加州戈利塔—2022年12月1 日--高可靠性、高性能氮化镓(GaN)电源转换产品的先锋企业和全球供货商Transphorm, Inc. (Nasdaq: TGAN)宣布在中国深圳开设新的办事处。作为一家外商独资企业(WFOE)，Transphorm的深圳办事处将负责加强当地客户支持、销售和市场营销工作，另外，该办事处将作为当地支持客户开发氮化镓电源系统的应用实验室，并同时支持全球研发工作。深圳办事处将由Transphorm现任亚洲销售副总裁Kenny Yim管理，他同时也担任中国区总经理一职。Trans
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Transphorm 氮化镓
未来已来，氮化镓的社会经济价值加速到来。 本文介绍了镓未来和纳芯微在氮化镓方面的技术合作方案。 镓未来提供的紧凑级联型氮化镓器件与纳芯微隔离驱动器配合，隔离驱动器保证了异常工作情况下对氮化镓器件的有效保护，完美展现了氮化镓在先进应用中高效率低损耗的核心价值，让工程师放心无忧采用氮化镓。 普通消费者了解并接受氮化镓，是从2018年氮化镓PD快充开始的。凭借氮化镓卓越的开关特性，可以高频工作，实现高转换效率，氮化镓PD快充成功实现了小型化和轻量化，消费者易于携带，用户体验大幅度提升。在过去
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氮化镓 纳芯微 隔离驱动器
【2022年11月24日，德国慕尼黑讯】USB供电（USB-PD）已成为快速充电以及使用统一Type-C连接器为各种移动和电池供电设备供电的主流标准。在最新发布的USB-PD rev 3.1标准中，扩展功率范围（EPR）规格可支持宽输出电压范围和高功率传输。统一化和大功率容量再加上低系统成本的小外型尺寸已成为推动适配器和充电器市场发展的主要驱动力。为了加速这一趋势，英飞凌科技股份公司（FSE代码：IFX / OTCQX代码：IFNNY）推出全新XDP™数字电源XDPS2221。这款用于USB-PD的高度集
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英飞凌 PFC和混合反激式组合IC GaN USB-C EPR适配器
德国时间2022年11月15日，Power Integrations亮相德国慕尼黑电子展，并推出了新款可编程、小巧及高效的零电压开关电源IC——InnoSwitch4-Pro产品系列。了解PI产品的读者肯定会记得，在上一代系列产品InnoSwitch3-Pro中，输出功率为65W，适用于包括USB功率传输(PD)3.0 + PPS、Quick Charge 4/4+、AFC、VOOC、SCP、FCP，以及其他工业和消费类电池充电器、可调光LED镇流器驱
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德国慕尼黑电子展 开关电源IC 氮化镓 InnoSwitch4-Pro
此电源设计最大输出功率为65W，配备1A1C双口输出，单USB-C口输出65W（20V/3.25A），单USB-A口输出；双口同时输出时，C+A同降为5V方案全系列采用双面板、最简化设计理念,尺寸才51X51X31mm！上下两片1.0mm左右厚铜散热既满足EMI又导热好！通标变压器设计，21V效率最高达到93%,驱动与MOS均采用美国安森美半导体技术！►场景应用图►展示板照片►方案方块图►C口支持协议►核心技术优势1.51.5*51.5*31 超小体积 功率密度：1.26cm³/W2. QR架构，COST
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安森美 NCP1342 65W PD GAN 1A1C 超小尺寸PD
11月1-2日，SEMICON China “功率及化合物半导体国际论坛2022”在上海国际会议中心成功举办。共有19位来自功率及化合物半导体产业链领先企业的讲师亲临现场做报告分享。此次论坛重点讨论的主题包括：开幕演讲，化合物半导体与光电及通讯，宽禁带半导体及新型功率器件。SEMI全球副总裁、中国区总裁居龙先生为此次论坛致欢迎词。居龙表示：“在大家的支持下，功率及化合物半导体国际论坛从2016年开始首办，今年已经是第七届。在严格遵守防疫规定的前提下，希望大家能在SEMI的平台上充分交流。不经历风雨，怎么能
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碳化硅 氮化镓 InP
宜普电源转换公司(EPC)推出150 V、6 mΩ EPC2308 GaN FET，让高功率密度应用实现更高的性能和更小的解决方案，包括DC/DC转换、AC/DC SMPS和充电器、太阳能优化器和微型逆变器，以及电机驱动器。 EPC 是增强型氮化镓(eGaN®)功率FET和 IC 领域的全球领导者，新推采用更耐热的QFN封装且可立即发货的150 V EPC2308氮化镓器件，用于电动工具和机器人的电机驱动器、用于工业应用的80 V/100 V高功率密度DC/DC转换器、用于充电器、适配器和电源供
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EPC 氮化镓 高功率密度
据外媒《NBC》报道，近日，晶圆代工厂商格芯（GlobalFoundries）获得3000万美元政府基金，在其佛蒙特州EssexJunction工厂研发和生产GaN芯片。该资金是2022年综合拨款法案的一部分。这些芯片被用于智能手机、射频无线基础设施、电动汽车、电网等领域。格芯称，电动汽车的普及、电网升级改造以及5G、6G智能手机上更快的数据传输给下一代半导体带来需求。格芯总裁兼首席执行官Thomas Caulfield表示，GaN芯片将比前几代芯片能更好地处理高热量和电力需求。Caulfield在一份声
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格芯获 GaN
前言 最近充电头网拿到了一款基于能华CE65H160TOAI氮化镓功率器件的65W笔电适配器方案样品，该方案是为配合工信部国产替代政策而设计。 该方案采用奶白色的外壳，方形，给人简约时尚感觉；其内部采用卡扣散热设计方案，装配紧凑牢固、安装方式简单，免除其它散热方案所需要的生产夹具，降低生产成本，利于规模化的生产制造；再加上能华的低热阻封装TO-220的CoreGaN产品，使得系统的热可靠性大为提高，已经通过了环温40°下的严苛可靠性测试。下面就随小编来详细了解该方案。 能华65W快充外观 能华
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EPC9176是一款基于氮化镓器件的逆变器参考设计，增强了电机驱动系统的性能、续航能力、精度和扭矩，同时简化设计。该逆变器尺寸极小，可集成到电机外壳中，从而实现最低的EMI、最高的功率密度和最轻盈。 宜普电源转换公司（EPC）宣布推出EPC9176。这是一款三相BLDC电机驱动逆变器，采用EPC23102 ePower™ 功率级GaN IC，内含栅极驱动器功能和两个具有5.2 mΩ典型导通电阻的GaN FET。EPC9176在20 V和80 V之间的输入电源电压下工作，可提供高达28 Apk(2
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NCP1345是次世代高度集成的准共振Flyback, 适用于设计高性能电源转换器为了单纯adapter 或 adapter with USB-PD (type−C or type-A) , 或 openframe 等电源转换器, 包括双 VCC 架构, 允许直接连接到辅助绕组, 以进行简化 VCC 管理零件计数减少并增加性能。CP1345 还具有精确的基于主要一次侧的输出限制电路，以确保恒定输出电流限制,无论设计输出电压或输出功率如何。准共振 (QR）专有波谷锁定电路，以确保稳定的波谷切换,当下降到第6
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现阶段硅元件的切换频率极限约为65~95kHz，工作频率再往上升，将会导致硅MOSFET耗损、切换损失变大；再者Qg的大小也会影响关断速度，而硅元件也无法再提升。因此开发了由两种或三种材料制成的化合物半导体GaN氮化镓和SiC碳化硅功率电晶体，虽然它们比硅更难制造及更昂贵，但也具有独特的优势和优越的特性，使得这些器件可与寿命长的硅功率LDMOS MOSFET和超结MOSFET竞争。GaN和SiC器件在某些方面相似，可以帮助下一个产品设计做出更适合的决定。 GaN氮化镓是最接近理想的半导体开关的器
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GaN 氮化镓 SiC 碳化硅 NCP51561 onsemi
氮化镓 (GaN) 是需要高频率工作（高 Fmax）、高功率密度和高效率的应用的理想选择。与硅相比，GaN 具有达 3.4 eV 的 3 倍带隙，达 3.3 MV/cm 的 20 倍临界电场击穿，达 2,000 cm2/V·s 的 1.3 倍电子迁移率，这意味着与 RDS(ON) 和击穿电压相同的硅基器件相比，GaN RF 高电子迁移率晶体管（HEMT）的尺寸要小得多。因此，GaN RF HEMT 的应用超出了蜂窝基站和国防雷达范畴，在所有 RF 细分市场中获得应用。其中许多应用需要很长的使用寿
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硅材料制作的功率器件，也被称为第一代半导体，而砷化镓（GaAs）等材料制作的功率器件，则被成为第二代半导体，第二代半导体在高频性能上优于硅器件，通常用于射频应用。氮化镓（GaN）或碳化硅（SiC）器件也被成为第三代半导体，其禁带宽度约是硅器件的3倍，击穿场强约是硅器件的10倍，因而具有更高的耐压能力以及更低的导通压降，转换效率高，也更适应高温工作环境。与硅材料和SiC相比，GaN材料电子饱和漂移速率更高，适合高频率应用场景，因而在电力电子应用中，GaN器件可以在MHz以上频率工作，大大减小了对外围电路中电
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氮化镓 (GaN) 是电力电子行业的热门话题，因为它可以使得 80Plus 钛电源、3.8kW/L 电动汽车 (EV) 车载充电器和 EV 充电站等设计得以实现。在许多应用中， GaN 能够提高功率密度和效率，因此它取代了传统的硅金属氧化物半导体场效应晶体管 (MOSFET)。但由于 GaN 的电气特性和它所能实现的性能，使用 GaN 进行设计面临与硅不同的一系列挑战。不同类型的 GaN FET 具有不同的器件结构。GaN FET 包括耗尽型 (d-mode)、增强型 (e-mode)、共源共栅型 (ca
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氮化镓(gan)介绍
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