的应用。这使得Qorvo在推动5G网络、云计算、物联网等新兴应用市场的发展方面发挥了重要作用。在Qorvo所擅长的宽带功率放大器领域之中，GaN材料展露出了重要的应用潜力。由于
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Qorvo GaN 宽带功率放大器
3月20日，春分时期，万物复苏，SEMICON China 2024在上海新国际博览中心拉开了序幕。现场一片繁忙热闹，据悉本次展会面积达90000平方米，共有1100家展商、4500个展位和20多场会议及活动涉及了IC制造、功率及化合物半导体、先进材料、芯车会等多个专区。本次展会中，碳化硅、氮化镓等第三代半导体产业链格外亮眼，据全球半导体观察不完全统计，共有近70家相关企业带来了一众新品与最新技术，龙头企业颇多，材料方面包括Resonac、天域半导体、天岳先进、天科合达等企业，设备端则如晶盛机电、中微公司
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碳化硅 氮化镓 第三代半导体
根据韩国媒体THE ELEC的报导，模拟芯片大厂德州仪器(TI)的一位高层表示，该公司正在将其多个晶圆厂生产的6英寸氮化镓(GaN)芯片，转移到8英寸晶圆厂来生产。报导指出，德州仪器韩国公司经理Jerome Shin在首尔举行的新闻发布会上表示，德州仪器正在达拉斯和日本会津准备兴建8英寸晶圆厂，这将使其能够提供更具价格竞争力的GaN芯片JeromeShin指出，人们普遍认为GaN芯片比碳化硅(SiC)芯片更昂贵，但这种看法自2022年以来发生了转变。因为德州仪器正在将其生产由6英寸晶圆厂转换为8英寸晶圆厂
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德州仪器 氮化镓 模拟芯片
氮化镓(gan)介绍
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