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行动装置风潮崛起使得PC DRAM需求式微，自2011年起包括Mobile RAM、服务器DRAM等，俨然已成为DRAM厂最佳避风港，然在各家存储器大厂一窝蜂抢进下，Mobile RAM已率先发难，出现供过于求警讯，......
三星电子和海力士半导体周五延续跌势，因分析师表示，这两家世界数一数二的记忆体芯片制造商获利前景继续恶化。 现代证券分析师Jin Seong-hye称，“三星电子和海力士半导体的获利预估最近几周持续恶化,记忆体芯......
Rambus声名狼藉，不过在技术方面的确是有自己的一套。在东京召开的2011年超大规模集成电路讨论会上，Rambus就宣布了一种突破性的快速加电、低功耗时钟技术，有望为内存设备带来全新的面貌。配合40nm低功耗CMO......
Hynix半导体公司在近日举办的2011VLSI研讨上宣布成功研发出了20nm制程64Gbit 多位元型(MLC)NAND闪存芯片，Hynix称这款产品是业内首款基于20nm制程的大容量MLC NAND闪存芯片。 ......
日本尔必达公司近日宣布成功开发出了DRAM业界首款使用HKMG技术的2Gbit密度LPDDR2 40nm制程级别DRAM芯片产品。HKMG技术即指晶体管的栅极绝缘层采用高介电常数(缩写为high-k即HK)材料，栅电......
据国外媒体报道，据市场研究公司IHS iSuppli最新发表的研究报告称，由于包括亚马逊在内的许多硬件厂商都在设法推出自己的iPad杀手，2011年平板电脑对DRAM内存芯片的需求将增长9倍。 ......
根据集邦科技统计，随着今年平板计算机与智能型手机的兴起，PC出货量已不若往年呈现高度成长，随着后PC时代来临，各DRAM厂也纷纷转进行动式存储器市场，不过，在产出量将于下半年大增，加上平板计算机出货数字下修的影响，集......
DRAM厂茂德科技日前宣布，与马来西亚晶圆代工厂SiTerra技术合作，成功开发高电压制程技术，携手进军智能型手机应用市场。 茂德表示，与SiTerra合作主要是希望结合双方优势，将SiTerra先进高电压制程......
韩国半导体大厂海力士半导体(Hynix)主要NAND Flash产品群，近期将从原本的30纳米制程转换至20纳米级制程。海力士目前整体NAND Flash产量，以26纳米制程产品比重逾50%为最大。 海力士相关......
南韩半导体大厂海力士半导体(Hynix)主要NAND Flash产品群，近期将从原本的30纳米制程转换至20纳米级制程。海力士目前整体NAND Flash产量，以26纳米制程产品比重逾50%为最大。 海力士相关......
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