美国马萨诸塞州沃尔瑟姆的 Finwave Semiconductor Inc 宣布了一轮新的 $8.2m 短期投资，由 Fine Structure Ventures、Engine Ventures 和 Safar Partners 领投，技术合作伙伴 GlobalFoundries 战略参与。Finwave 认为，新一轮融资表明投资者和行业领导者对其独特的硅基氮化镓技术的市场潜力充满信心，因为它正在从以技术为中心的创新者转变为产品驱动型公司。这家科技公司由麻省理工学院 （MIT） 的研究人员于 2012
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Finwave 短期投资 GaN FinFET
随着AI数据中心的快速发展、电动汽车的日益普及，以及全球数字化和再工业化趋势的持续，预计全球对电力的需求将会快速增长。为应对这一挑战，英飞凌科技股份公司近日推出EasyPACK™ CoolGaN™ 650 V晶体管模块，进一步扩大其持续壮大的氮化镓（GaN）功率产品组合。该模块基于Easy Power Module平台，专为数据中心、可再生能源系统、直流电动汽车充电桩等大功率应用开发。它能满足日益增长的高性能需求，提供更大的易用性，帮助客户加快设计进程，缩短产品上市时间。英飞凌EasyPACK™英飞凌科技
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英飞凌 EasyPACK CoolGaN 功率模块 氮化镓
传统方法的局限性多年来，工程师们一直致力于解决单向开关的基本限制。当需要双向电压阻断时，设计人员必须使用多个分立元件实现背靠背配置，导致系统复杂性增加、尺寸增大和成本上升。这些配置还会引入额外的寄生元件，从而影响开关性能和效率。此外，传统的三端 UDS 设备无法独立控制双向电流流，限制了它们在高级电源转换拓扑中的应用。 图片由 Adobe Stock 提供 随着行业向更高功率密度、更高效率和更低系统成本发展，这些挑战变得越来越重要。传统的使用背靠背分立开关的方法，在
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Gan 电源开关
氮化镓（GaN）单片双向开关正重新定义功率器件的电流控制范式。 传统功率器件（如MOSFET或IGBT）仅支持单向主动导通，反向电流需依赖体二极管或外接抗并联二极管实现第三象限传导。这种被动式反向导通不仅缺乏门极控制能力，更因二极管压降导致效率损失。为实现双向可控传导，工程师常采用背对背（B2B）拓扑级联两个器件，却因此牺牲了功率密度并增加了系统复杂度。由于有效的州电阻（RDSON）加倍，因此需要这些设备的平行组，以使返回到使用单向开关获得的值。可以执行此类四季度操作的单片设备可以通过用单个设备替换四个活
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英飞凌 氮化镓 双向开关
半导体行业正处于性能、效率和可靠性必须同步发展的阶段。AI 基础设施、电动汽车、电源转换和通信系统的需求正在将材料推向极限。氮化镓 （GaN） 越来越受到关注，因为它可以满足这些需求。该行业已经到了这样一个地步，人们的话题不再是 GaN 是否可行，而是如何可靠、大规模地部署它。二十多年来，我专注于外延生长，见证了 GaN 从一种利基研究驱动型材料转变为电力电子领域的领先竞争者。进展是稳定的，不是一蹴而就的。现在倾向于 GaN 的公司和工程师是为下一代系统定位自己的公司。设备性能从外延开始对于 G
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GaN 可靠性 硅
高效率和高功率密度是为当今产品设计电源时的关键特性。为了实现这些目标，开发人员正在转向氮化镓 （GaN），这是一种可实现高开关频率的宽带隙半导体技术。与竞争对手的功率半导体技术相比，GaN 最大限度地减少了所需无源元件的尺寸，同时降低了栅极驱动和反向恢复损耗。此外，半导体制造商正在将其 GaN 器件封装在高度集成的行业标准封装中，从而缩小印刷电路板 （PCB） 的占地面积要求，同时简化供应链。GaN 应用在 650 V AC-DC 转换领域，变压器外形无铅 （TOLL） 封装是电源设计的有效选择。采用此封
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集成驱动器 高级保护 GaN 电源设计
引言人形机器人集成了许多子系统，包括伺服控制系统、电池管理系统 (BMS)、传感器系统、AI 系统控制等。如果要将这些系统集成到等同人类的体积内，同时保持此复杂系统平稳运行，会很难满足尺寸和散热要求。人形机器人内空间受限最大的子系统是伺服控制系统。为了实现与人类相似的运动范围，通常在整个机器人中部署大约 40 个伺服电机 (PMSM) 和控制系统。电机分布在机器人身体的不同部位，例如颈部、躯干、手臂、腿、脚趾等。该数字不包括手部的电机。为了模拟人手的自由操作，单只手即可能集成十多个微型电机。这些电机的电源
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GaN FET 人形机器人
_____在超宽禁带半导体领域，氧化镓器件凭借其独特性能成为研究热点。我们有幸与香港科技大学电子及计算机工程教授黄文海教授，围绕氧化镓器件的研究现状、应用前景及测试测量挑战展开深入交流。香港科技大学在氧化镓研究领域取得了显著的成果，涵盖了材料生长、器件设计、性能优化和应用开发等多个方面。通过与国际科研机构和企业的合作，港科大团队不仅推动了氧化镓技术的发展，也为相关领域的应用提供了重要的技术支持。黄文海教授的团队主要致力于氧化镓器件全链条的研究。在材料生长方面，聚焦优化晶体生长工艺，通过改进熔体生长技术，成
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香港科技大学 氧化镓器件 GaN
英飞凌科技股份公司近日推出CoolGaN™ G5中压晶体管，它是全球首款集成肖特基二极管的工业用氮化镓（GaN）功率晶体管。该产品系列通过减少不必要的死区损耗提高功率系统的性能，进一步提升整体系统效率。此外，该集成解决方案还简化了功率级设计，降低了用料成本。集成肖特基二极管的CoolGaN™ G5晶体管在硬开关应用中，由于GaN器件的有效体二极管电压（VSD ）较大，基于GaN的拓扑结构可能产生较高的功率损耗。如果控制器的死区时间较长，那么这种情况就会更加严重，导致效率低于目标值。目前功率器件设
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英飞凌 肖特基二极管 工业用 GaN 晶体管
航嘉深耕电源领域30余年，始终以技术创新与安全标准引领行业发展。此前航嘉推出的充吧产品持续迭代，如充吧高能 W68，以 68W 双 C 口快充、七合一接口布局（2C2A+3AC）和 AI 智能分流技术，成为桌面充电领域的经典。该产品采用第三代氮化镓技术，体积缩减 40% 的同时实现 68W 高效输出，搭配双 C 口盲插功能与 10 重电路防护，完美适配笔记本、手机、平板等多设备快充需求。如今，面对用户对更便携的高功率用电的需求，航嘉推出全新充吧灵动 H67，以 67W GaN 快充与七口聚合设计（3AC+
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航嘉 氮化镓
新闻亮点：新款发布的具有电源路径保护功能的 48V 集成式热插拔电子保险丝简化了数据中心设计，助力设计人员达到 6kW 以上的功率水平。新型集成式氮化镓 (GaN) 功率级采用行业标准的晶体管外形无引线 (TOLL) 封装，将德州仪器的 GaN 和高性能栅极驱动器与先进的保护功能相结合。中国上海（2025 年4 月 9 日）— 德州仪器 (TI)（纳斯达克股票代码：TXN）于今日推出新款电源管理芯片，以满足现代数据中心快速增长的电源需求。随着高性能计算和人工智能 (AI) 的采用率越来越高，数据中心需要更
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德州仪器 GaN 数据中心 电源管理芯片 保险丝
● 双方签署氮化镓（GaN）技术联合开发协议，致力于为AI数据中心、可再生能源发电与存储、汽车等领域打造面向未来的功率电子技术● 英诺赛科可借助意法半导体在欧洲的制造产能，意法半导体可借助英诺赛科在中国的制造产能服务多重电子应用领域、全球排名前列的半导体公司意法半导体 （STMicroelectronics，简称ST）与8英寸高性能低成本硅基氮化镓（GaN-on-Si）制造全球领军企业英诺赛科，共同宣布签署了一项氮化镓技术开发与制造协议。双方将充分发挥各自优
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意法半导体 英诺赛科 氮化镓
近日，九峰山实验室发布国内首个100 nm硅基氮化镓商用工艺设计套（PDK），性能指标达到国内领先、国际一流水平。作为全球第二个、国内首个商用方案，其技术指标可支撑高通量Ku/Ka频段低轨卫星通信，能够满足下一代移动通信、商用卫星通信与航天领域、车联网及工业物联网、手机终端等多领域对高频、高功率、高效率氮化镓器件的需求，推动我国相关领域器件从“进口替代”迈向“技术输出”。PDK（Process Design Kit，工艺设计套件）是半导体制造中不可或缺的工具包。它为芯片设计者提供工艺参数、器件模型、设计规
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九峰山实验室 100nm 氮化镓 PDK平台
Nexperia近日宣布其E-mode GaN FET产品组合新增12款新器件。本次产品发布旨在满足市场对更高效、更紧凑系统日益增长的需求。这些新型低压和高压E-mode GaN FET适用于多个市场，包括消费电子、工业、服务器/计算以及电信，尤其着重于支持高压、中低功率以及低压、中高功率的使用场景。自2023年推出E-mode GaN FET以来，Nexperia一直是业内少有、同时提供级联型或D-mode和E-mode器件的供应商，为设计人员在应对设计过程中的不同挑战提供了更多便捷性。Nexperia
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Nexperia GaN FET
3月14日， “2025 英飞凌消费、计算与通讯创新大会”（ICIC 2025，以下同）在深圳举行。本届大会汇聚600多位业界精英，就AI、机器人、边缘计算、氮化镓应用等话题展开了精彩探讨，首次在国内展示了英飞凌两款突破性技术——300mm氮化镓功率半导体晶圆和20μm超薄硅功率晶圆，彰显了英飞凌在技术创新领域的领先地位，并解读最新产品与解决方案，为行业注入新动能，助力企业在低碳数字变革的浪潮中把握先机。2025英飞凌消费、计算与通讯创新大会（ICIC 2025）在深圳举行2024年，
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英飞凌 MCU GaN
氮化镓(gan)介绍
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