- 众人皆知，由于半导体制程的不断精进，数位逻辑晶片的电晶体密度不断增高，运算力不断增强，使运算的取得愈来愈便宜，也愈来愈轻便，运算力便宜的代表是微电脑、个人电脑，而轻便的成功代表则是笔电、智慧型手机、平板。
GaN、SiC、Si电源配接电路比较图 (source：www.nedo.go.jp)
不过，姑且不论摩尔定律(Moors’ Law)能否持续下去，有些电子系统的轻便度仍待改进提升，例如笔电出门经常要带着一个厚重占体积的电源配接器(Power Ad
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GaN SiC
- 当诺贝尔奖委员会在2014年宣布物理奖得主是发明蓝光LED而得奖的日本学者赤崎勇、天野浩与中村修二三位学者后，掀起日本人对LED及氮化镓(GaN)注意，也让相关研究单位及研究计划获得更多的支持与关注。
比方2015年以诺贝尔奖得主天野浩带头的新单位─名古屋大学GaN联盟，便有29家企业、14所大学、与2个技术研发基金会加入;日本产业技术总和研究所(AIST)与名古屋大学(NagoyaUniversity)合作，在2016年成立产总研名大氮化镓半导体先进零组件开创研究实验室(GaN-OIL)，都是
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GaN LED
- 当诺贝尔奖委员会在2014年宣布物理奖得主是发明蓝光LED而得奖的日本学者赤崎勇、天野浩与中村修二三位学者后，掀起日本人对LED及氮化镓(GaN)注意，也让相关研究单位及研究计划获得更多的支持与关注。
比方2015年以诺贝尔奖得主天野浩带头的新单位─名古屋大学GaN联盟，便有29家企业、14所大学、与2个技术研发基金会加入;日本产业技术总和研究所(AIST)与名古屋大学(Nagoya University)合作，在2016年成立产总研名大氮化镓半导体先进零组件开创研究实验室(GaN-OIL)，都
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GaN 蓝光LED
- 当前，全球半导体产业正处于深度变革，化合物半导体成为产业发展新的关注点，我国应加紧产业布局，抢占发展的主动权。
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GaAs GaN
- 台湾台积电(TSMC)在“ISPSD 2016”上公开了受托生产服务的蓝图及试制元件的特性等。该公司将采用在直径150mm(6英寸)的硅基板上形成GaN层的“硅基氮化镓”(GaN on Si)技术生产GaN晶体管。
台积电打算开展受托生产的GaN晶体管有三种类型：(1)常开型(Normal On)MISFET、(2)常开型HEMT、(3)常关型(Normal Off)。按耐压高低来分有40V、100V和650V产品。
其中，耐压650V的常关
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台积电 GaN
- 移动应用、基础设施与航空航天、国防等应用中领先的RF解决方案供应商Qorvo, Inc.今日宣布，推出六款全新50V氮化镓(GaN)晶体管---QPD1009和QPD1010，以及QPD1008(L)和QPD1015(L)，专门设计用于优化商业用雷达、通信系统及航空电子应用的功率性能。
Qorvo 国防与航空航天产品总经理Roger Hall表示：“全新50V GaN晶体管系列通过提供更高功率增益和功率附加效率来提升系统性能。Qorvo可以更好地实现相位阵列雷达等先进设备的要求，提供
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Qorvo GaN
- 氮化镓 (GaN) 技术由于其出色的开关特性和不断提升的品质，近期逐渐得到了电力转换应用的青睐。具有低寄生电容和零反向恢复的安全GaN可实现更高的开关频率和效率，从而为全新应用和拓扑选项打开了大门。连续传导模式 (CCM)图腾柱PFC就是一个得益于GaN优点的拓扑。与通常使用的双升压无桥PFC拓扑相比，CCM图腾柱无桥PFC能够使半导体开关和升压电感器的数量减半，同时又能将峰值效率推升到95%以上。本文分析了AC交叉区域内出现电流尖峰的根本原因，并给出了相应的解决方案。一个750W图腾柱PFC原型机被
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GaN PFC
- 基于数十年的电源管理创新经验，德州仪器(TI)近日宣布推出一款600V氮化镓(GaN)70 mÙ场效应晶体管(FET)功率级工程样片，从而使TI成为首家，也是唯一一家能够向公众提供集成有高压驱动器的GaN解决方案的半导体厂商。与基于硅材料FET的解决方案相比，这款全新的12A LMG3410功率级与TI的模拟与数字电力转换控制器组合在一起，能使设计人员创造出尺寸更小、效率更高并且性能更佳的设计。而这些优势在隔离式高压工业、电信、企业计算和可再生能源应用中都特别重要。如需了解更多信息
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TI GaN
- 氮化镓(GaN)是一种新兴的半导体工艺技术，提供超越硅的多种优势，被称为第三代半导体材料，用于电源系统的设计如功率因数校正(PFC)、软开关DC-DC、各种终端应用如电源适配器、光伏逆变器或太阳能逆变器、服务器及通信电源等，可实现硅器件难以达到的更高电源转换效率和更高的功率密度水平，为开关电源和其它在能效及功率密度至关重要的应用带来性能飞跃。 GaN的优势 从表1可见，GaN具备出色的击穿能力、更高的电子密度及速度，和更高的工作温度。GaN提供高电子迁移率，这意味着开关过程的反向恢复时间可忽略不计
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安森美 GaN
- 英国雪菲尔大学(SheffieldUniversity)的一支研究团队最近在《应用物理学快报》(AppliedPhysicsLetter)期刊上发布在半极性氮化镓(GaN)或蓝宝石基材上生长LED的最新成果。
利用在M-Plane蓝宝石基板上生长的GaN制造的微柱阵列模板，研究人员能在其上过度生长的半极性GaN(11-22)上生长出具有更高量子效益的LED。
相较于在C-Plane蓝宝石基板上生长的商用LED，该研究团队在半极性材料上所生长的绿光LED显示发光波长的蓝位移随着驱动电流增加而
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GaN LED
- 英国雪菲尔大学(Sheffield University)的一支研究团队最近在《应用物理学快报》(Applied Physics Letter)期刊上发布在半极性氮化镓(GaN)或蓝宝石基材上生长LED的最新成果。 利用在M-Plane蓝宝石基板上生长的GaN制造的微柱阵列模板，研究人员能在其上过度生长的半极性GaN(11-22)上生长出具有更高量子效益的LED。 相较于在C-Plane蓝宝石基板上生长的商用LED，该研究团队在半极性材料上所生长的绿光LED显示发光波
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GaN LED
- 氮化镓技术因其在低功耗、小尺寸等特性设计上的独特优势和成熟规模化的生产能力，近年来在功率器件市场大受欢迎。在前不久举办的EEVIA第五届ICT技术趋势论坛上，这个主题受到国内媒体的集体“围观”。富士通电子元器件高级市场经理蔡振宇(Eric)的“氮化镓产品主要的应用场景和未来的趋势”主题分享，将富士通电子旗下代理产品线Transphorm公司独特GaN技术和产品方案第一次带到中国媒体面前，采用创新的Cascode结构的HEMT高压产品让Transphorm在氮化镓功率表技术领域剑走偏锋，成为该阵营的领头
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富士通 氮化镓
- 由美国波音公司和通用汽车公司拥有的研发实验室-HRL实验室已经宣布其实现互补金属氧化物半导体(CMOS)FET技术的首次展示。该研究结果发表于2016年1月6日的inieee电子器件快报上。
在此过程中，该实验室已经确定半导体的卓越晶体管性能可以在集成电路中加以利用。这一突破为氮化镓成为目前以硅为原材料的电源转换电路的备选技术铺平了道路。
氮化镓晶体管在电源开关和微波/毫米波应用中有出色的表现，但该潜力还未用于集成功率转换。“除非快速切换GaN功率晶体管在电源电路中故意放缓，否
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GaN 场效应晶体管
- 第五届EEVIA年度中国ICT媒体论坛暨2016产业和技术展望研讨会 时间：2016.01.14 下午 地点：深圳南山软件创业基地 IC咖啡 演讲主题: 新型GaN功率器件的市场应用趋势 演讲嘉宾: 蔡振宇 富士通电子元器件市场部高级经理 主持人：接下来开始第三场演讲。大家知道无论消费电子产品还是通讯硬件、电动车以及家用电器，提升电源的转换能效、功率密度、延长电池使用的时间，这已经是比较大的挑战了。所有这一切都意味着电子产业会越来越依赖新型功
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GaN 功率器件
- 宜普电源转换公司(EPC)增加合共九个教程单元的教学视频系列，扩大它的视频资源以拓展氮化镓技术的知识库，为功率系统设计工程师提供高级技术教程，包括应用范例，教授如何使用氮化镓晶体管及集成电路设计出更高效的功率转换系统。 除了为工程师提供氮化镓晶体管的设计基础及可靠性数据外，本视频系列教授如何把开发板转化为实用的原型。此外，该系列提供氮化镓晶体管在广泛的功率电子应用中的实用范例，包括面向电信及数据通信系统的DC/DC转换，以及关于采用氮化镓器件的无线充电应用的两个视频。 氮化镓(GaN)高级学习视频
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宜普 氮化镓
氮化镓(gan)介绍
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