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氮化镓(gan) 文章 进入氮化镓(gan)技术社区

富士通半导体明年计划量产GaN功率器件

  •   上海,2012年11月20日 –富士通半导体(上海)有限公司今日宣布采用其基于硅基板的氮化镓 (GaN) 功率器件的服务器电源单元成功实现2.5kW的高输出功率,富士通半导体计划将于2013年下半年开始量产这些GaN功率器件。这些器件可广泛用于电源增值应用,对实现低碳社会做出重大贡献。   与传统硅基功率器件相比,基于GaN的功率器件具有导通电阻低和能够进行高频操作等特性。而这些特性恰恰有利于提高电源单元转换效率,并使电源单元更加紧凑。富士通半导体计划在硅基板上进行GaN功率器件的商业化
  • 关键字: 富士通  功率器件  GaN  

富士通明年计划量产氮化镓功率器件

  • 富士通半导体(上海)有限公司日前宣布采用其基于硅基板的氮化镓 (GaN) 功率器件的服务器电源单元成功实现2.5kW的高输出功率,富士通半导体计划将于2013年下半年开始量产这些GaN功率器件。这些器件可广泛用于电源增值应用,对实现低碳社会做出重大贡献。
  • 关键字: 富士通  功率器  GaN  

从直流到18 GHz氮化镓产品选择

  • 电子产品世界,为电子工程师提供全面的电子产品信息和行业解决方案,是电子工程师的技术中心和交流中心,是电子产品的市场中心,EEPW 20年的品牌历史,是电子工程师的网络家园
  • 关键字: 直流  18GHz  氮化镓  TriQuint  

功放为智能手机提供最佳效率

  • 电子产品世界,为电子工程师提供全面的电子产品信息和行业解决方案,是电子工程师的技术中心和交流中心,是电子产品的市场中心,EEPW 20年的品牌历史,是电子工程师的网络家园
  • 关键字: 智能手机  功放  最佳效率  TD-LTE  GaN  

高频氮化镓(eGaN)助力无线充电技术发展

  •   增强型氮化镓电源管理器件的供应商宜普电源转换公司(Efficient Power Conversion)日前宣布,WiTricity™公司开发出采用高频氮化镓(eGaN®)的无线电源展示系统。   WiTricity™公司的无线电源展示系统内含宜普公司的具高频开关性能的氮化镓晶体管,该氮化镓晶体管所具备的性能可以在高频、高压及高功率情况下有效率地工作。   WiTricity™的创始人发明了具非常高的共振频率的无线电源传送。WiTricity&trade
  • 关键字: 无线充电  氮化镓   

氮化镓基高亮度LED核心专利分析

  • 目前,世界范围内在GaN基高亮度LED及半导体全固态照明光源的研发方面居于领先水平的公司主要有:美国的Lumileds、HP/Agilent和Cree,日本的Nichia、ToyodaGosei、Sony、Toshiba和其他综合性大公司(如NEC、Matsushita、
  • 关键字: LED  氮化镓  高亮度  分析    

“主流GaN”的发展和未来

  • 电子产品世界,为电子工程师提供全面的电子产品信息和行业解决方案,是电子工程师的技术中心和交流中心,是电子产品的市场中心,EEPW 20年的品牌历史,是电子工程师的网络家园
  • 关键字: GaN  恩智浦  氮化镓  射频功率晶体管  

科锐推出突破性GaN基固态放大器平台

  • 科锐公司(Nasdaq: CREE)宣布推出具有革新性功率与带宽性能的全新Ku波段40V、0.25微米碳化硅衬底氮化镓基(GaN-on-SiC)裸芯片产品系列。该创新型产品系列能够使得固态放大器替代行波管,从而提高效率和可靠性。
  • 关键字: 科锐  放大器  GaN  

技术讲座:用氧化镓能制造出比SiC性价比更高的功率元件(一)

  • 与SiC和GaN相比,β-Ga2O3有望以低成本制造出高耐压且低损失的功率半导体元件,因而引起了极大关注。契机源...
  • 关键字: SiC  功率元件  GaN  导通电阻  

硅上GaN LED分析

  • 硅上GaN LED不必受应力的影响,一定量的应力阻碍了输出功率。英国一个研究小组通过原位工具监测温度和晶片曲率,制备出低位错密度的扁平型150mm外延片,并将这些芯片安装到器件中,使得内量子效率接近40%。硅衬底在
  • 关键字: GaN  LED  分析    

利用氩气改善p型GaN LED的性能

  • 如果你想要得到显著的掺杂剖面结构及低阻值的p型GaN,那么就要考虑把你的载体气体由氢气置换成氩气。作者:Vla...
  • 关键字: GaN  LED    

采用GaN LED的便携式DNA分析仪

  • 在当今社会,DNA分析的重要性毋庸置疑。就拿上个月发生的案例来说:英国伦敦一位名叫DamilolaTaylor的十岁男孩...
  • 关键字: GaN  LED    

大功率LED关键材料GaN开始侵食硅功率MOSFET市场

  • 超级半导体材料GaN(氮化镓)的时代正开启。它比传统的硅和GaAs(砷化镓)更加耐压,已成为大功率LED的关键材料之...
  • 关键字: LED  GaN  MOSFET  

硅衬底LED芯片主要制造工艺解析

  • 1993年世界上第一只GaN基蓝色LED问世以来,LED制造技术的发展令人瞩目。目前国际上商品化的GaN基LED均是...
  • 关键字: LED芯片  硅衬底  GaN    

硅衬底上GaN基LED的研制进展

  • Ⅲ族氮化物半导体材料广泛用于紫、蓝、绿和白光发光二极管,高密度光学存储用的紫光激光器,紫外光探测器,...
  • 关键字: MOCVD  GaN  LED芯片    
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氮化镓(gan)介绍

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