- 三星电子今日官宣旗下首款具有24Gbps处理速度的16Gb GDDR6显存已经正式开始出货。这款三星目前最快的GDDR6显存采用了其第三代10纳米级（1z）工艺和极紫外光（EUV）技术，能够显著提升下一代显卡、笔记本电脑、游戏机等设备的图形性能。而且，其还采用新的电路设计，通过引入绝缘材料（高K金属栅极）尽可能减少电流泄漏当该显存被集成在高端显卡中后，理论上能够在一秒内传输高达1.1TB的数据，约等于275部全高清电影。此外，这款GDDR6显存还搭载动态电压开关（DVS）技术，能够根据性能要求调整工作电压
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GPU 三星 显存
- IT之家7 月 13 日消息，据 The Register 报道，为了建立能够与三星和台积电抗衡的晶圆代工业务，英特尔正积极从三星和台积电等竞争对手中聘请高管和资深员工。据领英资料显示，Suk Lee 目前在英特尔代工业务中担任生态系统技术办公室的副总裁，在此之前，其在台积电工作了 13 年，最后的头衔是设计基础设施管理部门副总裁。Michael Chang 在英特尔代工业务中担任客户支持副总裁，此前在台积电工作了 31 年，最后的头衔是先进技术解决方案总监。去年 6 月，英特尔首次高调聘用外部人员 Ho
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intel 台积电 三星 晶圆代工
- 6月30日，三星代工厂和半导体研发中心的职员齐聚一堂，庆祝公司成为世界首家大规模投产3nm芯片的半导体企业。虽然三星上马的是取代FinFET的革命性GAA晶体管，虽然三星把3nm看得无比重要，可BK的报道称，三星3nm的首家客户居然是来自中国的一家名为PanSemi（上海磐矽半导体技术有限公司）的矿机芯片企业。考虑到当前虚拟货币惨淡的行情，这笔订单的量级肯定不会大到哪儿去，对于检验3nm GAA的成色也不具备充分说服力。另一个有趣的细节是，报道称，三星自家芯片准备在2024年才用3nm，而且是第二代，这就
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三星 3nm GAA量产
- 在6月最后一天，三星宣布3nm工艺正式量产，这一次三星终于领先台积电率先量产新一代工艺，而且是弯道超车，后者的3nm今年下半年才会量产。根据三星官方介绍，在3nm芯片上，其放弃了之前的FinFET架构，采用了新的GAA晶体管架构，大幅改善了芯片的功耗表现。与5nm相比，新开发的3nm GAE工艺能够降低45%的功耗，减少16%的面积，并同时提升23%的性能。第二代的3nm GAP工艺可以降低50%的功耗，提升30%的性能，同时面积减少35%，效果更好。再往后呢？三星也有了计划，3nm GAP工艺之后就会迎
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三星 2nm GAP
- 在芯片企业中，华为海思还是顶流的存在，可以说，华为海思自研的麒麟系列芯片能够与高通骁龙8系列、苹果A系列并驾齐驱。甚至可以说，海思麒麟芯片还领先于苹果、高通，因为首款5nm 5G Soc就是华为海思推出的，NPU也是华为率先用在处理器中，苹果、高通纷纷效仿。然而，谁也没有想到的是，美多次修改芯片等规则，导致台积电等企业不能自由出货，原因是台积电等在芯片生产制造过程中也使用了相关美技术。在这样的情况，台积电等积极争取自由出货许可，还不断加速发展先进技术，目的就是尽可能地降低对美技术的依赖，从而实现自由出货。
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麒麟 三星 3nm
- 2022年下半年刚开始，全球芯片市场的风向就变了，持续了两年的产能紧张、缺货涨价变成了库存挤压、价格下滑，其中内存价格2年来首次下滑，三星是全球第一大存储芯片供应商，跌价的噩梦开始了。 据行业调研公司集邦科技的报告，今年二季度，主要存储芯片DRAM内存的平均合同价格同比下跌10.6%，为2年来首降，另一种存储芯片NAND价格也没好到哪里去，价格也在波动中。 不仅二季度跌，目前的三季度中情况还会更坏，集邦科技预测内存平均合同价格将环比下跌21%，NAND闪存的环比价格跌幅则在12%。 在此之前，另
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三星 美光 存储
- 网易科技报道7月7日消息，全球最大的存储芯片和智能手机制造商三星电子公司周四公布了2022年第二季度初步业绩。该公司预计，在芯片需求强劲的支撑下，该公司可能公布四年来最好的第二季度业绩。在业绩指引中，三星估计其第二季度运营利润为14万亿韩元（约合107.3亿美元），比去年同期增长11.38%，但低于分析师平均预期的14.45万亿韩元（约合115.6亿美元）。不过，这将是三星2018年以来录得的第二季度最高运营利润是去年同期的12.57万亿韩元（约合100.6亿美元）。三星还在简短的初步业绩报告中说，该公司
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三星 第二季度业绩
- QD-OLED被誉为支持下一代电视画质的技术，很显然三星也在不遗余力的推进。 据TheElec报道，三星显示已开始开发更薄的量子点(QD)-OLED面板。按照Samsung Display总裁Choi Joo-sun的说法，其已将其基于量子点（QD）的有机发光二极管（OLED）面板的良率提升至85%。 2022上半年，三星显示器的中小尺寸面板销量也迎来了10%的同比增长、并创下了历史新高。 尽管2022上半年的智能手机需求因受到通胀压力而减弱，但三星显示器公司在中小尺寸面板市场还是取得了相当亮眼
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QD-OLED 三星 屏幕
- 韩国三星电子6月30日正式宣布新一代环绕闸极晶体管（GAA）架构的3nm制程进入量产阶段，号称是全球第一家3nm进入生产的晶圆代工厂，不过市场预期三星的产能规模仍无法追上竞争对手台积电。台积电仍维持3奈米下半年进入量产预期，业界推估第四季投片规模可望超过1万片，包括高通、苹果、英特尔等都是主要客户。三星宣布开始量产GAA架构3nm制程，但未公布首发客户及产能规划，外电报导客户包括中国虚拟货币挖矿机芯片厂上海盘硅半导体及手机芯片大厂高通，但高通会视情况进行投片。三星指出，3nm采用多桥通道场效晶体管（MBC
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三星 GAA架构 3纳米
- 一如之前预告的那样，三星在今天正式宣布了3nm工艺量产，这意味着三星在新一代工艺上抢先了台积电量产，并且首次量产GAA晶体管工艺，技术上也是全面压制了台积电，后者要到2nm节点才会用上GAA工艺。根据三星所说，在3nm芯片上，其放弃了之前的FinFET架构，采用了新的GAA晶体管架构，大幅改善了芯片的功耗表现。与5nm相比，第一代3nm工艺能够降低45%的功耗，减少16%的面积，并同时提升23%的性能，第二代的3nm工艺可以降低50%的功耗，提升30%的性能，同时面积减少35%，效果更好。对于三星抢先量产
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三星 3nm
- 2022年6月30日，作为先进的半导体技术厂商之一的三星电子今日宣布, 基于3纳米（nm）全环绕栅极（Gate-All-AroundT,简称 GAA）制程工艺节点的芯片已经开始初步生产。较三星5纳米（nm）而言，优化的3纳米（nm）工艺，性能提高23%，功耗降低45%，芯片面积减少16%三星电子首次实现GAA"多桥-通道场效应晶体管"（简称: MBCFETTM Multi-Bridge-Channel FET）应用打破了FinFET技术的性能限制，通过降低工作电压水平来提高
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三星 3纳米 GAA
- 芯研所6月29日消息，据韩国媒体报道称，三星将在未来几天宣布开始批量制造，在生产世界上最先进的芯片的过程中击败竞争对手台积电。在此之前这家韩国科技巨头在向更小的工艺节点转移时出现了很多产量问题，以至于影响了它的一些最大客户的业务，如高通公司，该公司现在正考虑将台积电用于未来的移动芯片。NVIDIA在处理了Ampere GPU的良品率问题和相对较低的能源效率后，正为其下一代产品选择台积电，这些GPU原本是在三星的8nm工艺节点上制造的。来自韩国当地媒体的报道显示，三星正准备宣布开始3纳米的批量制造，可能最快
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三星 5nm 芯片
- 韩国媒体The Elec报导，三星将于第三季生产89吋Micro LED电视，售价将突破1亿韩元（折合新台币约230万元、8万美元），友达、镎创将分别供应LTPS TFT基板、LED芯片，该款电视虽因新冠肺炎疫情及良率问题而延后，但三星今年仍计划推出三款Micro LED电视，包括89吋、101吋、114吋。三星为镎创第一大股东暨第一大客户，持有股权占增资前股本逾20％，营收占比达60％以上，镎创及子公司拥有巨量转移、巨量修补、巨量检测等相关技术，为全球首家量产Micro LED业者，2014年成立以来积
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- 三星电子今日否认了韩国当地媒体《东亚日报》有关延后3nm量产的报道。《东亚日报》此前报道称，由于良率远低于目标，三星3nm量产将再延后。 三星一位发言人通过电话表示，三星目前仍按进度于第二季度开始量产3nm芯片。 据了解到，昨天韩媒BusinessKorea消息称，三星为赶超台积电，加码押注3nm GAA技术，并计划在2025年量产以GAA工艺为基础的2nm芯片。 消息称，三星在6月初将3nm GAA工艺的晶圆用于试生产，成为全球第一家使用GAA技术的公司。三星希望通过技术上的飞跃，快速缩小与台
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三星 3nm 芯片工艺
- 随着双寡头拉起的3nm制程竞赛，未来行业内的晶圆代工订单势必将向这两家公司进一步集中，由于半导体行业极度依赖规模效应，未来晶圆代工这个行业也很难再有新的挑战者出现。
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