sic-mosfet 文章
6月5日，在中国电子科技集团公司第二研究所(简称中国电科二所)生产大楼内，100台碳化硅(SiC)单晶生长设备正在高速运行，SiC单晶就在这100台设备里“奋力”生长。 中国电科二所第一事业部主任李斌说：“这100台SiC单晶生长设备和粉料都是我们自主研发和生产的。我们很自豪，正好咱们自己能生产了。” SiC单晶是第三代半导体材料，以其特有的大禁带宽度、高临界击穿场强、高电子迁移率、高热导率等特性， 成为制作高温、高频、大功率、抗辐照、短波发光及光电集成器件的理想材料，是新一代雷达、卫星通讯、高压
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SiC
推动高能效创新的安森美半导体(ON Semiconductor，美国纳斯达克上市代号：ON)，发布了碳化硅(SiC)肖特基二极管的扩展系列，包括专门用于要求严苛的汽车应用的器件。新的符合AEC-Q101车规的汽车级SiC二极管提供现代汽车应用所需的可靠性和强固性，以及等同于宽禁隙(WBG)技术的众多性能优势。 SiC技术提供比硅器件更佳的开关性能和更高的可靠性。SiC二极管没有反向恢复电流，开关性能与温度无关。极佳的热性能、增加的功率密度和降低的电磁干扰(EMI)，减小的系统尺寸和降低的成本使SiC
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安森美 SiC
最初为高压器件开发的超级结MOSFET，电荷平衡现在正向低压器件扩展。虽然这极大地降低了RDS(ON) 和结电容，但电荷平衡使后者非线性进一步加大。MOSFET有效储存电荷和能量减少，而且显著减少，但计算或比较不同MOSFET参数以获得最佳性能变得更加复杂。 MOSFET三个相关电容不能作为VDS的函数直接测量，其中有的需要在这个过程中短接或悬空。数据手册最终测量给出的三个值定义如下： CiSS = CGS + CGD COSS = CDS + CDG CRSS = CGD 三者中，输入电容CG
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MOSFET 非线性电容
致力于在功耗、安全、可靠性和性能方面提供差异化的领先半导体技术方案供应商美高森美公司(Microsemi Corporation) 宣布在下季初扩大其碳化硅(SiC) MOSFET 和SiC二极管产品组合，包括提供下一代1200 V、25 mOhm和80 mOhm SiC MOSFET器件的样品，及下一代700 V、50 A 肖特基势垒二极管(SBD)和相应的裸片。美高森美将参展6月5日至7日在德国纽伦堡展览中心举行的PCIM欧洲电力电子展，在6号展厅318展台展示这些SiC解决方案以及SiC SBD
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美高森美 SiC
全球知名半导体制造商ROHM为加强需求日益扩大的SiC功率元器件的生产能力，决定在ROHM Apollo Co., Ltd.(日本福冈县)的筑后工厂投建新厂房。 新厂房为地上3层建筑，总建筑面积约11,000㎡。现在，具体设计工作正在有条不紊地进行，预计将于2019年动工，于2020年竣工。 ROHM自2010年开始量产SiC功率元器件(SiC-SBD、SiC-MOSFET)以来，于世界首家量产“全SiC”功率模块和沟槽结构SiC-MOSFET，不断进行着领先业界的技
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ROHM SiC
ROHM不久前亮相"2018慕尼黑上海电子展"，并占据馆内的入口人气位置，以炫动的赛车和动感十足的汽车产品，吸引观众的眼球。那么，这次ROHM重点带来了什么汽车新品? 据悉，此次展会围绕“汽车电子”和“工业设备”，重点展示了功率电源产品及解决方案。 图：ROHM展台设在展馆入口处，动感赛车吸引眼球 赛车性能突破极限，因为有SiC 视频上吸睛的车队是文图瑞电动方程式车队 (Venturi Formula E Team) ，RO
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ROHM SiC
硅半导体器件在过去数十年间长期占据着电子工业的统治地位，它铸就了电子世界的核心，覆盖我们日常生活中的绝大部分应用。宽禁带电子器件，以碳化硅和氮化镓的形式，因其自身有着传统的硅技术无法克服的优势正在日益普及。
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力特，SiC，GaN
更为严格的行业标准和政府法规的变迁是更高能效产品的关键驱动因素。例如数据中心正呈指数级增长以跟上需求，其耗电量约占全球总电力供应量（+ 400TWh）的3％，也占总温室气体排放量的2％，与航空业的碳排放量相同。在这些巨大的能源需求之下，各地政府正加紧实施更严格的标准和新的法规，以确保所有依赖能源的产品必须达到最高能效。
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安森美，SiC，GaN
介绍了包括SiC、GaN在内的新一代功率器件，面向工业和汽车的新型功率模块，可穿戴设备的电源管理IC的发展概况及相关新技术和热门产品。
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SiC GaN 电源管理 201804
MOSFET因导通内阻低、开关速度快等优点被广泛应用于开关电源中。MOSFET的驱动常根据电源IC和MOSFET的参数选择合适的电路。下面一起探讨MOSFET用于开关电源的驱动电路。 在使用MOSFET设计开关电源时，大部分人都会考虑MOSFET的导通电阻、最大电压、最大电流。但很多时候也仅仅考虑了这些因素，这样的电路也许可以正常工作，但并不是一个好的设计方案。更细致的，MOSFET还应考虑本身寄生的参数。对一个确定的MOSFET，其驱动电路，驱动脚输出的峰值电流，上升速率等，都会影响MOSFET的
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MOSFET 电源IC
使用单光子作为量子位的载体可以在量子数据传输期间实现可靠的安全性。研究人员发现，目前可以通过某现有材料建立一个系统，能在常温条件下可靠地产生单光子。
来自莫斯科物理技术学院(MIPT)的一个研究小组展示通过使用基于碳化硅(SiC)光电子半导体材料的单光子发射二极管，每秒可以发射多达数十亿个光子。研究人员进一步表明，SiC色心的电致发光可用于将无条件的安全量子通信线路中的数据传输速率提高到1Gbps以上。
量子密码术与传统的加密算法不同，它依赖于物理定律。在不改变原始信息的情况下，是无法
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SiC 量子通信
相较目前主流的硅晶圆(Si)，第三代半导体材料SiC及GaN除了耐高电压的特色外，也分别具备耐高温与适合在高频操作下的优势，不仅可使芯片面积可大幅减少，并能简化周边电路的设计，达到减少模组、系统周边的零组件及冷却系统的体积。根据估计，2018年全球SiC基板产值将达1.8亿美元，而GaN基板产值仅约3百万美元。
此外，除了轻化车辆设计之外，因第三代半导体的低导通电阻及低切换损失的特性，也能大幅降低车辆运转时的能源转换损失，两者对于电动车续航力的提升有相当的帮助。因此，
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SiC GaN
全球知名半导体制造商ROHM于2018年3月14日--16日参加了在上海新国际展览中心举办的"2018慕尼黑上海电子展(electronica China 2018)"。 “慕尼黑上海电子展"不仅是亚洲领先的电子行业展览，还是行业内最重要的盛会之一。ROHM在此次展会上以“汽车电子”和“工业设备”为轴，为大家呈现包括“汽车电子”、 “模拟”、“电源”、“传感器”以及“移动设备”在内的5大解决方案展区，囊括了业界领先的强大产品阵容。另外，为此
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ROHM SiC
慕尼黑上海电子展举办，作为亚洲第一电子大展，展会吸引了数万名电子行业的观众到场参观学习。而全球先进的元件分销商——世强元件电商，则携物联网、汽车、微波通信、功率电子、工业控制及自动化、结构件、阻容感、材料、测试测量等九大领域的最新产品及方案亮相。 凭借集成电路、元件、材料、部件、仪器、阻容感等全品类的电子元器件展示，以及NB-IOT、工业物联网、无线充电与快充、工业4.0、人工智能、楼宇照明、智能网联汽车、新能源汽车、5G通信、蓝牙Mesh等众多热门市场的最新产品的展示，世强元件电商吸引了大批工程师
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SiC GaN
据麦姆斯咨询报道，一些非常重要的市场趋势正在推动化合物半导体器件在关键行业的应用，化合物半导体正在强势回归。这些趋势主要包括第五代(5G)无线网络协议、无人驾驶和自动汽车、交通电气化、增强现实和虚拟现实(AR/VR)。这些应用正在推动3D传感的应用，提高功率模块效率和更高频率的通信应用。所有这些新发展背后的关键器件都是由化合物半导体制造而成。科锐(Cree)和英飞凌(Infineon)近日关于SiC材料、SiC功率器件和GaN射频(RF)器件的最新公告，还仅仅是化合物半导体应用的冰山一角。
我们
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5G SiC
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