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4月1日,台积电正式接受2nm订单

作者: 时间:2025-03-27 来源:电子产品世界 收藏

4月1日起,的订单通道将正式开放,董事长魏哲家透露,客户对于技术的需求甚至超过了3nm同期。有望率先锁定首批供应,根据知名供应链分析师郭明錤的最新分析,2026年下半年上市的 18全系列将搭载的A20处理器或全球首发工艺。

本文引用地址:https://www.eepw.com.cn/article/202503/468723.htm

17系列的A19芯片将采用第三代3nm工艺(N3P)制造,若A20芯片如期量产,A20芯片在性能和能效方面将有更显著的提升。业内人士分析,A20性能提升幅度或超历代芯片迭代,同时还为下一步的折叠屏、屏下Face ID等设计释放更多空间。

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郭明錤在社交媒体上也提到,台积电2nm制程工艺研发的风险试产良品率在3个月前就已达到了60%到70%,现在也高于3个月前的水平。目前,台积电正在全力提升2nm产能,其位于高雄和新竹宝山的工厂将是关键基地。据悉,在接受订单之前,高雄厂将于3月31日举行2nm扩产典礼,首批预计4月底送达宝山。

此外,包括AMD、英特尔、博通和AWS在内的众多客户也在排队等待2nm产能。摩根士丹利(Morgan Stanley)发布的研究报告指出,2025年台积电2nm月产能将从1万片试产规模增加至5万片左右的量产规模,而随着高雄和宝山工厂的全面投产,月产能将扩大至8万片。

台积电在IEDM 2024大会上首次披露了2nm制程工艺的技术细节,2nm工艺采用全环绕栅极(GAA)纳米片晶体管技术,与上一代3nm工艺相比,晶体管密度提升15%,相同电压下性能提升15%,在同等性能下功耗降低24%-35%。该工艺通过N2 NanoFlex设计技术优化,允许开发面积更小、能效更高的逻辑单元,同时支持6种电压阈值档位,覆盖200mV范围,为芯片设计提供了更大灵活性。

台积电2nm工艺的SRAM密度达到38Mb/mm²,较前代提升显著,且导线电阻降低20%,配合超高性能MiM电容,为高频率运算场景提供了更强支撑。这些技术突破让2nm芯片在AI、高性能计算(HPC)等领域的应用潜力被业界广泛看好。

值得注意的是,2nm单片成本约为3万美元,台积电希望通过进一步降低成本来吸引其他客户,因此可能在4月推出「CyberShuttle」服务来降低客户成本,即允许在同一测试晶圆上评估芯片,以减少研发开支。台积电在3nm芯片的全球竞争中几乎达到垄断地位,而最新消息来看,其在2nm技术上的优势已经远超同行 —— 三星目前为止仍未吸引到足够的客户来参与其2nm芯片的代工,英特尔则在技术上落后。



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