英特尔14nm制程比台积电强太多 但龙头优势难保

　　英特尔 22 纳米和 14 纳米晶体管鳍片细节对比：

　　所以，质疑英特尔在晶体管性能优势竞争中落后的人都该闭嘴了。为什么，将下面三星的 14 纳米 FinFET 工艺晶体管细节与上面英特尔的对比就能明白。在 22 纳米时代，英特尔的晶体管鳍片的确不够出色，但 14 纳米鳍片看起来已近乎“垂直”，使得了鳍片更高、更薄，更易于提高晶体管的驱动电流和性能。

　　而三星的 14 纳米 FinFET 工艺晶体管细节，请注意看，很显然更像是 2011 年英特尔 22 纳米工艺时代的水平，宣称超越难免有点大嘴了，毕竟无论如何还是基于第一代 FinFET 工艺打造。

　　三星 14 纳米 FinFET 晶体管细节图：

　　当然了，性能突飞猛进不太现实，而且英特尔考虑到了移动领域和其他应用的竞争，毕竟在这些领域不需要非常高的 CPU 频率。但说到频率，英特尔的 14nm 驾驭大于 4GHz 不会存在任何技术障碍，而代工厂的 14/ 16 纳米当前仍然相当困难。

　　代工厂一直在进步

　　不可否认，在芯片制造业，各大代工厂尤其是三星和台积电的进步非常之大，并且正在加快步伐缩减与英特尔的技术差距，尽管英特尔长期处于领先，但当前十分需要将差距拉开更大。

　　我们不清楚英特尔是否是缺乏竞争压力，但在移动领域，三星 14 纳米 FinFET、台积电 16 纳米 FinFET 两大工艺的竞争可谓空前惨烈，从合伙代工苹果 A9，到争抢各路订单，杀得好不热闹。更重要的是，两大代工厂已经做好了部署全新工艺制程的准备，不止是第二版，还包括第三版。

　　例如说，台积电第一代是标准的 16 纳米 FinFET 工艺，之后推出的第二代 FinFET Plus(FF+) 增强版已经部署。至于下一代 FinFET Compact(FFC)也已经完成了设计研发，并确定本季度就可以投入量产，提前了大半年。

　　三星方面，其第一代 14 纳米是 Low Power Eatly(LPE)，现在第二代 Low Power Plus(LPP)已经开始量产，重点产品为 Snapdragon 820 和 Exynos 8890。三星高管声称，衍生于第二代的下一版 14 纳米也将很快推出。

　　更长远的计划上，无论是三星和台积电都已经开始朝着 10 纳米的目标迈进。台积电表示，10 纳米今年即可试产，正式批量生产等到 2016 年年底，或者是 2017 年的第一季度。至于三星也提供了大概相同的线路图，坚称 2016 年年底 10 纳米就可量产，2017 年一定会出现在手机和平板电脑上。

　　反观英特尔，不仅桌面处理器“Tick-Tock”策略在两年前已经被打破，而且第一款基于 10 纳米工艺的产品按计划要等至 2017 年下半年才能推出。除非英特尔改革研发模式，否则今年年底将丧失工艺领先的地位。作为半导体芯片领域的巨头，英特尔长期自信满满，但在当前竞争环境中，还真的得加把劲了。