上海,2012年11月20日 –富士通半导体(上海)有限公司今日宣布采用其基于硅基板的氮化镓 (GaN) 功率器件的服务器电源单元成功实现2.5kW的高输出功率,富士通半导体计划将于2013年下半年开始量产这些GaN功率器件。这些器件可广泛用于电源增值应用,对实现低碳社会做出重大贡献。
与传统硅基功率器件相比,基于GaN的功率器件具有导通电阻低和能够进行高频操作等特性。而这些特性恰恰有利于提高电源单元转换效率,并使电源单元更加紧凑。富士通半导体计划在硅基板上进行GaN功率器件的商业化
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富士通 功率器件 GaN
富士通半导体(上海)有限公司日前宣布采用其基于硅基板的氮化镓 (GaN) 功率器件的服务器电源单元成功实现2.5kW的高输出功率,富士通半导体计划将于2013年下半年开始量产这些GaN功率器件。这些器件可广泛用于电源增值应用,对实现低碳社会做出重大贡献。
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富士通 功率器 GaN
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直流 18GHz 氮化镓 TriQuint
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智能手机 功放 最佳效率 TD-LTE GaN
增强型氮化镓电源管理器件的供应商宜普电源转换公司(Efficient Power Conversion)日前宣布,WiTricity™公司开发出采用高频氮化镓(eGaN®)的无线电源展示系统。
WiTricity™公司的无线电源展示系统内含宜普公司的具高频开关性能的氮化镓晶体管,该氮化镓晶体管所具备的性能可以在高频、高压及高功率情况下有效率地工作。
WiTricity™的创始人发明了具非常高的共振频率的无线电源传送。WiTricity&trade
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无线充电 氮化镓
目前,世界范围内在GaN基高亮度LED及半导体全固态照明光源的研发方面居于领先水平的公司主要有:美国的Lumileds、HP/Agilent和Cree,日本的Nichia、ToyodaGosei、Sony、Toshiba和其他综合性大公司(如NEC、Matsushita、
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LED 氮化镓 高亮度 分析
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GaN 恩智浦 氮化镓 射频功率晶体管
科锐公司(Nasdaq: CREE)宣布推出具有革新性功率与带宽性能的全新Ku波段40V、0.25微米碳化硅衬底氮化镓基(GaN-on-SiC)裸芯片产品系列。该创新型产品系列能够使得固态放大器替代行波管,从而提高效率和可靠性。
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科锐 放大器 GaN
与SiC和GaN相比,β-Ga2O3有望以低成本制造出高耐压且低损失的功率半导体元件,因而引起了极大关注。契机源...
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SiC 功率元件 GaN 导通电阻
硅上GaN LED不必受应力的影响,一定量的应力阻碍了输出功率。英国一个研究小组通过原位工具监测温度和晶片曲率,制备出低位错密度的扁平型150mm外延片,并将这些芯片安装到器件中,使得内量子效率接近40%。硅衬底在
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GaN LED 分析
如果你想要得到显著的掺杂剖面结构及低阻值的p型GaN,那么就要考虑把你的载体气体由氢气置换成氩气。作者:Vla...
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GaN LED
在当今社会,DNA分析的重要性毋庸置疑。就拿上个月发生的案例来说:英国伦敦一位名叫DamilolaTaylor的十岁男孩...
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GaN LED
超级半导体材料GaN(氮化镓)的时代正开启。它比传统的硅和GaAs(砷化镓)更加耐压,已成为大功率LED的关键材料之...
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LED GaN MOSFET
1993年世界上第一只GaN基蓝色LED问世以来,LED制造技术的发展令人瞩目。目前国际上商品化的GaN基LED均是...
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LED芯片 硅衬底 GaN
Ⅲ族氮化物半导体材料广泛用于紫、蓝、绿和白光发光二极管,高密度光学存储用的紫光激光器,紫外光探测器,...
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MOCVD GaN LED芯片
氮化镓(gan)介绍
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