650V 智能电源模块 (IPM)集成了德州仪器的氮化镓 (GaN) 技术,助力家电和暖通空调(HVAC)系统逆变器达到99%以上效率。得益于 IPM 的高集成度和高效率,省去了对外部散热器的需求,工程师可以将解决方案尺寸缩减多达 55%。中国上海(2024 年 6 月 18 日)– 德州仪器 (TI)(纳斯达克股票代码:TXN)推出了适用于 250W 电机驱动器应用的先进 650V 三相 GaN IPM。这款全新的 GaN IPM 解决了工程师在设计大型家用电器及加热、通风和空调 (HVAC) 系统时通
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德州仪器 TI 氮化镓 IPM 智能电源模块
氮化镓功率器件与硅基功率器件的特性不同本质是外延结构的不同,本文通过深入对比氮化镓HEMT与硅基MOS管的外延结构,再对增强型和耗尽型的氮化镓HEMT结构进行对比,总结结构不同决定的部分特性。此外,对氮化镓功率器件的外延工艺以及功率器件的工艺进行描述,加深对氮化镓功率器件的工艺技术理解。在理解氮化镓功率器件结构和工艺的基础上,对不同半导体材料的特性、不同衬底材料的氮化镓HEMT进行对比说明。一、器件结构与制造工艺(一)器件结构对比GaN
HEMT是基于AlGaN/GaN异质结,目前市面上还未出现G
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氮化镓 GaN 结构 制造工艺
6月14日,纯化合物半导体代工厂稳懋半导体(WIN Semiconductors Corp)宣布,公司扩大了其RF
GaN技术组合,推出了基于碳化硅(SiC)的毫米波氮化镓(GaN)技术测试版NP12-0B平台。目前,NP12-0B鉴定测试已经完成,最终建模/PDK生成预计将于2024年8月完成,并计划于2024年第三季度末发布完整的生产版本。据稳懋半导体介绍,该平台的核心是0.12μm栅极RF GaN
HEMT技术,该技术结合了多项改进,以增强直流和射频的耐用性,并增加芯片级防潮性。NP12-0
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纯化合物 半导体 RF GaN
Cambridge GaN Devices (CGD) 是一家无晶圆厂环保科技半导体公司,开发了一系列高能效氮化镓(GaN) 功率器件,致力于打造更环保的电子器件。CGD 正在与全球领先的连接和电源解决方案供应商 Qorvo®(纳斯达克股票代码:QRVO)合作开发 GaN 在电机控制应用中的参考设计和评估套件(EVK)。CGD 旨在加快 GaN 功率 IC 在无刷直流电机(BLDC)和永磁同步电机(PMSM)应用中的使用,打造更高功率、高效、紧凑和可靠的系统。Qorvo在为其PAC5556A高性能 BLD
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CGD 电机控制 GaN
无晶圆厂环保科技半导体公司 Cambridge GaN Devices (CGD) 开发了一系列高能效 GaN 功率器件,致力于打造更环保的电子器件。CGD 今日推出两款新型 ICeGaN™ 产品系列 GaN 功率 IC 封装,它们具有低热阻并便于光学检查。这两种封装均采用经过充分验证的 DFN 封装,坚固可靠。DHDFN-9-1(双散热器DFN)是一种薄的双面冷却封装,外形尺寸仅为10x10 mm,并采用侧边可湿焊盘技术,便于光学检查。它具有低热阻(Rth(JC)),可采用底部、顶部和双侧冷却方式运行,
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CGD 数据中心 逆变器 GaN 功率IC
Cambridge GaN Devices (CGD) 是一家无晶圆厂环保科技半导体公司,开发了一系列高能效 GaN 功率器件,致力于打造更环保的电子器件。CGD 与与中国台湾工业技术研究院(ITRI)签署了谅解备忘录,以巩固为USB-PD适配器开发高性能GaN解决方案的合作伙伴关系、并共享市场信息、实现对潜在客户的联合访问和推广。Andrea Bricconi | CGD 首席商务官“我们很高兴能与ITRI合作,ITRI拥有一个电力解决方案研究团队,在开发电力解决方案方面有着非常丰富的经验
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CGD GaN 电源开发
氮化镓 (GaN) 半导体在 20 世纪 90 年代初首次作为高亮度蓝色发光二极管 (LED) 投入商业应用,随后成为蓝光光盘播放器的核心技术。自此以后虽已取得长足进步,但在将近二十年后,该技术才因其高能效特性而在场效应晶体管 (FET) 上实现商业可行性。氮化镓目前是半导体行业增长最快的细分市场之一,复合年增长率估计在 25% 至 50% 之间,其驱动力来自对能效更高设备的需求,以期实现可持续发展和电气化目标。与硅晶体管相比,氮化镓晶体管可以设计出体积更小、效率更高的器件。氮化镓最初
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ADI 氮化镓 功率元件
作为第三代半导体两大代表材料,SiC产业正在火热发展,频频传出各类利好消息;GaN产业热度也正在持续上涨中,围绕新品新技术、融资并购合作、项目建设等动作,不时有新动态披露。在关注度较高的扩产项目方面,上个月,能华半导体张家港制造中心(二期)项目在张家港经开区再制造基地正式开工建设。据悉,能华半导体张家港制造中心(二期)项目总投资6000万元,总建筑面积约10000平方米,将新建GaN外延片产线。项目投产后,将形成月产15000片6英寸GaN外延片的生产能力。而在近日,又有一个GaN外延片项目取得新进展。5
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碳化硅 氮化镓 化合物半导体
深耕于高压集成电路高能效功率变换领域的知名公司Power Integrations近日宣布达成协议,收购垂直氮化镓(GaN)晶体管技术开发商Odyssey Semiconductor Technologies的资产。这项交易预计将于2024年7月完成,届时Odyssey的所有关键员工都将加入Power Integrations的技术部门。此次收购将为该公司专有的PowiGaN™技术的持续开发提供有力支持。PowiGaN技术已广泛应用于该公司的众多产品系列,包括InnoSwitch™ IC、HiperPFS
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Power Integrations Odyssey 氮化镓 GaN
近日,Transphorm与伟诠电子宣布推出两款新型系统级封装氮化镓(GaN)器件(SiP),与去年推出的伟诠电子旗舰GaN SiP一起,组成首个基于Transphorm SuperGaN平台的系统级封装GaN产品系列。新推出的两款SiP器件型号分别为WT7162RHUG24B和WT7162RHUG24C,集成了伟诠电子的高频多模(准谐振/谷底开关)反激式PWM控制器和Transphorm的150 mΩ和480 mΩ SuperGaN FET。与上一款240 mΩ器件(WT7162RHUG24A)相同,两
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功率半导体 氮化镓 GaN
全球领先的氮化镓(GaN)功率半导体供应商Transphorm, Inc.与适配器USB PD控制器集成电路的全球领导者Weltrend Semiconductor Inc.近日宣布推出两款新型系统级封装氮化镓器件(SiP),与去年推出的伟诠电子旗舰氮化镓 SiP 一起,组成首个基于Transphorm SuperGaN®平台的系统级封装氮化镓产品系列。新推出的两款SiP器件型号分别为WT7162RHUG24B和WT7162RHUG24C,集成了伟诠电子的高频多模(准谐振/谷底开关)反激式PWM控制器和T
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Transphorm 伟诠 SiP氮化镓 氮化镓
《科技日报》19日报导,电子科技大学信息与量子实验室透露,该实验室研究团队近日与北京清华大学、中国科学院上海微系统与信息技术研究所合作,在国际上首次研制出氮化镓量子光源芯片,这也是电子科技大学「银杏一号」城域量子互联网研究平台,取得的又一项重要进展,相关成果发表在《物理评论快报》上。据了解,量子光源芯片是量子互联网的核心器件,可以看作点亮「量子房间」的「量子灯泡」,让互联网使用者拥有进行量子信息交互的能力。研究团队通过迭代电子束曝光和干法刻蚀工艺,攻克了高质量氮化镓晶体薄膜生长、波导侧壁与表面散射损耗等技
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氮化镓 量子光源
据天府绛溪实验室官微消息,近日,电子科技大学信息与量子实验室、天府绛溪实验室量子互联网前沿研究中心与清华大学、中国科学院上海微系统与信息技术研究所合作,在国际上首次研制出氮化镓量子光源芯片,这是电子科技大学“银杏一号”城域量子互联网研究平台取得的又一项重要进展,也是天府绛溪实验室在关键核心技术领域取得的又一创新成果。据悉,研究团队通过迭代电子束曝光和干法刻蚀工艺,攻克高质量氮化镓晶体薄膜生长、波导侧壁与表面散射损耗等技术难题,在国际上首次将氮化镓材料运用于量子光源芯片。目前,量子光源芯片多使用氮化硅等材料
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氮化镓 量子光芯片
D类音频放大器参考设计(EPC9192)让模块化设计具有高功率和高效,从而可实现全定制、高性能的电路设计。宜普电源转换公司(EPC)宣布近日推出EPC9192参考设计,可实现优越、紧凑型和高效的D类音频放大器,于接地参考、分离式双电源单端 (SE)设计中发挥200 V eGaN FET器件(EPC2307)的优势,在4Ω负载时,每声道输出功率达700 W。EPC9192是可扩展的模块化设计,其主板配有两个PWM调制器和两个半桥功率级子板,实现具备辅助管理电源和保护功能的双通道放大器。这种设计的灵活性高,使
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GaN FET D类音频放大器
Cascode GaN FET 动态测试面临的挑战 Cascode GaN FET 比其他类型的 GaN 功率器件更早进入市场,因为它可以提供常关操作并具有更宽的栅极驱动电压范围。然而,电路设计人员发现该器件在实际电路中使用起来并不那么容易,因为它很容易发生振荡,并且其器件特性很难测量并获得可重复的提取。许多设计人员在电路中使用大栅极电阻时必须减慢器件的运行速度,这降低了使用快速 GaN 功率器件的优势。图 1 显示了关断时的发散振荡。图 2 显示了导通时的大栅极电压振铃。两者都与图 3 所示的 Cas
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氮化镓 FET
氮化镓(gan)介绍
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