- 5 月 27 日消息，此前有消息称三星电子最新的高带宽内存（HBM）芯片尚未通过英伟达测试，有“知情人士”表示，该公司的芯片因发热和功耗问题而受到影响。不过据韩媒Business Korea 报道，三星电子发布声明否认了相关报道，该公司声称他们正在与多家全球合作伙伴“顺利进行 HBM 芯片测试过程”，同时强调“他们正与其他商业伙伴持续合作，以确保产品质量和可靠性”。三星最近开始批量生产其第五代 HBM 芯片 ——24GB（8-Hi）/ 36GB（12-Hi）的 HBM3E 产品。在目前已量产的
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- 继HBM之后，三星电子2024年的首要任务就是在代工业务方面抢下GPU大厂英伟达(NVIDIA)的订单。尤其是，随着晶圆代工龙头台积电面临地震等风险，三星电子迫切寻求机会，为英伟达打造第二代3纳米制程的供应链。韩国媒体报导，根据市场人士20日的透露，三星电子的晶圆代工部门已经在内部制定「Nemo」计划，也就是要赢得英伟达3纳米制程的代工订单，成为2024年的首要任务。市场人士透露，三星电子晶圆代工部门的各单位正在全力以赴，把对英伟达的相关接单工作列为优先。不过，现阶段三星代工部门内并未成立专门的组织。事实
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- 全球半导体大厂韩国三星即将在今年上半年量产的第2代3nm制程，不过据韩媒指出，三星3nm制程目前良率仅有20%，相较于台积电N3B制程良率接近55%，还不及台积电良率的4成，使得三星在争夺英伟达（NVIDIA）代工订单受挫。外媒分析称，三星恐怕要在先进制程上多加努力，才有可能与台积电竞争，留住大客户的订单。据《芯智讯》引述韩媒的报导说，本月初EDA大厂新思科技曾宣布，三星采用最新3nm GAA制程的旗舰行动系统单芯片（SoC），基于新思科技的EDA工具已成功完成设计定案（tape out）。外界认为，该芯
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- 三星电子宣布任命Young Hyun Jun为新的设备解决方案部负责人。设备解决方案部是三星半导体业务的一部分，Jun在公司工作了24年后被选中领导这一部门。在董事会和股东批准后，Jun将正式被任命为三星的总裁兼首席执行官。三星采用双CEO系统，一位CEO负责半导体业务，另一位负责设备体验（手机、显示器等）。根据三星的说法，Jun的主要目标是“在不确定的全球商业环境中加强其竞争力。”Jun接替了现任总裁Kyehyun Kyung的职位，后者现在取代Jun担任未来业务部的负责人，该部门于2023年成立，旨在
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- IT之家 5 月 21 日消息，综合韩媒 ZDNet Korea 和 The Elec 报道，三星电子执行副总裁 Lee Siwoo 在本月举行的 IEEE IMW 2024 研讨会上表示该企业计划在明年推出 4F2 VCT DRAM 原型。目前 3D DRAM 领域商业化研究集中在两种结构上：一种是 4F2 VCT（IT之家注：Vertical Channel Transistor，垂直通道晶体管） DRAM；另一种是 VS-CAT（Vertical Stacke
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- 2024年第一季度全球OLED面板市场出货量排名出炉，最新数据显示中国厂商在OLED面板市场的表现令人瞩目，前五名中独占四席。随着技术进步和市场需求增加，预计未来中国将继续成为全球OLED产业的重要参与者之一。根据群智咨询的统计数据，全球智能手机面板市场在本季度出货量约为5.4亿片，同比增长约24.4%。三星依然以42.4%的市场份额保持全球OLED智能手机面板市场的领头羊地位，掌握着全球手机近一半市场。三星OLED面板利润也是行业最高，主打高端定位，除了三星Galaxy S24系列自家产品使用，还有iP
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- 存储器大厂美光、SK海力士和三星2023年7月底、8月中旬、10月初向英伟达送样八层垂直堆叠24GB HBM3E，美光和SK海力士HBM3E于2023年初通过英伟达验证，并获订单，三星HBM3E却未通过验证。外媒报导，三星至今未通过英伟达验证，是卡在台积电。身为英伟达数据中心GPU制造和封装厂，台积电也是英伟达验证重要参与者，传闻采合作伙伴SK海力士HBM3E验证标准，而三星制程与SK海力士有差异，SK海力士采MR-RUF，三星则是TC-NCF，对参数多少有影响。三星2024年第一季财报表示，八层垂直堆叠
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- 近两年，DRAM市场已经开始从DDR4内存向DDR5内存过渡，此外在存储器市场经历低迷后，供应商普遍减少了DDR3内存的生产并降低了库存水平。DDR3内存的市场需求量进一步减少，更多地被DDR4和DDR5内存所取代。据市场消息称，全球头部DRAM供货商三星、SK海力士将在下半年停止供应DDR3内存，全力冲刺高带宽内存（HBM）与主流DDR5规格内存。随着三星和SK海力士停产DDR3内存，很可能带动DDR3内存的价格上涨，预计涨幅最高可达20%。三星已经通知客户将在本季度末停产DDR3；而SK海力士则在去年
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- 5月15日消息，据市场消息称，三星、SK海力士将在下半年停止生产、供应DDR3内存，转向利润更丰厚的DDR5内存、HBM系列高带宽内存。DDR3虽然在技术、性能上已经落伍，PC、服务器都不再使用，但因为非常成熟，功耗和价格都很低，在嵌入式领域依然大有可为，尤其是Wi-Fi路由器、网络交换机等。但对于芯片厂商来说，DDR3利润微薄，无利可图，形同鸡肋。而在AI的驱动下，HBM高带宽内存需求飙升，产能远远无法满足，2024年和2025年的大部分产能都已经被订满，HBM2E、HBM3、HBM3E等的价格预计明年
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- 三星电子计划实现“PB级”存储器目标。三星高层曾预期，V-NAND在2030年叠加千层以上。最新消息指出，三星考虑用新“铁电”材料铪基薄膜铁电（Hafnia Ferroelectrics）实现目标，且可能是关键。目前，三星已经推出了290层的堆叠第九代V-NAND快闪存储器，而据业内消息，三星计划于明年推出第10代NAND芯片，采用三重堆叠技术，堆叠层数将达到惊人的430层。三星的目标是尽快实现超过1000 TB的存储容量里程碑，为大数据、云计算等领域的发展提供强大的存储支持。最新消息是，KAIST的研究
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- 三星电子计划实现“PB级”存储器目标。三星高层曾预期，V-NAND在2030年叠加千层以上。最新消息指出，三星考虑用新“铁电”材料铪基薄膜铁电（Hafnia Ferroelectrics）实现目标，且可能是关键。目前，三星已经推出了290层的堆叠第九代V-NAND快闪存储器，而据业内消息，三星计划于明年推出第10代NAND芯片，采用三重堆叠技术，堆叠层数将达到惊人的430层。三星的目标是尽快实现超过1000
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- IT之家 5 月 14 日消息，据韩媒 Hankyung 报道，两大存储巨头 SK 海力士、三星电子在出席本月早前举行的投资者活动时表示，整体 DRAM 生产线中已有两成用于 HBM 内存的生产。相较于通用 DRAM，HBM 内存坐拥更高单价，不过由于 TSV 工艺良率不佳等原因，对晶圆的消耗量是传统内存的两倍乃至三倍。内存企业唯有提升产线占比才能满足不断成长的 HBM 需求。正是在这种“产能占用”的背景下，三星电子代表预计，不仅 HBM 内存，通用 DRAM（如标准 DDR5）的价格年内也不会
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- 5月14日消息，近日，据外媒报道，三星电子已停止自动驾驶汽车研究，并且将研发人员转移到机器人领域。负责三星中长期发展的三星先进技术研究院（SAIT），已经将自动驾驶排除在研究项目之外，将开发人员转移到机器人领域，作为三星中长期发展的一部分。在2023年的公开活动中，三星电子曾透露，由SAIT研发的自动驾驶技术已接近"L4级"，并在2022年10月在韩国完成了长达200公里的测试，且开发了自动驾驶汽车的半导体、显示器和传感器等相关技术。然而，由于开发难度超出预期、高级别自动就爱是商业化困
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- 韩国媒体报导，继苹果暂停Apple Car计划后，三星电子也决定叫停自驾车研发项目，转而将研发人员投入机器人领域。这也让曾被视为未来主流趋势的「自驾车时代」，因多家车厂相继放弃相关技术研发，而蒙上巨大阴影。根据BusiessKorea报导，由于预期自驾车商业化还需要一段长时间，三星已经放弃第4级（Level 4）自驾技术，也就是车辆能够自动行驶的研发阶段。业界消息人士透露，三星内部负责中长程发展的三星先进技术研究院（SAIT），已将自驾计划排除在研究项目之外，并把相关研发人员转调到机器人领域。三星去年曾成
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- 作为引领新一轮科技革命和产业变革的战略性技术，人工智能AI已经成为新型工业化发展的重要推动力之一。在ChatGPT热潮推动下，当前，AI人工智能及其应用在全球迅速普及。从产业格局来看，目前英伟达在AI芯片市场几乎掌握着绝对的话语权。而与此同时，为加速占领风口，以谷歌、微软、苹果等为代表的各大科技厂商都积极下场竞赛。其中，Meta、谷歌、英特尔、苹果推出了最新的AI芯片，希望降低对英伟达等公司的依赖，而微软、三星等厂商在AI方面的投资计划及进展亦相继传出。微软：逾110亿美元投资计划公布微软方面，近日，据多
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