高可靠性、高性能氮化镓(GaN)电源转换产品的先驱和全球供应商Transphorm, Inc. 近日宣布推出七款参考设计，旨在加快基于氮化镓的USB-C PD电源适配器的研发。该参考设计组合包括广泛的开放式框架设计选项，覆盖多种拓扑结构、输出和功率（45W至140W）。SuperGaN®技术的差异化优势 电源适配器参考设计采用SuperGaN第IV代650V FET，具有设计简单、可靠性高和性能强劲的优势，这些特点已经成为Transphorm氮化镓器件的代名词。在最近的对比分析中，与1
关键字：
Transphorm 氮化镓
提供超丰富半导体和电子元器件™的业界知名新品引入 (NPI) 分销商贸泽电子 (Mouser Electronics, Inc.) 即日起开始分销GaN Systems的GS-EVB-HB-0650603B-HD半桥双极驱动开关评估板。这种紧凑的氮化镓 (GaN) 增强模式 (e-mode) 半桥评估板性能优异，同时减少了组件总数，节省了宝贵的电路板空间。 贸泽电子分销的GaN Systems GS-EVB-HB-0650603B-HD板具有两个HEY1011-L12C GaN FET驱动器和两
关键字：
贸泽电子 GaN 半桥双极驱动开关
移动应用、基础设施与航空航天、国防应用中 RF 解决方案的领先供应商 Qorvo®, Inc.（纳斯达克代码：QRVO）今日宣布推出 ACT41000-104-REF1，这是一款 GaN 功率放大器 (PA) 偏置参考设计，可加强 Qorvo GaN PA 的设计与测试。GaN 器件是耗尽型 FET，运行时需要施加负栅极电压。在使用 GaN PA 的系统中，需要以特定的顺序进行偏置：提高漏极偏置电压之前，必须施加负栅极电压，以保护器件免受损坏。Qorvo 的 ACT41000-104-REF1 内置可配置
关键字：
GAN PA
1 回顾：GAN里的两个角色在上一期里，详细介绍了 GAN( 生成对抗网 ) 里的
两个角色：生成者 (generator) 和判别者 (discriminator)。
其中的生成者，又称为创新者，而判别者又称为鉴赏者。
在常见的图像绘画领域，其典型的协同创新模式是：
G( 创新者 ) 负责创作图片；而 D( 鉴赏者 ) 负责辨别一
张图像的真或假，然后引领 G 逐步改进，止于完美逼
近目标。上述的 GAN 协同创新模式，属于 AI 机器与机器之
间的协同合作或创新。然而，在 AI 科技不断
关键字：
202206 GAN 人机协同
宜普电源转换公司（EPC）新推线上论坛，为工程师提供产品信息、答疑解难和分享採用氮化镓技术的应用现状和发展趋势。宜普电源转换公司宣布新推"GaN Talk支持论坛"，为工程师提供产品信息和技术支持，从而了解氮化镓（GaN）技术的应用现状和发展趋势。该论坛专为工程师、工程专业学生和所有氮化镓技术爱好者而设，为用户答疑解难和提供互相交流的平台。提问可以用主题类别、热门话题或最新帖子搜索。除了提问外，用户还可以在论坛使用帖子中的"分享"链接参看所有之前的提问和反馈。此外，
关键字：
GaN 宜普
5G 通信正在改变我们的生活，同时也在促进产业数字化转型，为工业、汽车和消费电子等行业提供了巨大的应用想象空间与市场机会，例如实现创建人与机器人和谐共存的环境，高质量医疗，并且加速实现安全的自动驾驶汽车，等等。● 打造未来智能工厂——5G 无线网络可以帮助工厂实现更高的可靠性，例如缩短延迟时间、提高生产效率。在人与机器人共存的世界里，更强的连接可以改善人机互动，并降低事故风险。● 提供高质量的医疗服务——通用5G 连接可以借助可穿戴生物传感器对患者实施远程监测，进行生命体征检测，并将信息传输给基于云的诊断
关键字：
202206 毫米波 5G GAN
5G 受到追捧是有充足的理由的。根据CCS Insight 的预测，到2023 年，5G 用户数量将达10 亿；2022 年底，5G蜂窝基础设施将承载近15％的全球手机流量。高能效、尺寸紧凑、低成本、高功率密度和高线性度是5G 基础设施对射频半导体器件的硬性要求。对于整个第三代半导体技术，尤其是氮化镓（GaN），5G 开始商用是一大利好。与硅、砷化镓、锗、甚至碳化硅器件相比，GaN 器件的开关频率、输出功率和工作温度更高，适合1-110 GHz的高频通信应用，涵盖移动通信、无线网络、点对点和点对多点微波通
关键字：
202206 第三代半导体 GaN
基于氮化镓器件的逆变器参考设计EPC9173无论是在尺寸、性能、续航里程、精度和扭矩方面，优化了电机系统且简化设计和加快产品推出市场的时间。我们可以把这种微型逆变器放进电机外壳中，从而把电磁干扰减到最小、实现最高的功率密度和最轻的重量。宜普电源转换公司（EPC）宣布推出EPC9173，它是一款三相无刷直流电机驱动逆变器，采用具备嵌入式栅极驱动器功能的EPC23101 eGaN®集成电路和一个3.3 mΩ导通电阻的浮动功率氮化镓场效应晶体管。EPC9173在20 V和85 V之间的输入电源电压下工作，峰值电
关键字：
氮化镓 电机
宜普电源转换公司（EPC）新推40 V、1.1 mΩ的氮化镓场效应晶体管（EPC2066），为设计工程师提供比硅MOSFET更小、更高效的器件，用于高性能、占板面积受限的应用。全球行业领先供应商宜普电源转换公司 为业界提供增强型氮化镓（eGaN®）功率场效应晶体管和集成电路，新推40 V、典型值为0.8 mΩ的EPC2066氮化镓场效应晶体管，为客户提供更多可选的低压氮化镓晶体管和可以立即发货。EPC2066的低损耗和小尺寸使其成为用于最新服务器和人工智能的高功率密度、40 V~60 V/12 V DC/
关键字：
氮化镓 场效应晶体管
德州仪器(TI)副总裁暨台湾、韩国与南亚总裁李原荣，26日于2022 COMPUTEX Taipei论坛中表示，TI将协助客户充分发挥氮化镓（GaN）技术的潜力，以实现更高的功率密度和效率。李原荣今日以「数据中心正在扩建 – 以氮化镓技术实现更高效率」为题，分享设计工程师如何利用TI 氮化镓技术为数据中心达成体积更小、更高功率密度的解决方案。李原荣表示，随着各产业领导者期盼透过数据中心实现技术创新，从而也提高了运算能力的需求，TI希望协助客户充分发挥氮化镓技术的潜力，以实现更高的功率密度和效率。他也强调，
关键字：
TI GaN 数据中心 能源效率
深耕于高压集成电路高能效功率变换领域的知名公司Power Integrations近日宣布InnoSwitch™4-CZ系列高频率、零电压开关(ZVS)反激式开关IC再添新品。当与Power Integrations的ClampZero™有源钳位IC或者最近发布的HiperPFS™-5氮化镓功率因数校正IC搭配使用时，新IC可轻松符合最新的USB PD 3.1标准，设计出高达220W的适配器和充电器。“商务旅行者需要轻便、紧凑、强大的适配器，能够为他们所有的重要设备快速充电。新型InnoSwitch4-C
关键字：
开关 氮化镓 Power Integrations InnoSwitch4-CZ 开关IC
基础半导体器件领域的高产能生产专家Nexperia近日宣布与国际著名的为汽车行业提供先进电子器件的供应商KYOCERA AVX Components (Salzburg) GmbH建立合作关系，携手研发车规氮化镓(GaN)功率模块。双方长期保持着紧密的联系，此次进一步合作的目标是共同开发GaN功率器件在电动汽车(EV)上的应用。随着客运车辆日益电气化，市场对功率半导体的要求也在不断提高，需要在越来越高的功率密度下提供高效的功率转换。高压功率氮化镓场效应晶体管(GaN FET)与创新型封装技术相结合，可以满
关键字：
Nexperia KYOCERA 氮化镓 功率模块
1 GAN与NFT的结合在上一期里，我们说明了天字第一号模型：分类器。接着本期就来看看它的一项有趣应用：GAN(generative adversarial networks，生成对抗网络)。自从2014 年问世以来，GAN 在电脑生成艺术(generative art) 领域，就开始涌现了许多极具吸引力的创作和贡献。GAN 如同生成艺术的科技画笔，使用GAN 进行创作特别令人振奋，常常创作出很特别的效果，给人们许多惊喜的感觉，例如图1。 图1近年来，非同质化代币NFT(
关键字：
202205 生成对抗网路 GAN
● 产品达到成本和性能双重目标，现进入认证测试阶段● 实现弹性量产和供货取得巨大进展服务多重电子应用领域、全球排名前列的半导体公司意法半导体(STMicroelectronics，简称ST)和世界排名前列的电信、工业、国防和数据中心半导体解决方案供应商MACOM技术解决方案控股有限公司(以下简称“MACOM”) 宣布，射频硅基氮化镓(RF GaN-on-Si)原型芯片制造成功。基于这一成果，意法半导体和MACOM将继续携手，深化合作。射频硅基氮化
关键字：
射频 氮化镓
在这篇文章里，imec氮化镓电力电子研究计划主持人Stefann Decoutere探讨在200V GaN-on-SOI智能功率芯片（IC）平台上，整合高性能萧基二极管与空乏型高电子迁移率晶体管（HEMT）的成功案例。该平台以p型氮化镓（GaN）HEMT制成，并成功整合多个GaN组件，将能协助新一代芯片扩充功能与升级性能，推进GaN功率IC的全新发展。同时提供DC/DC转换器与负载点（POL）转换器所需的开发动能，进一步缩小组件尺寸与提高运作效率。电力电子半导体的最佳解答：氮化镓（GaN）过去
关键字：
氮化镓 功率电路
氮化镓(gan)介绍
您好，目前还没有人创建词条氮化镓(gan)!
欢迎您创建该词条，阐述对氮化镓(gan)的理解，并与今后在此搜索氮化镓(gan)的朋友们分享。
创建词条
关于我们 -
广告服务 -
企业会员服务 -
网站地图 -
联系我们 -
征稿 -
友情链接 -
手机EEPW
Copyright ©2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《电子产品世界》杂志社 版权所有 北京东晓国际技术信息咨询有限公司
京ICP备12027778号-2 北京市公安局备案：1101082052 京公网安备11010802012473
京ICP备12027778号-2 北京市公安局备案：1101082052 京公网安备11010802012473