英特尔14nm制程比台积电强太多 但龙头优势难保

　　过去几年时间里，英特尔虽然在桌面领域仍过着“无敌是多么空虚”的日子，但是围绕其芯片制造技术的话题讨论越来越多了，特别是与很多开始被人熟知的芯片制造厂商相比，比如台湾的芯片制造商台积电。

　　很多话题讨论的开始，均是基于每一次非英特尔芯片制造商对制造工艺的升级。最初，台积电和三星明确表示，将以最快的速度从“20 纳米”过渡的“14/16纳米”，而且将会重点发展称之为“FinFET”的晶体管结构器件，重点宣传新工艺相比传统而言芯片面积将得到大幅缩减，适配每一代工艺制程。

　　另一方面，当时英特尔也正处于 22 纳米工艺技术到 14 纳米的过渡中，并且英特尔也掌握了第二代 FinFET(Tri-Gate)器件技术。不过，英特尔的动作太慢了，导致三星和台积电各自挑衅称，其 16 和 14 纳米已经领先英特尔，而英特尔仍无法完全脱离 22 纳米的工艺制程，并且还有事实证明，台积电的 20 纳米工艺的晶体管密度比英特尔的 22 纳米更高。

　　英特尔从 22 纳米过渡到 14 纳米的时间实在过于漫长，这点不假，而且英特尔也意识到了，在工艺制程技术同步发展的过程中，晶体管密度的竞争相当重要。事实上，面对民间乃至业界广为谈论的误导性话题，英特尔并没有刻意的做任何回应，但当英特尔正式公布自家 14 纳米技术时，才真正确定了不可动摇的领先地位。

　　下图为英特尔官方提供的逻辑面积比例图：

　　从这个英特尔的图来看，英特尔承认自家的 32 纳米不如 28 纳米工艺，主要是指栅极与栅极之间的间距前者不如后者。再到 22 纳米与 20 纳米工艺的对比，结果亦是如此。不过，确实只有在 14 纳米和 16 纳米工艺节点，才超过了其余竞争对手，确立起领先的地位。

　　所以，三星和台积电所说的都是事实，这两大越来越出色的芯片代工厂在 20 纳米制程时代确实领先于英特尔 22 纳米。但不可否认英特尔新一代 14 纳米更为出色，至少晶体管密度的优势上超过了其他对手的 14/16 纳米工艺节点。

　　工艺是一回事，那晶体管的实际性能呢?

　　多年以来，英特尔从未放弃过任何吹嘘自己的芯片技术，只是在台积电和三星上位之后收敛了很多。而且，难能可贵的是英特尔竟然没有过度宣传自家的第二代 FinFET 工艺，毕竟其余竞争对手在其 14 纳米问世时，均处于第一代 FinFET 工艺水平。简单的说，英特尔 14 纳米正式问世之初，从晶体管性能的角度来看，整整领先了竞争对手一代。

　　在很多对芯片深度评测的机构报告中，尤其是权威站点 ChipWorks，我们可以看到英特尔 14 纳米晶体管所有性能指标均领先于其他竞争对手。更重要的是，ChipWorks 通过先进的透射电子显微镜观察分析发现，英特尔 14 纳米芯片的晶体管鳍片间距做得最为紧密，堪称这个星球上迄今最先进的半导体工艺，全面领先代工厂的 14/16 纳米。