三星、SK海力士HBM4：16层堆叠封装谁更胜一筹？

三星存储器事业部副社长金载俊（音译）在2025年第4季法说会上透露，三星已实现基于TC-NCF技术的16层HBM4堆叠封装技术达到可量产水准，能够及时满足客户需求。韩媒分析称，这意味着三星在10纳米级第六代1c DRAM的16层HBM4封装工艺中，已实现“可达获利水准”的良率水平。业界普遍认为，量产良率需超过60%才能达到盈亏平衡点。与此同时，SK海力士也已完成16层HBM4产品的量产准备。相关人士透露，其技术储备与量产能力均已就绪，可基于10纳米级第五代（1b）DRAM快速响应客户需求。不过当前市场对16层HBM4的需求有限，三星与SK 海力士均表示，实际需求仍以12层产品为主。金载俊指出，考虑到2026年12层第七代高HBM4E的样品供应规划，目前并无急迫量产16层HBM4的需求。SK海力士相关人士也表示，若市场需求明确，将迅速启动生产。在HBM4市场竞争中，三星凭借1c制程实现了11.7Gbps的业内最高传输速度。但韩国业界普遍预测，在英伟达首批HBM4订单中，SK 海力士或拿下50%~60%以上的份额，分析认为其良率表现是维持“第一供应商”地位的核心。目前，SK海力士的HBM3E产品良率已达80%~90%，并计划通过自研封装技术将HBM4良率达到类似水平。相比之下，三星HBM用1c DRAM的良率仍停留在50%~60%之间，封装后的最终良率可能进一步下降。据三星相关人士透露，HBM用1c DRAM的良率尚未突破70%。市场预测，SK海力士将占据HBM4市场过半份额，三星有望实现30%~40%的出货占比。若三星能在2026年内将HBM4良率提升至80%以上，凭借其效能优势，仍有机会快速提升市场份额。