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sic-mosfet 文章

碳化硅发展势头强 英飞凌650V CoolSiC MOSFET推高创新浪潮

  • 近期,多家公司发布了碳化硅(SiC)方面的新产品。作为新兴的第三代半导体材料之一,碳化硅具备哪些优势,现在的发展程度如何?不久前,碳化硅的先驱英飞凌科技公司推出了650V的CoolSiC™ MOSFET,值此机会,电子产品世界访问了英飞凌电源管理及多元化市场事业部大中华区开关电源应用高级市场经理陈清源先生。英飞凌,电源管理及多元化市场事业部,大中华区,开关电源应用,高级市场经理,陈清源碳化硅与氮化镓、硅材料的关系碳化硅MOSFET是一种新器件,它的出现使一些以前硅材料很难被应用的电源转换结构,例如电流连续
  • 关键字: SiC  UPS  

ROHM的SiC功率元器件被应用于UAES的电动汽车车载充电器

  • 全球知名半导体制造商ROHM(总部位于日本京都市)的SiC功率元器件(SiC MOSFET*1)被应用于中国汽车行业一级综合性供应商——联合汽车电子有限公司(United Automotive Electronic Systems Co., Ltd. ,总部位于中国上海市,以下简称“UAES公司”)的电动汽车车载充电器(On Board Charger,以下简称“OBC”)。UAES公司预计将于2020年10月起向汽车制造商供应该款OBC。与IGBT*2等Si(硅)功率元器件相比,SiC功率元器件是一种能
  • 关键字: OBC  SiC MOSFET  

安森美半导体推出新的900 V和 1200 V SiC MOSFET用于高要求的应用

  • 近日,推动高能效创新的安森美半导体(ON Semiconductor,美国纳斯达克上市代号:ON),推出另两个碳化硅(SiC) MOSFET系列,扩展了其宽禁带(WBG)器件系列。 这些新器件适用于各种高要求的高增长应用,包括太阳能逆变器、电动汽车(EV)车载充电、不间断电源(UPS)、服务器电源和EV充电桩,提供的性能水平是硅(Si) MOSFET根本无法实现的。安森美半导体的新的1200伏(V)和900 V N沟道SiC MOSFET提供比硅更快的开关性能和更高的可靠性。快速本征二
  • 关键字: SiC  WBG  

CISSOID宣布推出用于电动汽车的三相碳化硅(SiC)MOSFET智能功率模块

  • 各行业所需高温半导体解决方案的领导者CISSOID近日宣布,将继续致力于应对汽车和工业市场的挑战,并推出用于电动汽车的三相碳化硅(SiC)MOSFET智能功率模块(IPM)平台。这项新的智能功率模块技术提供了一种一体化解决方案,即整合了内置栅极驱动器的三相水冷式碳化硅MOSFET模块。这个全新的可扩展平台同时优化了功率开关的电气、机械和散热设计及其临界控制,对于电动汽车(EV)整车厂和愿意快速采用基于碳化硅的逆变器以实现更高效、更简洁电机驱动的电动机制造商而言,该平台可以帮助他们加快产品上市时间。该可扩展
  • 关键字: SiC  IPM  

电机的应用趋势及控制解决方案

  • 顾伟俊  (罗姆半导体(上海)有限公司 技术中心 现场应用工程师)摘  要:介绍了电机的应用趋势,以及MCU、功率器件的产品动向。 关键词:电机;BLDC;MCU;SiC;IPM1  电机的应用趋势 随着智能家居、工业自动化、物流自动化等概念的 普及深化,在与每个人息息相关的家电领域、车载领 域以及工业领域,各类电机在技术方面都出现了新的 需求。 在家电领域,电器的 智能化需要电器对人机交 流产生相应的反馈。例如 扫地机器人需要扫描计算 空间,规划路线,然后执 行移动以及相应
  • 关键字: 202003  电机  BLDC  MCU  SiC  IPM  

工业电机用功率半导体的动向

  • Steven Shackell  (安森美半导体 工业业务拓展经理)摘  要:电动工具用电机正从有刷直流(BDC)转向无刷直流(BLDC)电机;工业电机需要更高能效的电机,同时 需要强固和高质量。安森美以领先的MOSFET、IPM和新的TM-PIM系列赋能和应对这些转变带来的商机。 关键词:电机;电动工具;MOSFET;工业;IGBT;IPM安森美半导体提供全面的电机产品系列,尤其是功 率半导体方面。安森美半导体因来自所有电机类型的 商机感到兴奋,并非常看好无刷直流电机(BLDC)应用 (例如电动工具),
  • 关键字: 202003  电机  电动工具  MOSFET  工业  IGBT  IPM  

碳化硅(SiC)功率器件或在电动汽车领域一决胜负

  • 电力电子器件的发展历史大致可以分为三个大阶段:硅晶闸管(可控硅)、IGBT(绝缘栅双极型晶体管)和刚显露头角的碳化硅(SiC)系列大功率半导体器件。碳化硅属于第三代半导体材料,与普通的硅材料相比,碳化硅的优势非常突出,它不仅克服了普通硅材料的某些缺点,在功耗上也有非常好的表现,因而成为电力电子领域目前最具前景的半导体材料。正因为如此,已经有越来越多的半导体企业开始进入SiC市场。到2023年,SiC功率半导体市场预计将达到15亿美元。SiC器件的供应商包括Fuji、英飞凌、Littelfuse、三菱、安森
  • 关键字: 碳化硅、SiC、功率器件、电动汽车  

英飞凌650V CoolSiC MOSFET系列为更多应用带来最佳可靠性和性能水平

  • 近日,英飞凌科技股份公司(FSE: IFX / OTCQX: IFNNY)进一步扩展其碳化硅(SiC)产品组合,推出650V器件。其全新发布的CoolSiC™ MOSFET满足了包括服务器、电信和工业SMPS、太阳能系统、能源存储和电池化成、不间断电源(UPS)、电机控制和驱动以及电动汽车充电在内的大量应用与日俱增的能效、功率密度和可靠性的需求。“随着新产品的发布,英飞凌完善了其600V/650V细分领域的硅基、碳化硅以及氮化镓功率半导体产品组合,”英飞凌电源管理及多元化市场事业部高压转换业务高级总监St
  • 关键字: SiC  MOSFET  

儒卓力提供具有高功率密度的威世N-Channel MOSFET

  • 威世的SiSS12DN 40V N-Channel MOSFET是为提高功率转换拓扑中的功率密度和效率而设计。它们采用3.3x3.3mm紧凑型PowerPAK 1212-8S封装,可提供低于2mΩ级别中的最低输出电容(Coss)。
  • 关键字: 儒卓力  威世N-Channel MOSFET  封装  

如何利用 SiC 打造更好的电动车牵引逆变器

  • 在本文中,我们将调查电动车牵引逆变器采用 SiC 技术的优势。我们将展示在各种负荷条件下逆变器的能效是如何提升的,包括从轻负荷到满负荷。使用较高的运行电压与高效的 1200V SiC FET 可以帮助降低铜损。还可以提高逆变器开关频率,以对电机绕组输出更理想的正弦曲线波形和降低电机内的铁损。预计在所有这些因素的影响下,纯电动车的单次充电行驶里程将提高 5-10%,同时,降低的损耗还能简化冷却问题。简介近期的新闻表明,纯电动车 (BEV) 的数量增加得比之前的预期要快。这促使汽车制造商(包括现有制
  • 关键字: SiC  BEV  

安世半导体推出采用LFPAK56封装的0.57mΩ产品

  • 奈梅亨,2020年2月19日:安世半导体,分立器件和MOSFET器件及模拟和逻辑集成电路器件领域的生产专家,今日宣布推出有史以来最低RDS(on)的功率MOSFET。今日推出的PSMNR51-25YLH已经是业内公认的低压、低RDS(on)的领先器件,它树立了25 V、0.57 mΩ的新标准。该市场领先的性能利用安世半导体独特的NextPowerS3技术实现,并不影响最大漏极电流(ID(max))、安全工作区(SOA)或栅极电荷QG等其他重要参数。 很多应用均需要超低RDS(on)器件,例如OR
  • 关键字: 安世半导体  MOSFET  RDS(on)  

Vishay推出高效80 V MOSFET,导通电阻与栅极电荷乘积即优值系数达到同类产品最佳水平

  • 日前,Vishay Intertechnology, Inc. 宣布,推出新款6.15 mm x 5.15 mm PowerPAK? SO-8单体封装的——SiR680ADP,它是80 V TrenchFET? 第四代n沟道功率MOSFET。Vishay Siliconix SiR680ADP专门用来提高功率转换拓扑结构和开关电路的效率,从而节省能源,其导通电阻与栅极电荷乘积,即功率转换应用中MOSFET的重要优值系数(FOM)为129 mW*nC,达到同类产品最佳水平。
  • 关键字: SiR680ADP  MOSFET  Vishay  

罗姆集团旗下的SiCrystal与意法半导体就碳化硅(SiC)晶圆长期供货事宜达成协议

  • 近日,全球知名半导体制造商罗姆和意法半导体(以下简称“ST”)宣布,双方就碳化硅(以下简称“SiC”)晶圆由罗姆集团旗下的SiCrystal GmbH (以下简称“SiCrystal”)供应事宜达成长期供货协议。在SiC功率元器件快速发展及其需求高速增长的大背景下,双方达成超1.2亿美元的协议,由SiCrystal(SiC晶圆生产量欧洲第一)向ST(面向众多电子设备提供半导体的全球性半导体制造商)供应先进的150mm SiC晶圆。ST 总经理 兼 首席执行官(CEO) Jean-Marc Chery 说:
  • 关键字: SiC  车载  

Vishay推出新款共漏极双N沟道60 V MOSFET,提高功率密度和效率

  • 日前,Vishay Intertechnology, Inc.宣布,推出采用小型热增强型PowerPAK 1212-8SCD封装新款共漏极双N沟道60 V MOSFET---SiSF20DN。Vishay Siliconix SiSF20DN是业内最低RS-S(ON)的60 V共漏极器件,专门用于提高电池管理系统、直插式和无线充电器、DC/DC转换器以及电源的功率密度和效率。日前发布的双片MOSFET在10V电压下RS-S(ON) 典型值低至10 mW,是3mm x 3mm封装导通电阻最低的60
  • 关键字: MOSFET  N沟道  

使用ADuM4136隔离式栅极驱动器和LT3999 DC/DC转换器驱动1200 V SiC电源模块

  • 简介电动汽车、可再生能源和储能系统等电源发展技术的成功取决于电力转换方案能否有效实施。电力电子转换器的核心包含专用半导体器件和通过栅极驱动器控制这些新型半导体器件开和关的策略。目前最先进的宽带器件,如碳化硅(SiC)和氮化镓(GaN)半导体具有更高的性能,如600 V至2000 V的高电压额定值、低通道阻抗,以及高达MHz范围的快速切换速度。这些提高了栅极驱动器的性能要求,例如,,通过去饱和以得到更短的传输延迟和改进的短路保护。本应用笔记展示了ADuM4136 栅极驱动器的优势,这款单通道器件的输出驱动能
  • 关键字: DC/DC  SiC  
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