1月出席DesignCon 2015时，我有机会听到一个由Efficient Power Conversion 公司CEO Alex Lidow主讲的有趣专题演讲，谈到以氮化镓(GaN)技术进行高功率开关组件(Switching Device)的研发。我也有幸遇到“电源完整性 --在电子系统测量、优化和故障排除电源相关参数(Power Integrity - Measuring, Optimizing, and Troubleshooting Power Related Parameter
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GaN EMI
据日经BP报道，松下研发出用于电源和马达控制的新一代半导体，将于2016年春季在日本国内企业中率先量产。新一代半导体采用氮化镓(GaN)，能将耗电量控制在原来一半左右。据悉，松下目前已与日本国内外约10家企业就供货进入最终交涉，新一代半导体被松下定位为重振持续亏损的半导体业务的战略产品，松下计划首先将向服务器电源装置等供货。
氮化镓被称为“终极半导体材料”，世界上仅有美国风险企业涉足。松下将在生产子公司松下电器半导体有限公司(panasonic Semiconductor
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松下 氮化镓
从下一代的国防和航天应用，到有线电视、VSAT、点对点(PtP)、基站基础设施，Qorvo的GaN(氮化镓)产品和技术为您身边的各种系统提供领先的 性能支持，让您能够随时联网并受到保护。这些领先性能包括：高功率密度、宽频性能、高功率处理……阅读下面的“氮化镓的十个重要事实”，真正了解这个在我 们的工作和生活中发挥重要作用的关键技术。
关于氮化镓的十个重要事实：
一、氮化镓器件提供的功率密度比砷化镓器件高十倍。由于氮化镓器件的功率密度较高，
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Qorvo 氮化镓
英飞凌科技股份公司今日宣布扩充其硅基氮化镓(GaN)技术和产品组合。目前，英飞凌提供专为要求超高能效的高性能设备而优化的增强模式和级联模式GaN平台，包括服务器、电信设备、移动电源等开关电源应用以及诸如Class D音频系统的消费电子产品。GaN技术可以大幅地缩小电源的尺寸和减轻电源的重量，这将为GaN产品在诸如超薄LED电视机等终端产品市场开辟新的机会。
英飞凌科技股份公司电源管理及多元化市场事业部总裁Andreas Urschitz表示：“英飞凌的硅基GaN产品组合，结合公司了所
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英飞凌 GaN
英飞凌科技股份公司和松下电器公司宣布，两家公司已达成协议，将联合开发采用松下电器的常闭式(增强型)硅基板氮化镓(GaN)晶体管结构，与英飞凌的表贴(SMD)封装的GaN器件。在此背景下，松下电器向英飞凌授予了使用其常闭型GaN晶体管结构的许可。按照这份协议的规定，两家公司均可生产高性能GaN器件。由此带来的益处是客户可以从两条渠道获得采用可兼容封装的GaN功率开关。迄今为止，没有任何其他硅基板GaN器件提供了这样的供货组合，双方商定不披露任何其他合同细节。
作为新一代化合物半导体技术，硅基板Ga
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英飞凌 松下 GaN
近日，德州仪器推出了业内首款80V、10A集成氮化镓 (GaN) 场效应晶体管 (FET) 功率级原型机。此次原型机由位于四方扁平无引线 (QFN) 封装内的一个高频驱动器和两个采用半桥配置的GaN FET组成，使之非常易于设计。如需了解更多信息，敬请访问www.ti.com.cn/lmg5200-pr-cn。
全新的LMG5200 GaN FET功率级原型机将有助于加快下一代GaN电源转换解决方案的市场化，此方案为空间有限且高频的工业应用和电信应用提供更高的功率密度和效率。
TI高压电源
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德州仪器 GaN
英飞凌科技股份公司和松下电器公司宣布，两家公司已达成协议，将联合开发采用松下电器的常闭式(增强型)硅基板氮化镓(GaN)晶体管结构，与英飞凌的表贴(SMD)封装的GaN器件。在此背景下，松下电器向英飞凌授予了使用其常闭型GaN晶体管结构的许可。按照这份协议的规定，两家公司均可生产高性能GaN器件。由此带来的益处是客户可以从两条渠道获得采用可兼容封装的GaN功率开关。迄今为止，没有任何其他硅基板GaN器件提供了这样的供货组合。双方商定不披露任何其他合同细节。
作为新一代化合物半导体技术，硅基板Ga
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英飞凌 GaN
英飞凌和松下联合开发GaN器件，将松下的增强型GaN材料技术与英飞凌的SMD封装技术相结合。
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英飞凌 松下 GaN
氮 化镓(GaN)这种宽带隙材料将引领射频功率器件新发展并将砷化镓(GaAs)和LDMOS(横向扩散金属氧化物半导体)器件变成昨日黄花?看到一些媒体 文章、研究论文、分析报告和企业宣传文档后你当然会这样认为，毕竟，GaN比一般材料有高10倍的功率密度，而且有更高的工作电压(减少了阻抗变换损 耗)，更高的效率并且能够在高频高带宽下大功率射频输出，这就是GaN，无论是在硅基、碳化硅衬底甚至是金刚石衬底的每个应用都表现出色!帅呆了!
至少现在看是这样，让我们回顾下不同衬底风格的GaN：硅基、碳化硅(S
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GaN 射频
半导体产业是整个电子信息产业链中最关键的产业之一，它为集成芯片产业、LED产业、光伏产业等产业提供关键性基础材料，对整个电子信息产业影响巨大。上世纪中叶，单晶硅和半导体晶体管的发明及其硅集成电路的研制成功，引发了第三次技术革命;上世纪70年代初石英光导纤维材料和GaAs激光器的发明，促进了光纤通信技术迅速发展并逐步形成了高新技术产业，使人类进入了信息时代。
半导体产品广泛应用在电子工业和微电子工业中，用来制作各种晶体管、集成电路、固态激光器等各种精密原器件。
有
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半导体 氮化镓
推动高能效创新的安森美半导体(ON Semiconductor)与功率转换专家Transphorm宣布已建立了新的合作关系，共同开发及共同推广基于氮化镓(GaN)的产品和电源系统方案，用于工业、计算机、电信及网络领域的各种高压应用。
这策略合作充分发挥两家公司固有的实力。Transphorm是公认的第一家将600伏(V)GaN硅晶体管量产通过授证的公司，并在这先进技术有无与伦比的经验。安森美半导体是一家领先的高能效电源方案供应商，在系统设计具备深厚的专知和技术，提供宽广的阵容产品，从功率分立器件
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安森美 氮化镓 硅基器件
今日，Veeco公司推出了最新的的TurboDisc®EPIK700™氮化镓(GaN)金属有机化学气相沉积(MOCVD)系统，结合了该行业最高的生产率与最佳良率这两大优势，运营成本低，从而进一步降低通用照明应用的发光二极管(LED)的制造成本。
EPIK700 MOCVD系统采用了Veeco大生产验证过的TurboDisc技术，具有行业内最大的反应腔，其产能相当于目前的其它反应腔的两倍多。反应腔的容量增加，再加上腔内波长均匀性以及生产力的提升，与之前的反应腔相比，其产量提高了
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Veeco 氮化镓 TurboDisc
为提高高压电源系统能源效率，半导体业者无不积极研发经济型高性能功率场效应电晶体（FET）；其中，采用Cascode结构的...
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Cascode GaN 场效应管
GaN被认为是下一代的功率元件，被赋予了代替SiC的神圣使命。但是近日，来自英飞凌的MarkMuenzer表示，其前景虽好，但是还没到广泛使用的时候，因它还有很多未被探索出来的部分。
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GaN.功率元件
我们会探讨在高频降压转换器使用最优版图并在1MHz频率开关时可实现高于96%效率。降压转换器纵然具备最优电...
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高频降压 转换器 氮化镓
氮化镓(gan)介绍
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