半导体寒气袭人知谁暖？芯片行业的砍单潮已经将寒气传递给了众多企业，三星半导体部门负责人Kyung Kye-hyun就预计芯片销售大幅下滑态势将延续至明年；野村证券最近也将今年全球芯片出货成长率由原先预估的9.9%大砍至5.7%、2023年由衰退0.5%扩大至衰退6%；费城半导体指数 (SOX)近6个月（截至9月21日）更是跌了26.53%。但此时，以碳化硅、氮化镓为代表的第三代半导体材料却在迎来市场倍增与产能扩张。 安森美二季度财报发布后，就将其2022年碳化硅营收预期上调为“同比增长3倍”，而
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碳化硅 氮化镓
2022年9月20日，致力于亚太地区市场的领先半导体元器件分销商---大联大控股宣布，其旗下友尚推出基于安森美（onsemi）NCP1623和NCP1343产品以及氮化镓系统公司（GaN System）GS-065-011-2-L功率晶体管的PD快充电源方案。 图示1-大联大友尚基于onsemi和GaN System产品的PD快充电源方案的展示板图 以手机、电脑为代表的移动智能设备已经成为人们日常生活的重要工具，然而随着这些设备所覆盖的功能越来越多，设备有限的续航能力已经无法满足用户对
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大联大友尚 onsemi GaN System PD快充电源
氮化镓 (GaN) 是电力电子行业的热门话题，因为它可以使得 80Plus 钛电源、3.8kW/L 电动汽车 (EV) 车载充电器和 EV 充电站等设计得以实现。在许多应用中， GaN 能够提高功率密度和效率，因此它取代了传统的硅金属氧化物半导体场效应晶体管 (MOSFET)。但由于 GaN 的电气特性和它所能实现的性能，使用 GaN 进行设计面临与硅不同的一系列挑战。不同类型的 GaN FET 具有不同的器件结构。GaN FET 包括耗尽型 (d-mode)、增强型 (e-mode)、共源共栅型 (ca
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德州仪器 GaN 功率密度
虽然增加可再生能源是全球的大趋势，但这还不够，能源效率是另一个重点领域，这是因为服务器及其冷却系统对能源消耗，占据了数据中心将近40%的运营成本。GaN具有独特的优势，提供卓越的性能和效率，并彻底改变数据中心的配电和转换、节能、减少对冷却系统的需求，并最终使数据中心更具成本效益和可扩展性。数字化和云端服务的快速建置推动了全球数据服务器的产业规模的成长。今天，数据服务器消耗了全球近1%的电力，这个数字预计会不断的成长下去。次世代的产业趋势，例如虚拟世界、增强实境和虚拟现实，所消耗大量电力将远超现今地球上所能
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GaN 数据服务器 效率
在电力电子应用中，为了满足更高能效和更高开关频率的要求，功率密度正在成为关键的指标之一。基于硅（Si）的技术日趋接近发展极限，高频性能和能量密度不断下降，功率半导体材料也在从第一代的硅基材料发展到第二代的砷化镓后，正式开启了第三代宽禁带技术如碳化硅（SiC）和氮化镓（GaN）的应用之门。SiC的耐高压能力是硅的10倍，耐高温能力是硅的2倍，高频能力是硅的2倍。相同电气参数产品，采用SiC材料可缩小体积50%，降低能量损耗80%。同样，GaN也有着许多出色的性能，它的带隙为3.2eV，几乎比硅的1.1eV带
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贸泽电子 GaN
hofer powertrain为新一代电动汽车传动系统奠定基础。德国动力系统专家hofer powertrain选择前瞻性芯片技术，通过汽车领域氮化镓（GaN）技术领导者VisIC Technologies公司提供最新氮化镓芯片技术D3GaN（直驱D型）实现新的多级电力电子元件。新解决方案在效率和功率密度方面超过硅基技术的性能，最近的测试证明了它的成功。氮化镓半导体是提高效率、增加电动汽车行驶里程和寿命的关键。hofer powertrain和VisIC Technologies的目标是开发基于氮化镓的
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hofer powertrain VisIC Technologies 氮化镓 电力电子
高可靠性、高性能氮化镓(GaN)电源转换产品的先锋和全球供应商Transphorm, Inc. (Nasdaq: TGAN)宣布，全球电源产品和电动汽车充电站供应商飞宏(Phihong)新推出的65W 2C1A USB PD适配器采用了该公司的氮化镓技术。这款适配器采用Transphorm的SuperGaN®第四代技术，这是一种氮化镓场效应管(FET)平台，具有以下优点：系统设计简单，元件数量少，性能更高，可靠性一流。飞宏的65W适配器外形小巧(51 x 55.3 x 29 mm)，配备两个US
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飞宏 USB PD 适配器 Transphorm 氮化镓
功率半导体组件与电源、电力控制应用有关，特点是功率大、速度快，有助提高能源转换效率，多年来，功率半导体以硅（Si）为基础的芯片设计架构成为主流，碳化硅（SiC）、氮化镓（GaN）等第三类半导体材料出现，让功率半导体组件的应用更为多元，效率更高。MOSFET与IGBT双主流各有痛点高功率组件应用研发联盟秘书长林若蓁博士（现职为台湾经济研究院研究一所副所长）指出，功率半导体组件是电源及电力控制应用的核心，具有降低导通电阻、提升电力转换效率等功用，其中又以MOSFET（金属氧化半导体场效晶体管）与IGBT（绝缘
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硅 碳化硅 氮化镓 功率半导体
和传统的硅功率半导体相比，GaN（氮化镓）和 SiC（碳化硅）有着更高的电压能力、更快的开关速度、更高的工作温度、更低导通电阻、功率耗散小、能效高等共同的优异的性能 , 是近几年来新兴的半导体材料。但他们也存在着各自不同的特性，简单来说，GaN
的开关速度比 SiC 快，SiC 工作电压比 GaN 更高。GaN
的寄生参数极小，开关速度极高，比较适合高频应用，例如：电动汽车的 DC-DC（直流 - 直流）转换电路、OBC（车载充电）、低功率开关电源以及蜂窝基站功率放大器、雷达、卫星发射器和通用射频放大
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202207 东芝 共源共栅 GaN
高可靠性、高性能氮化镓(GaN)电源转换产品的先锋和全球供应商Transphorm, Inc. (Nasdaq: TGAN) 今天宣布，新增的TP65H050G4BS器件扩充了其表面贴装封装产品系列。这款全新高功率表面贴装器件(SMD)是一款采用TO-263 (D2PAK) 封装的650V SuperGaN®场效应晶体管 (FET)，典型导通阻抗为50mOhm。TP65H050G4BS是Transphorm的第七款SMD，丰富了目前面向中低功率应用的PQFN器件。TP65H050G4BS通过了J
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Transphorm GaN
受访人：黄文源 东芝电子元件（上海）有限公司半导体技术统括部技术企划部高级经理1.氮化镓和碳化硅同属第三代半导体，在材料特性上有什么相似之处和不同之处？根据其不同的特性，分别适用在哪些应用领域？贵公司目前在SiC和GaN两种材料的半导体器件方面都有哪些主要的产品？ 回答：自从半导体产品面世以来，硅一直是半导体世界的代名词。但是，近些年，随着化合物半导体的出现，这种情况正在被逐渐改变。通常，半导体业界将硅（Si）作为第一代半导体的代表，将砷化镓(GaAs)、锑化铟(InSb)作为第二代半导体的
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东芝 GaN 级联共源共栅
受访人：Robert Taylor是德州仪器(TI)系统工程营销组的应用经理，负责工业和个人电子市场的定制电源设计。他的团队每年负责500项设计，并在过去20年中设计了15000个电源。Robert于2002年加入TI，大部分时间都在担任各种应用的电源设计师。Robert拥有佛罗里达大学的电气工程学士学位和硕士学位。1.氮化镓和碳化硅同属第三代半导体，在材料特性上有什么相似之处和不同之处？根据其不同的特性，分别适用在哪些应用领域？贵公司目前在SiC和GaN两种材料的半导体器件方面都有哪些主要的产品？
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TI 第三代半导体 GaN SiC
鉴于氮化镓 (GaN) 场效应晶体管 (FET) 能够提高效率并缩小电源尺寸，其采用率正在迅速提高。但在投资这项技术之前，您可能仍然会好奇GaN是否具有可靠性。令我惊讶的是，没有人询问硅是否具有可靠性。毕竟仍然有新的硅产品不断问世，电源设计人员对硅功率器件的可靠性也很关心。事实上，GaN行业已经在可靠性方面投入了大量精力和时间。而人们对于硅可靠性方面的问题措辞则不同，比如“这是否通过了鉴定？”尽管GaN器件也通过了硅鉴定，但电源制造商仍不相信采用硅方法可以确保GaN FET的可靠性。这是一个合理的观点，因
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GaN FET 电源 可靠性
SiC、GaN 作为最新一代功率半导体器件具有远优于传统 Si 器件的特性，能够使得功率变换器获得更高的效率、更高的功率密度和更低的系统成本。但同时，SiC、GaN极快的开关速度也给工程师带来了使用和测量的挑战，稍有不慎就无法获得正确的波形，从而严重影响到器件评估的准确、电路设计的性能和安全、项目完成的速度。SiC、GaN动态特性测量中，最难的部分就是对半桥电路中上桥臂器件驱动电压VGS的测量，包括两个部分：开关过程和Crosstalk。此时是无法使用无源探头进行测量的，这会导致设备和人员危险，同时还会由
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SiC GaN 栅极动态测试 光隔离探头
前言65W氮化镓充电器能够为手机和电脑提供理想的快充体验，同时不需要PFC，从成本和体积上都很有优势，是工厂和消费者选择的主力产品。随着近年来平面变压器技术的成熟，通过使用平面变压器取代传统绕线变压器，充电器从常规的方块形态进化成为饼干形态，更加便于携带。智融科技推出了多款可用于氮化镓充电器的协议降压二合一芯片，在车充和氮化镓快充中应用非常广泛。智融推出了用于氮化镓开关管的初级主控芯片SW1106，支持直驱增强型氮化镓开关管，进一步完善氮化镓快充产品线，致力于推出一站式氮化镓快充电源解决方案。充电头网已经
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智融 氮化镓 充电器 快充
氮化镓(gan)介绍
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