2018年3月6日，Nexperia(安世半导体)公司广东分立器件封装和测试新工厂正式投产，该工厂将重点解决产能问题，用于支持Nexperia后续业务发展规划。
【安世半导体(中国)有限公司广东后道工厂】
据Nexperia首席运营官Sean Hunkler介绍，新工厂投产之后，Nexperia全年总产量将超过1千亿件。除了提供SOT23、SOD323和523、SOT223、SOT143、MCD、Ucsp、Flip Chip等封装外，还提供安世半导体(中国)有限公司开发的最新封装，包括
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安世 GaN
德州仪器(TI)(NASDAQ: TXN) 近日宣布推出两款新型高速氮化镓(GaN)场效应晶体管(FET)驱动器，进一步扩展了其业内领先的GaN电源产品组合，可在激光雷达(LIDAR)以及5G射频(RF)包络追踪等速度关键应用中实现更高效、性能更高的设计。LMG1020和LMG1210可在提供50 MHz的开关频率的同时提高效率，并可实现以往硅MOSFET无法实现的5倍更小尺寸解决方案。欲了解更多信息，请访问www.ti.com.cn/lmg1020-pr-cn和www.
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TI GaN
《麻省理工科技评论》于近日揭晓2018 年“全球十大突破性技术”，这份全球新兴科技领域的权威榜单至今已经有 17 年的历史。
1、给所有人的人工智能 AI for everyone
入选理由：将机器学习工具搬上云端，将有助于人工智能更广泛的传播
重大意义：目前，人工智能的应用是受到少数几家公司统治的。但其一旦与云技术相结合，那它将可以对许多人变得触手可及，从而实现经济的爆发式增长。
主要研究者：Google,亚马逊，阿里云，腾讯云，百度云，金山云，京东云
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机器学习 GAN
数十年来，横向扩散金属氧化物半导体(LDMOS)技术在商业应用中的射频半导体市场领域起主导作用。如今，这种平衡发生了转变，硅基氮化镓(GaN-on-Si)技术成为接替传统LDMOS技术的首选技术。 与LDMOS相比，硅基氮化镓的性能优势已牢固确立——它可提供超过70%的功率效率，将每单位面积的功率提高4到6倍，并且可扩展至高频率。同时，综合测试数据已证实，硅基氮化镓符合严格的可靠性要求，其射频性能和可靠性可媲美甚至超越昂贵的碳化硅基氮化镓(GaN-on-SiC)替代技术。 硅基氮化镓成为射频半导体
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氮化镓 LDMOS
一枚看似不起眼、“又轻又薄”的晶片，却能做出高功率密度、高效率、宽频谱、长寿命的器件，是理论上电光、光电转换效率最高的材料体系。这个“小身体大能量”的晶片叫作氮化镓(GaN)衬底晶片，是苏州纳维科技有限公司(以下简称苏州纳维)的主打产品。
“不会游泳的时候就跳下了水”
苏州纳维依托中科院苏州纳米所而建。作为中国首家氮化镓衬底晶片供应商， 团队从氮化镓单晶材料气相生长的设备开始研发，逐步研发成功1英寸、2英寸、4英寸、6
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GaN 氮化镓
EPC公司将于2018年1月9日至12日在美国拉斯维加斯举行的国际消费电子展(CES® 2018)展示eGaN®技术如何实现两种改变业界游戏规则的消费电子应用 -- 分别是无线充电及自动驾驶汽车的激光雷达应用。 EPC将在AirFuel联盟于CES 2018展览摊位携手合作展示基于氮化镓器件并嵌入桌面的无线充电系统，可以在桌面上任何位置对多种设备同时充电，可传送高达300 W功率。可传送这么大功率使得我们可以同时对电脑、电脑显示器、桌灯、掌上型电脑及
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宜普 GaN
用GaN重新考虑功率密度-电力电子世界在1959年取得突破，当时Dawon Kahng和Martin Atalla在贝尔实验室发明了金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）。首款商业MOSFET在五年后发布生产，从那时起，几代MOSFET晶体管使电源设计人员实现了双极性早期产品不可能实现的性能和密度级别。
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mosfet 氮化镓 pfc
接近62%的能源被白白浪费
美国制造创新网络(目前称为MgfUSA)已经阐明了美国制造业规划的聚焦点在材料与能源。清洁能源智能制造CESMII中的清洁能源与能源互联网自不必说，而在复合材料IACMI和轻量化研究院LIFT中都关注到了汽车减重设计，本身也是为了降低能源消耗的问题。在美国第二个创新研究院“美国电力创新研究院” Power Amercia(PA)其关注点同样在于能源的问题。这是一个关于巨大的能源市场的创新中心。
图1：整体的能源转换效率约在38
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SiC GaN
未来五年，通信产业向5G时代的革命性转变正在深刻重塑RF(射频)技术产业现状。这不仅是针对智能手机市场，还包括3W应用RF通信基础设施应用，并且，5G将为RF功率市场的化合物半导体技术带来重大市场机遇。
未来几年，据Yole最新发布的《RF功率市场和技术趋势-2017版》报告预计，随着电信基站升级和小型基站部署的需求增长，RF功率市场将获得强劲增长。2016~2022年期间，整体RF功率市场营收或将增长75%，带来9.8%的复合年增长率。这意味着市场营收规模将从2016年的15亿美元增长至202
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GaN 5G
展望未来，采用GaN制程的RF PA将成为输出功率3W以上的RF PA所采用的主流制程技术，LDMOS制程的市场份额则会明显萎缩。
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5G GaN
随着氮化镓(GaN)不断应用在二极管、场效电晶体(MOSFET)等元件上，不少业内专家直言，电力电子产业即将迎来技术的大革命。氮化镓虽然在成本上仍比传统硅元件高出一大截，但其开关速度、切换损失等性能指标，也是硅元件难以望其项背的。特别是近年来随着氮化镓广泛被应用于手机快充、电源以及5G市场，氮化镓即将引领半导体技术革命的呼声越来越高。
有望于手机快充、5G市场起飞
当下，氮化镓的主要应用市场是手机快充、电源产业。近年来手机快充技术不断发展，已成为智能手机标配，而促进其普及的重要推手便是氮化
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氮化镓 5G
6月26日电(记者余晓洁)到2030年，第三代半导体产业力争全产业链进入世界先进行列，部分核心关键技术国际引领，核心环节有1至3家世界龙头企业，国产化率超过70%……第三代半导体发展战略发布会25日在京举行。第三代半导体产业技术创新战略联盟理事长吴玲如是描述我国第三代半导体的“中国梦”。
第二届国际第三代半导体创新创业大赛同日启动。大赛围绕第三代半导体装备、材料、器件、工艺、封装、应用及设计与仿真方面的技术应用创新，以及商业模式创新等内容征集参
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半导体 氮化镓
什么是MOCVD?
MOCVD是在气相外延生长(VPE)的基础上发展起来的一种新型气相外延生长技术。主要以Ⅲ族、Ⅱ族元素的有机化合物和V、Ⅵ族元素的氢化物等作为晶体生长源材料，以热分解反应方式在衬底上进行气相外延，生长各种Ⅲ-V族、Ⅱ-Ⅵ族化合物半导体以及它们的多元固溶体的薄层单晶材料。
MOCVD设备主要用于半导体材料衬底的外延生长，是LED以及半导体器件的关键设备。
根据Technavio统计，全球MOCVD市场的复合年平均增长率将在2021年之前增长到14%，市场规模将从201
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MOCVD GaN
具高功率特性的氮化镓(GaN)，将可满足5G对功率放大器(PA)的高频需求，并具有超越砷化镓(GaAs)的十足潜力。未来氮化镓将逐步在手机的5G功率放大器中出现，基地台的功率放大器应用也是其另一项发展主力。
络达科技技术长林珩之表示，5G基地台的功率放大器将会以砷化镓与氮化镓制程为主，因其是功率主导(PowerHandle)，并以表现度为主要衡量指针。但这样的制程需更多的校准(Calibration)程序，成本会比较高。不过，基地台的整体数量相较于手机应用是比较少的，因此即便其成本略高，仍在客户
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氮化镓
氮化镓(gan)介绍
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