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sic-mosfet 文章

针对高耐用性和可靠性电源需求,意法半导体推出市场上击穿电压最高的1050V MOSFET VIPer转换器

  • 中国,2019年7月29日——意法半导体VIPer26K发布高压功率转换器,集成一个1050V耐雪崩N沟道功率MOSFET,使离线电源兼备宽压输入与设计简单的优点。VIPer26K MOSFET具有极高的额定电压,无需传统垂直堆叠FET和相关无源元件,即可实现类似的电压处理能力,可采用尺寸更小的外部缓冲器元件。转换器内置漏极限流保护功能,MOSFET包含一个用于过温保护的senseFET引脚。单片集成高压启动电路、内部误差放大器和电流式PWM控制器,VIPER26K支持所有常见开关式电源拓扑,包括原边或副
  • 关键字: 电源  意法半导体  击穿电压最高的1050V MOSFET VIPer转换器  

SiC将达23亿美元规模,技术精进是主攻方向

  •       SiC(碳化硅)作为第三代半导体,以耐高压、高温和高频,在高性能功率半导体上显出优势。在应用中,在光伏和服务器市场最大,正处于发展中的市场是xEV(电动与混动汽车)。随着SiC产品特性越做越好,在需要更高电压的铁路和风电上将会得到更多的应用。      不过,制约SiC发展的,最主要的是价格,主要原因有两个,一个是衬底,一个是晶圆尺寸所限。例如晶圆尺寸越大,成本也会相应地下降,ROHM等公司已经有6英寸的晶圆片。在技术方面,众厂商竞争
  • 关键字: SiC  MOSFET  

华为强力扫货 手机、服务器用MOSFET急单声声催

  • 中美贸易战战火延烧,华为禁令事件已经让大陆业者火速要求逻辑IC供应链紧急备货,熟悉功率元件业者透露,除了巩固华为海思晶圆代工、封测代工供应链以及台系逻辑IC供应体系外,疯狂扫货力道已经蔓延到功率基础元件金氧半场效晶体管(MOSFET)。
  • 关键字: 华为  MOSFET  中美贸易战  

现代IGBT/MOSFET栅极驱动器提供隔离功能的最大功率限制

  •   Maximum power limit for withstanding insulation capabilities of modern IGBT/MOSFETgate drivers       作者/Bernhard Strzalkowski博士 ADI公司(德国 慕尼黑)  摘要:通过故意损坏IGBT/MOSFET功率开关来研究栅极驱动器隔离栅的耐受性能。  关键词:IGBT; MOSFET; 栅极驱动器;耐受性;隔离    &nb
  • 关键字: 201905  IGBT  MOSFET   栅极驱动器  耐受性  隔离  

工程师必须掌握的MOS管驱动设计细节

  • 一般认为MOSFET是电压驱动的,不需要驱动电流。然而,在MOS的G、S两级之间,有结电容存在。这个电容会让驱动MOS变的不那么简单......
  • 关键字: MOS  MOSFET  

SiC MOSFET “SCT3xxxxxHR系列”又增10个机型, 产品阵容丰富且支持汽车电子产品可靠性标准AEC-Q101

  •   全球知名半导体制造商ROHM(总部位于日本京都)面向车载充电器和DC/DC转换器※1)又推出SiC MOSFET※3)“SCT3xxxxxHR系列”共10个机型,该系列产品支持汽车电子产品可靠性标准AEC-Q101※2),而且产品阵容丰富,拥有13个机型。  ROHM于2010年在全球率先成功实现SiC MOSFET的量产,在SiC功率元器件领域,ROHM始终在推动领先的产品开发和量产体制构建。在需求不断扩大的车载市场,ROHM也及时确立车载品质,并于2012年开始供应车载充电器用的SiC肖特
  • 关键字: ROHM  SiC  MOSFET  

安森美半导体推出新的工业级和符合车规的SiC MOSFET,补足成长的生态系统,并为迅速增长的应用带来宽禁带性能的优势

  •   2019年3月19日 — 推动高能效创新的安森美半导体(ON Semiconductor,美国纳斯达克上市代号:ON),推出了两款新的碳化硅(SiC) MOSFET。工业级NTHL080N120SC1和符合AEC-Q101的汽车级NVHL080N120SC1把宽禁带技术的使能、广泛性能优势带到重要的高增长终端应用领域如汽车DC-DC、电动汽车车载充电机、太阳能、不间断电源及服务器电源。  这标志着安森美半导体壮大其全面且不断成长的SiC 生态系统,包括SiC二极管和SiC驱动器等互补器件,以及
  • 关键字: 安森美  MOSFET  

600V 超级结MOSFET “PrestoMOS”系列产品助力变频空调节能

  •   全球知名半导体制造商ROHM(总部位于日本京都)推出600V耐压超级结 MOSFET“PrestoMOS”系列产品,在保持极快反向恢复时间(trr※1))的同时,提高设计灵活度,非常适用于空调、冰箱等白色家电的电机驱动以及EV充电桩。近日,该系列产品群又新增了“R60xxJNx系列”共30种机型。  此次开发的新系列产品与以往产品同样利用了ROHM独有的寿命控制技术,实现了极快的反向恢复时间(trr)。与IGBT相比,轻负载时的功耗成功减少了58%左右。另外,通过提高导通MOSFET所需要的电压水
  • 关键字: ROHM  MOSFET   

安森美半导体将在APEC 2019演示 用先进云联接的Strata Developer Studio™快速分析电源方案

  •   2019年3月14日 — 推动高能效创新的安森美半导体(ON Semiconductor,美国纳斯达克上市代号:ON),将在美国加利福尼亚州阿纳海姆举行的APEC 2019展示由Strata Developer Studioä 开发平台支持的新电源方案板。Strata便于快速、简易评估应用广泛的电源方案,使用户能在一个具充分代表性的环境中查看器件并分析其性能。工程师用此缩小可行器件和系统方案的选择范围,且在采购硬件和完成设计之前对系统性能有信心。  Strata Developer S
  • 关键字: 安森美  SiC   

Diodes 公司的双极晶体管采用 3.3mm x 3.3mm 封装并提供更高的功率密度

  •   Diodes 公司 (Nasdaq:DIOD) 为领先业界的高质量应用特定标准产品全球制造商与供货商,产品涵盖广泛领域,包括独立、逻辑、模拟及混合讯号半导体市场。公司推出 NPN 与 PNP 功率双极晶体管,采用小尺寸封装 (3.3mm x 3.3mm),可为需要高达 100V 与 3A 的应用提供更高的功率密度。新款 NPN 与 PNP 晶体管的尺寸较小,可在闸极驱动功率 MOSFET 与 IGBT、线性 DC-DC 降压稳压器、PNP LDO 及负载开关电路,提供更高的功率密度设计。 
  • 关键字: Diodes  MOSFET   

Vishay携最新MOSFET、IC、无源器件和二极管技术亮相APEC 2019

  •   2019年3月12日 — 日前,Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代号:VSH)宣布,将在3月17日-21日于加利福尼亚州阿纳海姆(Anaheim,California)举行的2019年国际应用电力电子展会(APEC)上展示其强大产品阵容。Vishay展位设在411展台,将展示适用于广泛应用领域的最新业内领先功率IC、无源器件、二极管和MOSFET技术。  在APEC 2019上展示的Vishay Siliconix电源IC包括SiC9xx microBR
  • 关键字: Vishay  MOSFET  

满足新能源汽车应用的SiC MOSFET系列产品

  •   世纪金光是国内首家贯通碳化硅全产业链的综合半导体企业。产品基本覆盖了以碳化硅为代表的第三代半导体材料全产业链,包括:电子级碳化硅高纯粉料、碳化硅单晶衬底片、碳化硅外延片、碳化硅功率器件、功率模块和典型应用,形成了较为完整的产业链体系,正在大力进行垂直整合,全面推进从产业源头到末端的全链贯通。  主要应用  w高效服务器电源 w新能源汽车 w充电桩充电模组  w光伏逆变器 w工业电机 w智能电网 w航空航天  SiC MOSFET系列  产品覆盖额定电压650-1200V,额定电流30-92A,可满足多
  • 关键字: 新能源汽车  MOSFET  

集邦咨询:需求持续扩张,2019年中国功率半导体市场规模逾2,900亿元

  •   Mar. 7, 2019 ---- 全球市场研究机构集邦咨询在最新《中国半导体产业深度分析报告》中指出,受益于新能源汽车、工业控制等终端市场需求大量增加,MOSFET、IGBT等多种产品持续缺货和涨价,带动了2018年中国功率半导体市场规模大幅成长12.76%至2,591亿元人民币。其中功率分立器件市场规模为1,874亿元人民币,较2017年同比成长14.7%;电源管理IC市场规模为717亿元人民币,较2017年同比增长8%。  集邦咨询分析师谢瑞峰指出,功率半导体作为需求驱动型的产业,2019年
  • 关键字: IGBT  SiC   

碳化硅MOSFET的短路实验性能与有限元分析法热模型的开发

  • 本文的目的是分析碳化硅MOSFET的短路实验(SCT)表现。具体而言,该实验的重点是在不同条件下进行专门的实验室测量,并借助一个稳健的有限元法物理模型来证实和比较测量值,对短路行为的动态变化进行深度评估。
  • 关键字: 碳化硅(SiC)MOSFET  短路  热模型  

Power Integrations推出全新SCALE-iDriver SiC-MOSFET门极驱动器,可最大程度提高效率及安全性

  •   深耕于中高压逆变器应用门极驱动器技术领域的知名公司Power Integrations(纳斯达克股票代号:POWI)今日推出SIC1182K SCALE-iDriver™ —— 这是一款市售可提供高效率、单通道碳化硅(SiC) MOSFET门极驱动器,可提供最大峰值输出门极电流且无需外部推动级。新品件经过设定后可支持不同的门极驱动电压,来满足市售SiC-MOSFET的需求;其主要应用包括不间断电源(UPS)、光伏系统、伺服驱动器、电焊机和电源。  SIC1182K可在125°C结温下提供8
  • 关键字: Power Integrations  SiC-MOSFET  
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