- 当地时间5月26日下午，国务院总理李强在首尔出席第九次中日韩领导人会议期间会见韩国三星集团会长李在镕。李强表示，三星对华合作是中韩两国互利共赢、合作发展的一个生动缩影。随着两国经济持续发展、新兴产业不断涌现，合作的前景将越来越广阔。李强进一步强调，外资企业是中国发展不可或缺的重要力量，欢迎三星等韩国企业继续扩大对华投资合作，分享更多中国新发展带来的新机遇。在会见期间，李强提到中韩双方在高端制造、人工智能等领域的合作。李强表示，希望两国企业围绕高端制造、数字经济、人工智能、绿色发展、生物医药等新领域深挖合作
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- IT之家 5 月 27 日消息，据新华社报道，当地时间 5 月 26 日下午，在首尔举行的第九次中日韩领导人会议期间，韩国三星集团会长李在镕表示将“坚持在华发展，致力于做中国人民喜爱的企业”。报道称，李在镕介绍了三星集团在华投资合作情况，感谢中国政府为三星在华生产经营提供的大力支持，表示三星将坚持在华发展，致力于做中国人民喜爱的企业，继续为韩中互利合作作出自己的贡献。此前消息称，三星正在提高中国大陆手机产量，将 JDM（共同开发设计制造）产品产量从 4400 万台提升至 67
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- 5 月 27 日消息，此前有消息称三星电子最新的高带宽内存（HBM）芯片尚未通过英伟达测试，有“知情人士”表示，该公司的芯片因发热和功耗问题而受到影响。不过据韩媒Business Korea 报道，三星电子发布声明否认了相关报道，该公司声称他们正在与多家全球合作伙伴“顺利进行 HBM 芯片测试过程”，同时强调“他们正与其他商业伙伴持续合作，以确保产品质量和可靠性”。三星最近开始批量生产其第五代
HBM 芯片 ——24GB（8-Hi）/ 36GB（12-Hi）的 HBM3E 产品。在目前已量产的
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- 5 月 27 日消息，此前有消息称三星电子最新的高带宽内存（HBM）芯片尚未通过英伟达测试，有“知情人士”表示，该公司的芯片因发热和功耗问题而受到影响。不过据韩媒Business Korea 报道，三星电子发布声明否认了相关报道，该公司声称他们正在与多家全球合作伙伴“顺利进行 HBM 芯片测试过程”，同时强调“他们正与其他商业伙伴持续合作，以确保产品质量和可靠性”。三星最近开始批量生产其第五代 HBM 芯片 ——24GB（8-Hi）/ 36GB（12-Hi）的 HBM3E 产品。在目前已量产的
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- 继HBM之后，三星电子2024年的首要任务就是在代工业务方面抢下GPU大厂英伟达(NVIDIA)的订单。尤其是，随着晶圆代工龙头台积电面临地震等风险，三星电子迫切寻求机会，为英伟达打造第二代3纳米制程的供应链。韩国媒体报导，根据市场人士20日的透露，三星电子的晶圆代工部门已经在内部制定「Nemo」计划，也就是要赢得英伟达3纳米制程的代工订单，成为2024年的首要任务。市场人士透露，三星电子晶圆代工部门的各单位正在全力以赴，把对英伟达的相关接单工作列为优先。不过，现阶段三星代工部门内并未成立专门的组织。事实
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- 全球半导体大厂韩国三星即将在今年上半年量产的第2代3nm制程，不过据韩媒指出，三星3nm制程目前良率仅有20%，相较于台积电N3B制程良率接近55%，还不及台积电良率的4成，使得三星在争夺英伟达（NVIDIA）代工订单受挫。外媒分析称，三星恐怕要在先进制程上多加努力，才有可能与台积电竞争，留住大客户的订单。据《芯智讯》引述韩媒的报导说，本月初EDA大厂新思科技曾宣布，三星采用最新3nm GAA制程的旗舰行动系统单芯片（SoC），基于新思科技的EDA工具已成功完成设计定案（tape out）。外界认为，该芯
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- 三星电子宣布任命Young Hyun Jun为新的设备解决方案部负责人。设备解决方案部是三星半导体业务的一部分，Jun在公司工作了24年后被选中领导这一部门。在董事会和股东批准后，Jun将正式被任命为三星的总裁兼首席执行官。三星采用双CEO系统，一位CEO负责半导体业务，另一位负责设备体验（手机、显示器等）。根据三星的说法，Jun的主要目标是“在不确定的全球商业环境中加强其竞争力。”Jun接替了现任总裁Kyehyun Kyung的职位，后者现在取代Jun担任未来业务部的负责人，该部门于2023年成立，旨在
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- IT之家 5 月 21 日消息，综合韩媒 ZDNet Korea 和 The Elec 报道，三星电子执行副总裁 Lee Siwoo 在本月举行的 IEEE IMW 2024 研讨会上表示该企业计划在明年推出 4F2 VCT DRAM 原型。目前 3D DRAM 领域商业化研究集中在两种结构上：一种是 4F2 VCT（IT之家注：Vertical Channel Transistor，垂直通道晶体管） DRAM；另一种是 VS-CAT（Vertical Stacke
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- 2024年第一季度全球OLED面板市场出货量排名出炉，最新数据显示中国厂商在OLED面板市场的表现令人瞩目，前五名中独占四席。随着技术进步和市场需求增加，预计未来中国将继续成为全球OLED产业的重要参与者之一。根据群智咨询的统计数据，全球智能手机面板市场在本季度出货量约为5.4亿片，同比增长约24.4%。三星依然以42.4%的市场份额保持全球OLED智能手机面板市场的领头羊地位，掌握着全球手机近一半市场。三星OLED面板利润也是行业最高，主打高端定位，除了三星Galaxy S24系列自家产品使用，还有iP
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- 存储器大厂美光、SK海力士和三星2023年7月底、8月中旬、10月初向英伟达送样八层垂直堆叠24GB HBM3E，美光和SK海力士HBM3E于2023年初通过英伟达验证，并获订单，三星HBM3E却未通过验证。外媒报导，三星至今未通过英伟达验证，是卡在台积电。身为英伟达数据中心GPU制造和封装厂，台积电也是英伟达验证重要参与者，传闻采合作伙伴SK海力士HBM3E验证标准，而三星制程与SK海力士有差异，SK海力士采MR-RUF，三星则是TC-NCF，对参数多少有影响。三星2024年第一季财报表示，八层垂直堆叠
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- 近两年，DRAM市场已经开始从DDR4内存向DDR5内存过渡，此外在存储器市场经历低迷后，供应商普遍减少了DDR3内存的生产并降低了库存水平。DDR3内存的市场需求量进一步减少，更多地被DDR4和DDR5内存所取代。据市场消息称，全球头部DRAM供货商三星、SK海力士将在下半年停止供应DDR3内存，全力冲刺高带宽内存（HBM）与主流DDR5规格内存。随着三星和SK海力士停产DDR3内存，很可能带动DDR3内存的价格上涨，预计涨幅最高可达20%。三星已经通知客户将在本季度末停产DDR3；而SK海力士则在去年
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- 5月15日消息，据市场消息称，三星、SK海力士将在下半年停止生产、供应DDR3内存，转向利润更丰厚的DDR5内存、HBM系列高带宽内存。DDR3虽然在技术、性能上已经落伍，PC、服务器都不再使用，但因为非常成熟，功耗和价格都很低，在嵌入式领域依然大有可为，尤其是Wi-Fi路由器、网络交换机等。但对于芯片厂商来说，DDR3利润微薄，无利可图，形同鸡肋。而在AI的驱动下，HBM高带宽内存需求飙升，产能远远无法满足，2024年和2025年的大部分产能都已经被订满，HBM2E、HBM3、HBM3E等的价格预计明年
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- 三星电子计划实现“PB级”存储器目标。三星高层曾预期，V-NAND在2030年叠加千层以上。最新消息指出，三星考虑用新“铁电”材料铪基薄膜铁电（Hafnia Ferroelectrics）实现目标，且可能是关键。目前，三星已经推出了290层的堆叠第九代V-NAND快闪存储器，而据业内消息，三星计划于明年推出第10代NAND芯片，采用三重堆叠技术，堆叠层数将达到惊人的430层。三星的目标是尽快实现超过1000 TB的存储容量里程碑，为大数据、云计算等领域的发展提供强大的存储支持。最新消息是，KAIST的研究
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- 三星电子计划实现“PB级”存储器目标。三星高层曾预期，V-NAND在2030年叠加千层以上。最新消息指出，三星考虑用新“铁电”材料铪基薄膜铁电（Hafnia Ferroelectrics）实现目标，且可能是关键。目前，三星已经推出了290层的堆叠第九代V-NAND快闪存储器，而据业内消息，三星计划于明年推出第10代NAND芯片，采用三重堆叠技术，堆叠层数将达到惊人的430层。三星的目标是尽快实现超过1000
TB的存储容量里程碑，为大数据、云计算等领域的发展提供强大的存储支持。最新消息是，KAIST的
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- IT之家 5 月 14 日消息，据韩媒 Hankyung 报道，两大存储巨头 SK 海力士、三星电子在出席本月早前举行的投资者活动时表示，整体 DRAM 生产线中已有两成用于 HBM 内存的生产。相较于通用 DRAM，HBM 内存坐拥更高单价，不过由于 TSV 工艺良率不佳等原因，对晶圆的消耗量是传统内存的两倍乃至三倍。内存企业唯有提升产线占比才能满足不断成长的 HBM 需求。正是在这种“产能占用”的背景下，三星电子代表预计，不仅 HBM 内存，通用 DRAM（如标准 DDR5）的价格年内也不会
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