台积电3纳米产能供不应求，预期订单满至2026年，日前传出台积电3纳米代工价调整上看5％以上，先进封装明年年度报价也约有10％～20％的涨幅。韩媒撰文指出，台积电涨价三星并未获得转单好处，主因大客户优先考虑的并非价格，而是高良率与先进制程的可靠生产力。 韩媒BusinessKorea以「台积电涨价仍留住客户的原因是什么？」为题撰文指出，辉达执行长黄仁勋6月初在台北国际计算机展期间，曾表示支持台积电提高代工价格，并表示苹果、高通等也将会接受台积电涨价。由于台积电3纳米供应严重短缺，产生继续涨价的空间，报导续
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随着人工智能（AI）相关半导体对高带宽存储（HBM）需求的推动，NAND 闪存市场也感受到了这一趋势的影响。目前，NAND 闪存市场的竞争正在加剧，存储巨头三星和 SK 海力士正加紧努力，以提升 NAND 产品的性能和容量。两大巨头轮番出手三星投产第九代 V-NAND 闪存今年 4 月，三星宣布其第九代 V-NAND 1Tb TLC 产品开始量产，这将有助于巩固其在 NAND 闪存市场的卓越地位。那么 V-NAND 闪存是什么呢？众所周知，平面 NAND 闪存不仅有 SLC、MLC 和 TLC 类型之分，
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随着AI风潮席卷全球，相关人才争夺战已经逐渐白热化，而身为AI霸主的英伟达更是许多工程师心中的梦幻企业。不过据韩媒报导，在英伟达大力吸引韩国在内的全球工程师之际，人才流失严重的三星电子也不甘示弱从英伟达挖角，连台积电、美光与英特尔等半导体厂商都成为挖角对象。 韩国《朝鲜日报》以招聘平台领英的数据所做的分析结果显示，在英伟达的员工当中，有515人（以加入领英为基准）来自三星电子，而三星则从英伟达挖走278人。面对庞大的人才流失，三星除了从英伟达挖角，还从台积电、英特尔与美光下手。三星电子有195名员工来自于
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不当AI芯片边缘人？三星近日宣布重大决策，将投资图形处理单元 （GPU）领域，外界联想是否与GPU巨头英伟达正面竞争。业界认为，此投资案可望强化三星在GPU领域竞争力，美媒也直言，主要在于GPU研究，改善半导体制造流程，而不是推出新款GPU产品，游戏玩家别期待了。 韩媒Business Korea报导，三星投资GPU的细节并未对外揭露，但这次决策与以往专注于内存、晶圆代工等服务有所不同，格外引人瞩目。部分市场人士解读，这项投资是三星的内部策略，目的在于利用GPU来提升半导体制程创新，而不是要开发、制造GP
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根据韩国媒体Etnews的报导，晶圆代工大厂三星正在考虑将其设在美国德州泰勒市的晶圆厂制程技术，从原计划的4纳米改为2纳米，以加强与台积电美国厂和英特尔的竞争。消息人士称，三星电子最快将于第三季做出最终决定。报导指出，三星的美国德州泰勒市晶圆厂投资于2021年，2022年开始兴建，计划于2024年底开始分阶段运营。以三星电子DS部门前负责人Lee Bong-hyun之前的说法表示，到2024年底，我们将开始从这里出货4纳米节点制程的产品。不过，相较于三星泰勒市晶圆厂，英特尔计划2024年在亚利桑那州和俄亥
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IT之家 6 月 19 日消息，韩媒 ETNews 援引业内人士的话称，韩国两大存储巨头三星电子和 SK 海力士目前的通用 DRAM 内存产能利用率维持在 80~90% 水平。韩媒宣称，这一情况同主要企业已实现生产正常化的 NAND 闪存产业形成鲜明对比：除铠侠外，三星电子和 SK 海力士也已于本季度实现 NAND 产线满负荷运行。报道指出，目前通用 DRAM （IT之家注：即常规 DDR、LPDDR）需求整体萎靡，市场仍呈现供大于求的局面，是下游传统服务器、智能手机和 PC 产业复苏缓慢导致的
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IT之家 6 月 18 日消息，据韩媒《韩国经济日报》报道，三星电子将于年内推出可将 HBM 内存与处理器芯片 3D 集成的 SAINT-D 技术。报道同时指出，在今年发布后，三星有望于明年推出的 HBM4 内存中正式应用 SAINT（IT之家注：即 Samsung Advanced INterconnect Technology 的简写）-D 技术。SAINT-D 是三星电子的一项 3DIC 先进封装技术，旨在垂直集成逻辑裸片和 DRAM 内存裸片。报道
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据韩媒报道，当地时间6月12日，三星电子在美国硅谷举办“三星晶圆代工论坛2024（Samsung Foundry Forum,SFF）”，并公布了其晶圆代工技术战略。活动中，三星公布了两个新工艺节点，包括SF2Z和SF4U。其中，SF2Z是2nm工艺，采用背面电源输送网络（BSPDN）技术，通过将电源轨置于晶圆背面，以消除与电源线和信号线有关的互联瓶颈，计划在2027年大规模生产。与第一代2nm技术相比，SF2Z不仅提高了PPA，还显著降低了电压降（IR drop），从而提高了高性能计算（HPC）的性能。
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三星乐观看待智慧手表市场成长趋势，今日宣布推出全新Galaxy Watch FE，集结耐用的蓝宝石玻璃设计及亮眼外型、完善的运动追踪与全方位健康监测功能，以亲民价格即享众多优异体验。Galaxy Watch FE（蓝牙版）共推出「曜石黑」、「玫瑰金」、「星夜银」三款颜色，建议售价NT$5,990，自6月下旬起于全台各大通路正式上市，消费者凡于7月16日前在全通路购买三星不限型号手机或平板，即可现折NT$1,000加购Galaxy Watch FE，五千有找轻松入手，开启崭新智慧生态圈体验。三星电子行动通讯
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6月14日消息，高通公司首席执行官Cristiano Amon近日在接受采访时表示，公司正在认真评估台积电、三星双源生产战略。据悉，高通骁龙8 Gen4将在今年10月登场，这颗芯片完全交由台积电代工，采用台积电N3E节点，这是台积电第二代3nm制程。因苹果、联发科等科技巨头都采用台积电3nm工艺，出于对台积电产能有限的考虑，高通有意考虑双代工厂策略。此前有消息称骁龙8 Gen4原本计划采用双代工模式，但是三星3nm产能扩张计划趋于保守，加上良品率并不稳定，最终高通选择延后执行该计划。不过高通并未放弃双代工
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美中贸易战冲突未歇，传出美国将再次出手打击大陆半导体产业，针对最新的环绕闸极场效晶体管（GAA）技术祭出限制措施，限制其获取人工智能（AI）芯片技术的能力，换言之，美国将防堵大陆取得先进芯片，扩大受管制的范围。 美国财经媒体引述知情人士消息报导，拜登政府考虑新一波的半导体限制措施，以避免大陆能够提升技术，进而增强军事能力，有可能限制大陆取得GAA技术，但确切状况仍得等官方进一步说明，且不清楚官员何时会宣布新措施。若此事成真，大陆发展先进半导体将大受打击。目前三星从3纳米开始使用GAA技术，台积电则从2纳米
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据彭博社报道，当地时间6月13日，三星电子在其年度代工论坛上公布了芯片制造技术路线图，以增强其在AI人工智能芯片代工市场的竞争力。三星预测，到2028年，其人工智能相关客户名单将扩大五倍，收入将增长九倍。报道指出，三星电子公布了对未来人工智能相关芯片的一系列布局。在其公布的技术路线图中，一项重要的创新是采用了背面供电网络技术。据三星介绍，该技术与传统的第一代2纳米工艺相比，在功率、性能和面积上均有所提升，同时还能显著降低电压降。三星还强调了其在逻辑、内存和先进封装方面的综合能力。三星认为，这将有助于公司赢
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IT之家 6 月 13 日消息，三星电子在当地时间 6 月 12 日举行的三星代工论坛 2024 北美场上重申，其 SF1.4 工艺有望于 2027 年量产，回击了此前的媒体传闻。三星表示其 1.4nm 级工艺准备工作进展顺利，预计可于 2027 年在性能和良率两方面达到量产里程碑。此外，三星电子正在通过材料和结构方面的创新，积极研究后 1.4nm 时代的先进逻辑制程技术，实现三星不断超越摩尔定律的承诺。三星电子同步确认，其仍计划在 2024 下半年量产第二代 3nm 工艺 SF3。而在更传统的
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IT之家 6 月 13 日消息，三星电子在北京时间今日凌晨举行的三星代工论坛 2024 北美场上宣布，其首个采用 BSPDN（背面供电网络）的制程节点 SF2Z 将于 2027 年量产推出。BSPDN 技术将芯片的供电网络转移至晶圆背面，与信号电路分离。此举可简化供电路径，大幅降低供电电路对互联信号电路的干扰。三大先进制程代工厂目前均将背面供电视为工艺下一步演进的关键技术：英特尔将于今年率先在其 Intel 20A 制程开始应用其背面供电解决方案 PowerVia；台积电则称搭载其 Super
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近日，英伟达(NVIDIA)执行长黄仁勋在2024年中国台北国际电脑展上对三星HBM因过热问题而未能通过测试的报道进行了反驳。他表示，英伟达正在努力测试三星和美光生产的HBM芯片，但目前尚未通过测试，因为还有更多的工程工作要做。其中特别针对三星HBM产品的质量问题，黄仁勋表示，认证三星HBM需要更多工作和充足耐心，而并非部分媒体所报道的因芯片过热问题未通过质量测试。他重申，英伟达与三星的合作进展顺利。此前，三星也坚决否认有关其高带宽存储（HBM）产品未能达到英伟达质量标准的报道。三星电子在一份声明中表示，
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