技术创新的射频解决方案领导厂商TriQuint半导体公司(纳斯达克代码：TQNT)，日前发布了新型氮化镓 (GaN) 集成功率倍增器，为快速增长的有线电视基础构架提供了优异的性能。
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TriQuint 氮化镓 倍增器
在未来十年，受电源、光伏(PV)逆变器以及工业电动机的需求驱动，新兴的碳化硅(SiC)和氮化镓(GaN)功率半导体市场将以18%的惊人速度稳步增长。
据有关报告称，至2022年SiC和GaN功率半导体的全球销售额将从2012年的1.43亿美元增加到28亿美元。据预测，未来十年这一市场的销售额将实现两位数的年增长率。
SiC肖特基二极管已存在十多年，SiC金氧半场效晶体管(MOSFET)、结晶性场效应晶体管(JFET)和双极型晶体管(BJT)在最近几年出现。GaN功率半导体则刚刚进入市场。G
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GaN 半导体 SiC
在未来十年，受电源、光伏(PV)逆变器以及工业电动机的需求驱动，新兴的碳化硅(SiC)和氮化镓(GaN)功率半导体市场将以18%的惊人速度稳步增长。
据有关报告称，至2022年SiC和GaN功率半导体的全球销售额将从2012年的1.43亿美元增加到28亿美元。据预测，未来十年这一市场的销售额将实现两位数的年增长率。
SiC肖特基二极管已存在十多年，SiC金氧半场效晶体管(MOSFET)、结晶性场效应晶体管(JFET)和双极型晶体管(BJT)在最近几年出现。GaN功率半导体则刚刚进入市场。G
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GaN 半导体 SiC
因照明用LED需求大增，三菱化学计划在2014年初将LED用氮化镓(GaN)基板产能扩增至现行的2-3倍。
目前，三菱化学利用水岛事业所和筑波事业所生产的GaN基板，生产的产品直径为2寸，月产能分别为1,000片、数百片。
而为了要达到稳定获利的水平，有必要将产品尺寸扩大至4-6寸，所以，三菱化学计划借由调整水岛事业所现有设备的制程，开始生产直径为4寸的GaN基板，月产能为200-300片，并计划凭借新设生产设备或增设厂房等措施，开始生产6寸GaN基板，将GaN基板产能扩增至现行的2-3倍
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LED GaN
上海，2012年11月20日 –富士通半导体(上海)有限公司今日宣布采用其基于硅基板的氮化镓 (GaN) 功率器件的服务器电源单元成功实现2.5kW的高输出功率，富士通半导体计划将于2013年下半年开始量产这些GaN功率器件。这些器件可广泛用于电源增值应用，对实现低碳社会做出重大贡献。
与传统硅基功率器件相比，基于GaN的功率器件具有导通电阻低和能够进行高频操作等特性。而这些特性恰恰有利于提高电源单元转换效率，并使电源单元更加紧凑。富士通半导体计划在硅基板上进行GaN功率器件的商业化
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富士通 功率器件 GaN
富士通半导体(上海)有限公司日前宣布采用其基于硅基板的氮化镓 (GaN) 功率器件的服务器电源单元成功实现2.5kW的高输出功率，富士通半导体计划将于2013年下半年开始量产这些GaN功率器件。这些器件可广泛用于电源增值应用，对实现低碳社会做出重大贡献。
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富士通 功率器 GaN
电子产品世界,为电子工程师提供全面的电子产品信息和行业解决方案,是电子工程师的技术中心和交流中心,是电子产品的市场中心,EEPW 20年的品牌历史,是电子工程师的网络家园
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直流 18GHz 氮化镓 TriQuint
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智能手机 功放 最佳效率 TD-LTE GaN
增强型氮化镓电源管理器件的供应商宜普电源转换公司(Efficient Power Conversion)日前宣布，WiTricity™公司开发出采用高频氮化镓(eGaN®)的无线电源展示系统。
WiTricity™公司的无线电源展示系统内含宜普公司的具高频开关性能的氮化镓晶体管，该氮化镓晶体管所具备的性能可以在高频、高压及高功率情况下有效率地工作。
WiTricity™的创始人发明了具非常高的共振频率的无线电源传送。WiTricity&trade
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无线充电 氮化镓
目前，世界范围内在GaN基高亮度LED及半导体全固态照明光源的研发方面居于领先水平的公司主要有：美国的Lumileds、HP/Agilent和Cree,日本的Nichia、ToyodaGosei、Sony、Toshiba和其他综合性大公司(如NEC、Matsushita、
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LED 氮化镓 高亮度 分析
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GaN 恩智浦 氮化镓 射频功率晶体管
科锐公司(Nasdaq: CREE)宣布推出具有革新性功率与带宽性能的全新Ku波段40V、0.25微米碳化硅衬底氮化镓基(GaN-on-SiC)裸芯片产品系列。该创新型产品系列能够使得固态放大器替代行波管，从而提高效率和可靠性。
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科锐 放大器 GaN
与SiC和GaN相比，β-Ga2O3有望以低成本制造出高耐压且低损失的功率半导体元件，因而引起了极大关注。契机源...
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SiC 功率元件 GaN 导通电阻
硅上GaN LED不必受应力的影响，一定量的应力阻碍了输出功率。英国一个研究小组通过原位工具监测温度和晶片曲率，制备出低位错密度的扁平型150mm外延片，并将这些芯片安装到器件中，使得内量子效率接近40%。硅衬底在
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GaN LED 分析
氮化镓(gan)介绍
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