提起康佳这个品牌,相信很多人第一印象都会想到电视机。不过近些年由于市场竞争的家居,康佳电视的风光程度也大不如从前。不过康佳也早有未雨绸缪,从家电行业转进半导体芯片市场的不止格力电器一家,康佳公司这两年也开始布局芯片市场。并且成果渐显,首款存储芯片实现量产引发多方关注。康佳入场芯片领域康佳集团于1992年上市,曾是中国彩电和手机行业的龙头公司,拥有消费多媒体、移动通信、信息网络和相关配套器件等产业板块。2018年5月,康佳宣布由家电企业转型为以科技创新驱动的投资平台,同时成立了半导体科技事业部,正式进军芯片
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氮化镓
移动应用、基础设施与航空航天、国防应用中 RF 解决方案的领先供应商Qorvo®, Inc.近日推出全球性能最高的宽带功率放大器 (PA)--- TGA2962。Qorvo今天推出的这款功率放大器是专为通信应用和测试仪表应用而设计，拥有多项性能突破：它能够在 2-20 GHz 的频率范围提供业界领先的 10 瓦 RF 功率以及 13dB 大信号增益和 20-35% 的功率附加效率。这种组合为系统设计人员带来提高系统性能和可靠性所需的灵活性，同时减少了元件数量、占用空间和成本。Qorvo 高性能解决方案业务
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GaN 功率放大器
奈梅亨，2020年2月25日：分立器件、MOSFET器件、GaN FET器件及模拟和逻辑器件领域的生产专家Nexperia宣布与知名汽车工程咨询公司Ricardo合作，以研制基于氮化镓(GaN)技术的EV逆变器技术演示器。 GaN是这些应用的首选功率器件，因为GaN FETs使系统以更低的成本达到更高的效率、更好的热性能和更简单的开关拓扑。在汽车领域，这意味着车辆行驶里程更长，而这正是所有电动汽车消费者最关心的问题。现在，GaN即将取代基于硅的IGBT和SiC，成为插电式混合动力汽车
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Nexperia GaN EV逆变器
加快先进功率氮化镓解决方案的开发和上市；充分利用意法半导体的汽车市场专业知识和台积电的世界领先的制造技术；改进宽带隙产品的能效，使功率转换应用获得更高能效。
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ST TSMC 氮化镓
小米集团和纳微（Navitas）宣布，其GaNFast充电技术已被小米采用，用于旗舰产品Mi 10 PRO智能手机。 小米董事长兼首席执行官雷军先生在2月13日的小米在线新闻发布会上宣布了此消息。 GaNFast功率IC使用氮化镓（GaN），这是一种新的半导体材料，其运行速度比以前的硅（Si）电源芯片快100倍，因此仅需45分钟即可对Mi 10 PRO进行0至100％的充电。
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小米 GaN 纳微半导体
近日，分立、逻辑和 MOSFET 器件的专业制造商Nexperia，今天推出650V的功率器件GAN063-650WSA，宣布其进入氮化镓场效应管(GaN)市场。这款器件非常耐用，栅极电压 (VGS) 为 +/- 20 V，工作温度范围为 -55 至 +175 °C。GAN063-650WSA的特点是低导通电阻（最大RDS(on) 仅为 60 mΩ）以及快速的开关切换；效率非常高。Nexperia氮化镓器件的目标是高性能要求的应用市场，包括电动汽车、数据中心、电信设备、工业自动化和高端电源。Nexperi
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Nexperia GaN FET 氮化镓功率器件 MOSFET 器件
各行业所需高温半导体解决方案的领导者CISSOID近日宣布：在湖南株洲举行的中国IGBT技术创新与产业联盟第五届国际学术论坛上，公司与湖南国芯半导体科技有限公司（简称“国芯科技”）签署了战略合作协议，将携手开展宽禁带功率技术的研究开发，充分发挥其耐高温、耐高压、高能量密度、高效率等优势，并推动其在众多领域实现广泛应用。近年来，宽禁带半导体功率器件（如碳化硅SiC和氮化镓GaN等）凭借多方面的性能优势，在航空航天、电力传输、轨道交通、新能源汽车、智能家电、通信等领域开始逐渐取代传统硅器件。然而，在各类应用中
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IGBT SiC GaN
美国加利福尼亚州圣何塞，2019年7月25日讯– 深耕于高压集成电路高能效功率转换领域的知名公司Power Integrations（纳斯达克股票代号：POWI）今日发布InnoSwitch™3系列恒压/恒流离线反激式开关电源IC的新成员。新IC可在整个负载范围内提供95%的高效率，并且在密闭适配器内不使用散热片的情况下可提供100 W的功率输出。这一突破性的性能提升源自内部开发的高压氮化镓开关技术。准谐振模式的InnoSwitch3-CP、InnoSwitch3-EP和InnoSwitch3-Pro I
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Power Integrations 氮化镓 InnoSwitch3 AC-DC变换器IC
全球SiC晶圆市场规模约为8千多亿美元，SiC晶圆与GaN on SiC磊晶技术大厂Cree为求强化自身功率及射频元件研发能力，决议2019年5月于美国总部北卡罗莱纳州特勒姆市，扩建1座先进自动化8寸SiC晶圆生产工厂与1座材料超级工厂(Mega Factory)，期望借此扩建案，提升Cree在SiC晶圆上的生产尺寸与提升晶圆使用市占，并提供GaN on SiC先进磊晶技术进一步应用于功率及射频元件中。
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Cree 射频 GaN on SiC磊晶技术
5G时代即将来临，有观点认为第二代砷化镓芯片面临被取代的命运，甚至有许多砷化镓厂商宣称早已跨进第三代...
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科创板 OLED 开源 射频 5G 氮化镓
两年多前，德州仪器宣布推出首款600V氮化镓（GaN）功率器件。该器件不仅为工程师提供了功率密度和效率，且易于设计，带集成栅极驱动和稳健的器件保护。从那时起，我们就致力于利用这项尖端技术将功率级尽可能提高（和降低）。氮化镓在任何功率级别都很关键。工程师正努力提高切换速度、效率和可靠性，同时减小尺寸、重量和元件数量。从历来经验来看，您必须至少对其中的部分因素进行权衡，但德州仪器正通过所有这些优势实现设计，同时通过在一个封装中进行复杂集成来节省系统级成本，并减少电路板元件数量。从将PC适配器的尺寸减半，到为并
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德州仪器 600V氮化镓（GaN）功率器件
MACOM Technology Solutions Holdings公司(纳斯达克股票代码:MTSI)
(以下简称“MACOM”)和意法半导体(纽约证券交易所股票代码:STM))(以下简称“ST”)于25日宣布，将在2019年扩大ST工厂150mm
硅基GaN的产能，200mm硅基GaN按需扩产。该扩产计划旨在支持全球5G电信网建设，基于2018年初 MACOM和ST宣布达成的广泛的硅基GaN协议。 随着全球推出5G网络并转向大规模MIMO(M-MIMO)天线配置，射频RF功率产品需求预计
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MACOM GaN
据业内人士透露，作为芜湖大院大所合作的重点项目，国产化5G通信芯片用最新一代碳化硅衬底氮化镓材料试制成功，打破国外垄断。这标志着今后国内各大芯片企业生产5G通信芯片，有望用上国产材料。
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碳化硅 氮化镓 5G
全球领先的半导体解决方案供应商MACOM Technology Solutions Inc. (“MACOM”)
宣布推出全新MAMG-100227-010宽带功率放大器 (PA) 模块，扩展其硅基氮化镓 (GaN-on-Si) 功率放大器 (PA)
产品组合。该宽带PA模块经过优化改良，适用于陆地移动无线电系统(LMR)、无线公共安全通信以及军事战术通信和电子对抗 (ECM)
领域。MAMG-100227-010 PA模块兼具50Ω 全匹配、
两级PA架构的高效设计，以及顶端和底端安
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MACOM GaN
目前，氮化镓(GaN)技术已经不再局限于功率应用，其优势也在向射频/微波行业应用的各个角落渗透，而且对射频/微波行业的影响越来越大，不容小觑。因为它可以实现从太空、军用雷达到蜂窝通信的应用。虽然GaN通常与功率放大器(PA)相关度很高，但它也有其他用例。自推出以来，GaN的发展历程令人瞩目，随着5G时代的到来，它可能会更加引人关注。
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GaN RF
氮化镓(gan)介绍
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