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在全球持续突破存储器运行速度的努力进程中，全球各研究人员均对于“相变化存储器”(Phase Change Memory;PCM)领域的研究感兴趣，并投入大量时间从事研发，最新则是美国史丹佛大学......
美光(Micron)3D NAND固态硬碟(SSD)产品方才正式面市，紧接又宣布将推出首款针对移动装置最佳化的3D NAND产品，这也是美光首款支援通用快闪储存(Universal Flash Storage;UFS......
NAND在今日储存市场中占有一席之地，而为了延长NAND的使用寿命，近来有研究提出，透过机器学习(Machine Learning)的应用，可让NAND的储存容量、耐久性以及资料保存达到最佳化。 Informa......
相对于旧式 HDD 硬盘的式微，NAND 闪存及 SSD 固态硬盘的发展就成了储存市场的潮流风向。不论是在移动设备、个人电脑、或是数据中心等市场上都在快速成长。而目前因为中国已经成为 NAND 闪存的最大市场，而 S......
Hot Chip 2016大会上，内存技术突然成了一大热点，DDR5、GDDR6、LPDDR5、HBM3等新一代标准相继浮出水面，明后两年陆续就能见到。 这份发展规划主要来自存储大厂三星，美光也提出了一些想法，......
闪存产业的指标性展会──2016年全球闪存高峰会(2016 Flash Memory Summit)甫落幕，TrendForce集邦科技旗下存储研究品牌DRAMeXchange(全球半导体观察)研究协理杨文得表示，大......
今天，镁光正式公布了DDR5内存的详细规格。作为DDR4内存的继任者，DDR5内存在性能上自然要高出DDR4一大截。从镁光公布的文件来看，DDR5内存将从8GB容量起步，最高可达单条32GB，I/O带宽能达到3.2-......
DRAMeXchange最新报告指出，中国地区的智慧型手机出货依然强劲，DRAM三大厂同步调整产品类别，持续向行动式记忆体转进，伴随第3季强劲的旺季备货需求到来，预估第3季全球DRAM总营收将出现较显著的成长。 ......
TrendForce旗下存储器储存事业处DRAMeXchange最新报告显示，由于市况供过于求，第2季DRAM的平均销售单价持续下滑，整体均价季跌幅超过5%，但受惠美光20纳米及SK海力士21纳米产出顺利，带动位元供......
在进展缓慢的储存技术世界里，NAND Flash的普及速度算是极快，几乎每种储存产品都有其足迹，最主要原因就是速度。据TechTarget报导，NAND Flash刚推出时是市场上最昂贵的储存装置，后来供应商发现只要......
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