2024年折叠手机出货量约1,780万部，占智能手机市场仅约1.5%，由于高维修率、高售价的问题待解决，预计至2028年占比才有机会达到4.8%。三星（Samsung）初入市场作为折叠手机的先驱之姿，在2022年占据了超过八成市场份额，从2023到2024年间，开始面临随着多家智慧型手机品牌厂加入竞争，市场份额从六成降到了五成保卫战。今年折叠手机的重要角色华为（Huawei），在2023年推出4G吸睛小折Pocket S，市场销量成绩优异，推动了华为2023年其折叠手机市占率首次突破双位数，达12%。20
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近日，三星电子对外表示，8nm版本的eMRAM开发已基本完成，正按计划逐步推进制程升级。资料显示，eMRAM是一种基于磁性原理的、非易失性的新型存储技术，属于面向嵌入式领域的MRAM（磁阻存储器）。与传统DRAM相比，eMRAM具备更快存取速度与更高耐用性，不需要像DRAM一样刷新数据，同时写入速度是NAND的1000倍数。基于上述特性，业界看好eMRAM未来前景，尤其是在对性能、能效以及耐用性较高的场景中，eMRAM被寄予厚望。三星电子是eMRAM主要生产商之一，致力于推动eMRAM在汽车领域的应用。三
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根据Counterpoint Research的最新报告，2024年第一季度，全球可折叠智能手机市场同比增长49%，创下了六个季度以来的最高增速。出货量前十名分别为华为、三星、荣耀、摩托罗拉，各自的市场份额分别为35%、23%、12%、11%；从出货量的同比变化来看，华为同比增长257%，三星同比减少42%，荣耀同比增长460%，摩托罗拉同比增长1473%。华为折叠屏手机的销量猛增257%，市场份额的增长主要得益于首次推出支持5G的折叠屏手机：例如上市即热销的小折叠华为Pocket 2和大折叠华为Mate
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6月4日消息，据engadget报道，随着三星Galaxy Ring智能戒指的发布日期逐渐临近，该公司已采取法律行动，对智能戒指制造商Oura提起诉讼。Samsung三星在诉讼中指出，Oura利用其专利组合对多个规模较小的可穿戴技术竞争对手提起诉讼，并暗示可能对三星这一行业巨头采取相似法律行动。“Oura的一系列行为和公开声明显示，他们有可能会继续指控包括三星在内的其他进入美国智能戒指市场的公司侵犯其专利权，”诉讼文件中写道，该诉讼最早由科技新闻网站The Verge报道。“Oura对Galaxy Rin
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据外媒报道，三星计划在今年6月召开的2024年晶圆代工论坛上，正式公布其1nm制程工艺计划，并计划将1nm的量产时间从原本的2027年提前到2026年。据了解，三星电子已于2022年6月在全球首次成功量产3nm晶圆代工，并计划在2024年开始量产其第二代3nm工艺。根据三星之前的路线图，2nm SF2 工艺将于2025年亮相，与 3nm SF3 工艺相比，同等情况下能效可提高25%，性能可提高12%，同时芯片面积减少5%。报道中称，三星加速量产1nm工艺的信心，或许来自于“Gate-All-Around（
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Canalys最新数据显示，2024年第一季度，全球可穿戴腕带设备的出货量达4120万台，与去年同期基本持平。厂商方面，2024年第一季度，苹果持续两位数的下滑，但依旧以18%的份额稳坐第一；小米依托其腕带类丰富的产品组合和海外的快速扩张，同比增长38%，以15%的份额位列第二；华为凭借Watch GT4在国内的强势出货，同比增长46%，以13%的市场份额位列第三。三星进军入门级设备，推出新品手环Galaxy Fit3，同比实现4%增长，以7%的份额位列第四；Noise受印度市场整体市场表现不佳的影响，一
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瑞银举办亚洲投资论坛，首席环球股市分析师Andrew Garthwaite看好生成式人工智能技术从2028年起，每年提升生产力至少1%，同时他也看好台积电与三星，其中台积电技术领先中国大陆同业5年、美国同业2年，为长期最具吸引力的投资选择。香港经济日报报导，瑞银亚洲投资论坛在香港登场，会中畅谈全球经济脉动与股市发展，提到目前最热门的人工智能议题，Andrew Garthwaite表示，生成式人工智能技术属于轻资本，且目前已经有20%的个人计算机开放支持，拥有前所未有的覆盖率，预估2028年开始，生成式人工
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据外媒报道，三星电子正在积极探索“铪基薄膜铁电（Hafnia Ferroelectrics）”作为下一代NAND闪存材料，希望这种新材料可以堆叠1000层以上的3D NAND，并实现pb级ssd。如果上述材料研发顺利，将能够在特定条件下表现出铁电性，有望取代目前在3D NAND堆叠技术中使用的氧化物薄膜，提升芯片耐用与稳定度。据三星电子高管预测，到2030年左右，其3D NAND的堆叠层数将超过1000层。三星高管Giwook Kim将于今年6月发表技术演讲，分析铪基薄膜铁电（Hafnia Ferroel
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有报导称，三星的高频宽存储器（HBM）产品因过热和功耗过大等问题，未能通过Nvidia品质测试，三星对此否认。韩媒BusinessKorea报导称，三星表示正与多间全球合作伙伴顺利开展HBM供应测试，强调将继续合作，确保品质和可靠性。三星声明表示，“我们正与全球各合作伙伴顺利测试HBM供应，努力提高所有产品品质和可靠性，也严格测试HBM产品的品质和性能，以便为客户提供最佳解决方案。”三星近期开始量产第五代HBM产品，即8-Hi（24GB）和12-Hi（36GB）容量的HBM3E设备。外媒Tom′s Har
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当地时间5月26日下午，国务院总理李强在首尔出席第九次中日韩领导人会议期间会见韩国三星集团会长李在镕。李强表示，三星对华合作是中韩两国互利共赢、合作发展的一个生动缩影。随着两国经济持续发展、新兴产业不断涌现，合作的前景将越来越广阔。李强进一步强调，外资企业是中国发展不可或缺的重要力量，欢迎三星等韩国企业继续扩大对华投资合作，分享更多中国新发展带来的新机遇。在会见期间，李强提到中韩双方在高端制造、人工智能等领域的合作。李强表示，希望两国企业围绕高端制造、数字经济、人工智能、绿色发展、生物医药等新领域深挖合作
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IT之家 5 月 27 日消息，据新华社报道，当地时间 5 月 26 日下午，在首尔举行的第九次中日韩领导人会议期间，韩国三星集团会长李在镕表示将“坚持在华发展，致力于做中国人民喜爱的企业”。报道称，李在镕介绍了三星集团在华投资合作情况，感谢中国政府为三星在华生产经营提供的大力支持，表示三星将坚持在华发展，致力于做中国人民喜爱的企业，继续为韩中互利合作作出自己的贡献。此前消息称，三星正在提高中国大陆手机产量，将 JDM（共同开发设计制造）产品产量从 4400 万台提升至 67
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5 月 27 日消息，此前有消息称三星电子最新的高带宽内存（HBM）芯片尚未通过英伟达测试，有“知情人士”表示，该公司的芯片因发热和功耗问题而受到影响。不过据韩媒Business Korea 报道，三星电子发布声明否认了相关报道，该公司声称他们正在与多家全球合作伙伴“顺利进行 HBM 芯片测试过程”，同时强调“他们正与其他商业伙伴持续合作，以确保产品质量和可靠性”。三星最近开始批量生产其第五代
HBM 芯片 ——24GB（8-Hi）/ 36GB（12-Hi）的 HBM3E 产品。在目前已量产的
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5 月 27 日消息，此前有消息称三星电子最新的高带宽内存（HBM）芯片尚未通过英伟达测试，有“知情人士”表示，该公司的芯片因发热和功耗问题而受到影响。不过据韩媒Business Korea 报道，三星电子发布声明否认了相关报道，该公司声称他们正在与多家全球合作伙伴“顺利进行 HBM 芯片测试过程”，同时强调“他们正与其他商业伙伴持续合作，以确保产品质量和可靠性”。三星最近开始批量生产其第五代 HBM 芯片 ——24GB（8-Hi）/ 36GB（12-Hi）的 HBM3E 产品。在目前已量产的
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继HBM之后，三星电子2024年的首要任务就是在代工业务方面抢下GPU大厂英伟达(NVIDIA)的订单。尤其是，随着晶圆代工龙头台积电面临地震等风险，三星电子迫切寻求机会，为英伟达打造第二代3纳米制程的供应链。韩国媒体报导，根据市场人士20日的透露，三星电子的晶圆代工部门已经在内部制定「Nemo」计划，也就是要赢得英伟达3纳米制程的代工订单，成为2024年的首要任务。市场人士透露，三星电子晶圆代工部门的各单位正在全力以赴，把对英伟达的相关接单工作列为优先。不过，现阶段三星代工部门内并未成立专门的组织。事实
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全球半导体大厂韩国三星即将在今年上半年量产的第2代3nm制程，不过据韩媒指出，三星3nm制程目前良率仅有20%，相较于台积电N3B制程良率接近55%，还不及台积电良率的4成，使得三星在争夺英伟达（NVIDIA）代工订单受挫。外媒分析称，三星恐怕要在先进制程上多加努力，才有可能与台积电竞争，留住大客户的订单。据《芯智讯》引述韩媒的报导说，本月初EDA大厂新思科技曾宣布，三星采用最新3nm GAA制程的旗舰行动系统单芯片（SoC），基于新思科技的EDA工具已成功完成设计定案（tape out）。外界认为，该芯
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