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东芝在SiC专利申请中挑战泰科天润

  • 中国功率芯片开发商泰克天润（Global Power Technology） 在碳化硅 （SiC） 功率技术专利申请排名中面临东芝的挑战。法国分析机构 KnowMade 的最新数据显示，2025 年第一季度全球申请了 840 多个新专利族。本季度的专利申请活动以东芝在 SiC 功率器件专利领域的加速发展为标志，以匹配 Global Power Technology的专利数量。这家中国公司在过去四个季度一直是排名靠前的专利申请人，几乎完全专注于 SiC MOSFET 结构的设计。第一季度授予了 420 多个
  • 关键字： 东芝  SiC  专利申请  泰科天润  

CHIPS 法案、电动汽车关税加剧了Wolfspeed的现金危机

  • 在特朗普政府缩减美国《芯片法案》并提升汽车关税后，Wolfspeed（欧胜）的新任首席执行官需要面临更为严峻的现金危机。作为车用碳化硅行业的领导厂商，Wolfspeed近年来投入数十亿美元在美国建立SiC制造能力，可惜备受汽车经济低迷和关税前景的打击陷入持续亏损中，现在公司转向提供AI数据中心电源以促进增长，不过该公司正在寻求第11章法规的债权保护。“作为我们贷方谈判的一部分，我们可能会选择在法庭内或庭外寻求选择，”两周前接任首席执行官的罗伯特·费尔 （Robert Feurle） 说。据报道，资产管理公
  • 关键字： CHIPS  Wolfspeed  SiC  

SiC开始加速批量上车

  • 在新能源汽车技术的演进历程中，碳化硅（SiC）技术已成为推动行业发展的关键力量。作为第三代半导体的代表材料，SiC 凭借其卓越的性能优势，已深度融入新能源汽车的核心系统，开启了新能源汽车性能提升与技术创新的新篇章。从高端豪华车型到大众普及款，从纯电动到混合动力，SiC 技术的应用范围不断拓展，正以前所未有的速度实现批量上车，重塑新能源汽车的技术格局与市场竞争态势。碳化硅实现多价格区间车型覆盖SiC 技术已成为车企在新能源汽车赛道上差异化竞争的核心要素，如今已广泛覆盖 10 万至 150 万元价格区间的车型
  • 关键字： SiC  

SiC衬底市场 去年营收减9%

  • TrendForce最新研究，2024年汽车、工业需求走弱，SiC基板出货量成长放缓，与此同时，市场竞争加剧，产品价格大幅下跌，导致2024年全球N-type（导电型）SiC基板产业营收年减9%，为10.4亿美元。进入2025年，即便SiC基板市场持续面临需求疲软、供给过剩的双重压力，然而，长期成长趋势依旧不变，随着成本逐渐下降、半导体元件技术不断提升，未来SiC应用将更为广泛，特别是在工业领域的多样化。 同时，市场竞争激烈的环境下，加速企业整合，重新塑造产业发展格局。TrendForce分析各供应商营收
  • 关键字： SiC  衬底  TrendForce  

内置罗姆新型2kV SiC MOSFETs的赛米控丹佛斯模块被SMA的太阳能系统采用

  • 全球先进的太阳能发电及储能系统技术的专业企业SMA Solar Technology AG（以下简称“SMA”）在其太阳能系统新产品“Sunny Central FLEX”中采用了内置罗姆新型2kV SiC MOSFETs的赛米控丹佛斯功率模块。“Sunny Central FLEX”是为大规模太阳能发电设施、储能系统以及下一代技术设计的模块化平台，旨在进一步提高电网的效率和稳定性。罗姆半导体欧洲总裁Wolfram Harnack表示：“罗姆新型2kV耐压SiC MOSFETs是为1,500V DC链路实
  • 关键字： 罗姆  ROHM  SiC MOSFET  功率模块  太阳能  

英飞凌重返SiC JFET，实现更智能、更快速的固态配电

  • Infineon Technologies 开发了用于固态保护和配电设计的新型碳化硅 JFET 系列。这是继 2012 年推出的 1200V 4mΩ SiC JFET 系列之后的又一产品。JFET 通过反向偏置 PN 结上的电场来控制电导率，而不是 MOSFET 中使用的绝缘层上的横向电场。G1“第一代”CoolSiC JFET 具有 1.5 mΩ （750 V BDss） 和 2.3 mΩ （1200 V BDss） 的超低 R DS（ON），可显著降低导通损耗。大体通道优化的 SiC JFET 在短路
  • 关键字： 英飞凌  SiC  JFET  固态配电  

新型SiC模块，可将安装面积减少一半

  • ROHM宣称其新型SiC模块已「达到业界顶级水平」，这使得安装面积显著减少。
  • 关键字： SiC  功率器件  ROHM  

格力家用空调搭载SiC芯片突破100万台

  • 4月22日下午，格力电器召开2025年第一次临时股东大会，相比过往历次股东大会都被安排在格力地产总部办公楼，本次股东大会首次被安排在格力电器珠海碳化硅芯片工厂举行。据悉，该工厂自2024年投产以来，其碳化硅功率芯片在家用空调中的装机量已经突破100万台。SiC材料具有高耐压、高频率、高效率等优势，能够显著提升空调的能效。搭载SiC芯片后，空调的电能转换效率得到优化，制冷制热效果增强，实现能耗降低，同时可以提升产品性能、降低能耗，增强格力空调的市场竞争力。格力该工厂是全球第二座、亚洲首座全自动化6英寸碳化硅
  • 关键字： 格力  家用空调  SiC  

清纯半导体和微碧半导体推出第3代SiC MOSFET产品

  • 近日，清纯半导体和VBsemi（微碧半导体）分别推出了其第三代碳化硅（SiC）MOSFET产品平台，标志着功率半导体技术在快充效率、高功率密度应用等领域取得了重大突破。01清纯半导体推出第3代SiC MOSFET产品平台4月21日，清纯半导体官微宣布，推出第3代碳化硅（SiC）MOSFET技术平台，该平台首款主驱芯片（型号：S3M008120BK）的常温导通电阻低至8mΩ，比导通电阻系数Rsp达到2.1 mΩ·cm²，处于国际领先水平。source：清纯半导体（图为清纯半导体1、2、3代产品比电阻Rs
  • 关键字： 清纯半导体  微碧半导体  第3代  SiC MOSFET  

SiC为数据中心的冷却风扇提供高密度电源

  • 碳化硅 （SiC） 正在接管电动汽车中的三相牵引逆变器，将电池中的直流电转换为用于控制电机的交流电。但是，由于 SiC 能够处理更高的电压、更好的散热和更快的开关频率，因此也适用于更紧凑的电动机中的三相逆变器。其中包括数据中心的电子换向 （EC） 冷却风扇，这些风扇消耗了更多的电力来运行 AI 训练和推理，并在此过程中产生了更多的热量。onsemi 推出了第一代基于 SiC 的智能功率模块 （IPM），与 IGBT 相比，为这些冷却风扇带来了更高的功率密度和效率。1,200 V 模块基
  • 关键字： SiC  数据中心  冷却风扇  高密度电源  安森美  

SiC MOSFET如何提高AI数据中心的电源转换能效

  • 如今所有东西都存储在云端，但云究竟在哪里？答案是数据中心。我们对图片、视频和其他内容的无尽需求，正推动着数据中心行业蓬勃发展。国际能源署 (IEA) 指出，[1]人工智能 (AI) 行业的迅猛发展正导致数据中心电力需求激增。预计在 2022 年到 2025 年的三年间，数据中心的耗电量将翻一番以上。 这不仅增加了运营成本，还给早已不堪重负的老旧电力基础设施带来了巨大的压力，亟需大规模的投资升级。随着数据中心耗电量急剧增加，行业更迫切地需要能够高效转换电力的功率半导体。这种需求的增长一方面是为了降低运营成本
  • 关键字： SiC MOSFET  AI数据中心  电源转换能效  

是什么让SiC开始流行？

  • 碳化硅是一种众所周知的坚硬和复杂的材料。用于制造 SiC 功率半导体的晶圆生产利用制造工艺、规格和设备的密集工程来实现商业质量和成本效益。必要性与发明宽禁带半导体正在改变电力电子领域的游戏规则，使系统级效率超越硅器件的实际限制，并带来额外的技术特定优势。在碳化硅 （SiC） 的情况下，导热性、耐温能力和击穿电压与通道厚度的关系优于硅，从而简化了系统设计并确保了更高的可靠性。由于它们的简单性，SiC 的孕育使二极管领先于 MOSFET 进入市场。现在，随着技术进步收紧工艺控制、提高良率并
  • 关键字： SiC  

SiC 市场的下一个爆点：共源共栅（cascode）结构详解

  • 安森美 (onsemi)cascode FET （碳化硅共源共栅场效应晶体管）在硬开关和软开关应用中有诸多优势，SiC JFET cascode应用指南讲解了共源共栅（cascode）结构、关键参数、独特功能和设计支持。本文为第一篇，将重点介绍Cascode结构。Cascode简介碳化硅结型场效应晶体管（SiC JFET）相比其他竞争技术具有一些显著的优势，特别是在给定芯片面积下的低导通电阻（称为RDS.A）。为了实现最低的RDS.A，需要权衡的一点是其常开特性，这意味着如果没有栅源电压，或者JFET的栅
  • 关键字： cascode  FET  SiC  

Nexperia推出采用行业领先顶部散热型封装X.PAK的1200V SiC MOSFET

  • Nexperia正式推出一系列性能高效、稳定可靠的工业级1200 V碳化硅(SiC) MOSFET。该系列器件在温度稳定性方面表现出色，采用创新的表面贴装 (SMD) 顶部散热封装技术X.PAK。X.PAK封装外形紧凑，尺寸仅为14 mm ×18.5 mm，巧妙融合了SMD技术在封装环节的便捷优势以及通孔技术的高效散热能力，确保优异的散热效果。此次新品发布精准满足了众多高功率（工业）应用领域对分立式SiC MOSFET不断增长的需求，该系列器件借助顶部散热技术的优势，得以实现卓越的热性
  • 关键字： Nexperia  SiC MOSFET  

第17讲：SiC MOSFET的静态特性

  • 商用的Si MOSFET耐压普遍不超过900V，而SiC拥有更高的击穿场强，在结构上可以减少芯片的厚度，从而较大幅度地降低MOSFET的通态电阻，使其耐压可以提高到几千伏甚至更高。本文带你了解其静态特性。1. 正向特性图1显示了SiC MOSFET的正向通态特性。由于MOSFET是单极性器件，没有内建电势，所以在低电流区域，SiC MOSFET的通态压降明显低于Si IGBT的通态压降；在接近额定电流时，SiC MOSFET的通态压降几乎与Si IGBT相同。对于经常以低于额定电流工作的应用，使用SiC
  • 关键字： 三菱电机  SiC  MOSFET  
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sic介绍

SiC是一种Ⅳ－Ⅳ族化合物半导体材料，具有多种同素异构类型。其典型结构可分为两类：一类是闪锌矿结构的立方SiC晶型，称为3C或β－SiC，这里3指的是周期性次序中面的数目；另一类是六角型或菱形结构的大周期结构，其中典型的有6H、4H、15R等，统称为α－SiC。与Si相比，SiC材料具有更大的Eg、Ec、Vsat、λ。大的Eg使其可以工作于650℃以上的高温环境，并具有极好的抗辐射性能. Si [ 查看详细 ]

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