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为什么所有的SiC肖特基二极管都不一样

  • 在高功率应用中,碳化硅(SiC)的许多方面都优于硅,包括更高的工作温度以及更高效的高频开关性能。但是,与硅快速恢复二极管相比,纯 SiC 肖特基二极管的一些特性仍有待提高。本博客介绍Nexperia(安世半导体)如何将先进的器件结构与创新工艺技术结合在一起,以进一步提高 SiC 肖特基二极管的性能。在高功率应用中,碳化硅(SiC)的许多方面都优于硅,包括更高的工作温度以及更高效的高频开关性能。但是,与硅快速恢复二极管相比,纯 SiC 肖特基二极管的一些特性仍有待提高。本博客介绍Nexperia(安世半导体
  • 关键字: SiC  肖特基二极管  

SiC 晶片的切片和表面精加工解决方案

  • 如今,碳化硅用于要求苛刻的半导体应用,如火车、涡轮机、电动汽车和智能电网。由于其物理和电气特性,基于SiC的器件适用于高温、高功率密度和高工作频率是常见要求的应用。尽管 SiC 功率器件推动了电动汽车、5G 和物联网技术等要求苛刻领域的进步,但高质量 SiC 基板的生产给晶圆制造商带来了多重挑战。如今,碳化硅用于要求苛刻的半导体应用,如火车、涡轮机、电动汽车和智能电网。由于其物理和电气特性,基于SiC的器件适用于高温、高功率密度和高工作频率是常见要求的应用。尽管 SiC 功率器件推动了电动汽车、5G 和物
  • 关键字: SiC  

采用SiC MOSFET的高性能逆变焊机设计要点

  • 近年来,为了更好地实现自然资源可持续利用,需要更多节能产品,因此,关于焊机能效的强制性规定应运而生。经改进的碳化硅CoolSiC™ MOSFET 1200V采用基于.XT扩散焊技术的TO-247封装,其非常规封装和热设计方法通过改良设计提高了能效和功率密度。逆变焊机通常是通过IGBT功率模块解决方案设计来实现更高输出功率,从而帮助降低节能焊机的成本、重量和尺寸[1]。在焊机行业,诸如提高效率、降低成本和增强便携性(即,缩小尺寸并减轻重量)等趋势一直是促进持续发展的推动力。譬如,多个标准法规已经或即将强制规
  • 关键字: 英飞凌  MOSFET  

干货 | MOSFET结构及其工作原理详解

  • 01 概述MOSFET的原意是:MOS(Metal Oxide Semiconductor金属氧化物半导体),FET(Field Effect Transistor场效应晶体管),即以金属层(M)的栅极隔着氧化层(O)利用电场的效应来控制半导体(S)的场效应晶体管。功率场效应晶体管也分为结型和绝缘栅型,但通常主要指绝缘栅型中的MOS型(Metal Oxide Semiconductor FET),简称功率MOSFET(Power MOSFET)。结型功率场效应晶体管一般称作静电感应晶体管(Sta
  • 关键字: MOSFET  

用于车载充电器应用的1200 V SiC MOSFET模块使用指南

  • 随着电动汽车的车载充电器 (OBC) 迅速向更高功率和更高开关频率发展,对 SiC MOSFET 的需求也在增长。许多高压分立 SiC MOSFET 已经上市,工程师也在利用它们的性能优势设计 OBC 系统。要注意的是,PFC 拓扑结构的变化非常显著。设计人员正在采用基于 SiC MOSFET 的无桥 PFC 拓扑,因为它有着卓越的开关性能和较小的反向恢复特性。众所周知,使用 SiC MOSFET 模块可提供电气和热性能以及功率密度方面的优势。安森美 (onsemi) 在使用 Si MOSFET 技术的汽
  • 关键字: 安森美  车载充电器  MOSFET  

中国小型 SiC 厂商,难过 2023

  • 2018 年,特斯拉在 Model 3 中首次将 IGBT 模块换成了 SiC 模块,成为第一家在量产汽车中使用 SiC 芯片的电动汽车公司。特斯拉的使用结果表明,在相同功率等级下,SiC 模块的封装尺寸明显小于硅模块,并且开关损耗降低了 75%。换算下来,采用 SiC 模块替代 IGBT 模块,其系统效率可以提高 5%左右。一场特斯拉的大风,引燃了 SiC。然而,就在刚刚过去的 3 月份,特斯拉却突然宣布,下一代的电动车传动系统 SiC 用量大减 75%,因借创新技术找到下一代电动车动力系统减少使用 S
  • 关键字: SiC  

第三代半导体高歌猛进,谁将受益?

  • “现在的新车,只要能用碳化硅的地方,便不会再用传统功率器件”。功率半导体大厂意法半导体(ST)曾以此言表达碳化硅于新能源汽车市场的重要性。当下,在全球半导体行业的逆流中,第三代半导体正闪烁着独特的光芒,作为其代表物的碳化硅和氮化镓顺势成为耀眼的存在。在此赛道上,各方纷纷加大马力,坚定下注,一部关于第三代半导体的争夺剧集已经开始上演。一、三代半方兴未艾产业进入高速成长期近日,科学技术部党组成员、副部长相里斌在2023中关村论坛上表示,2022年在全球疫情和需求端疲软等多重因素影响下,全球半导体产业进入下行周
  • 关键字: 第三代半导体  SiC  GaN  

如何通过实时可变栅极驱动强度更大限度地提高 SiC 牵引逆变器的效率

  • 牵引逆变器是电动汽车 (EV) 中消耗电池电量的主要零部件,功率级别可达 150kW 或更高。牵引逆变器的效率和性能直接影响电动汽车单次充电后的行驶里程。因此,为了构建下一代牵引逆变器系统,业界广泛采用碳化硅 (SiC) 场效应晶体管 (FET) 来实现更高的可靠性、效率和功率密度。图 1 所示的隔离式栅极驱动器集成电路 (IC) 提供从低电压到高电压(输入到输出)的电隔离,驱动逆变器每相的高边和低边功率模块,并监测和保护逆变器免受各种故障的影响。根据汽车安全完整性等级 (ASIL) 功能安全要求,栅极驱
  • 关键字: SiC  牵引逆变器  

纬湃科技和安森美签署碳化硅(SiC)长期供应协议

  •  ·       纬湃科技正在锁定价值19亿美元(17.5亿欧元)的碳化硅(SiC)产能·       纬湃科技通过向安森美提供2.5亿美元(2.3亿欧元)的产能投资,获得这一关键的半导体技术,以实现电气化的强劲增长·       除了产能投资外,两家公司还将在进一步优化主驱逆变器系统方面达成合作 2023年
  • 关键字: 纬湃  安森美  碳化硅  SiC  

泰克推出基于示波器的双脉冲测试解决方案, 加快SiC和GaN技术验证速度

  • 中国北京,2023年5月31日—— 全球领先的测试测量解决方案提供商泰克科技公司日前宣布,推出最新双脉冲测试解决方案 (WBG-DPT解决方案)。各种新型宽禁带开关器件正推动电动汽车、太阳能、工控等领域快速发展,泰克WBG-DPT解决方案能够对宽禁带器件(如SiC和GaN MOSFETs)提供自动可重复的、高精度测量功能。下一代功率转换器设计师现在能够利用WBG-DPT解决方案,满怀信心地迅速优化自己的设计。WBG-DPT解决方案能够在泰克4系、5系、6系MSO示波器上运行,并能够无缝集成到示波器测量系统
  • 关键字: 泰克  示波器  双脉冲测试  SiC  GaN  

三极管用饱和Rce,而MOSFET用饱和Vds?

  • MOSFET和三极管,在ON 状态时,MOSFET通常用Rds,三极管通常用饱和Vce。那么是否存在能够反过来的情况,三极管用饱和Rce,而MOSFET用饱和Vds呢?MOSFET和三极管,在ON 状态时,MOSFET通常用Rds,三极管通常用饱和Vce。那么是否存在能够反过来的情况,三极管用饱和Rce,而MOSFET用饱和Vds呢?三极管ON状态时工作于饱和区,导通电流Ice主要由Ib与Vce决定,由于三极管的基极驱动电流Ib一般不能保持恒定,因而Ice就不能简单的仅 由Vce来决定,即不能采用饱和Rc
  • 关键字: 三极管  MOSFET  

投身车电领域的入门课:IGBT和SiC功率模块

  • 2020 年初,疫情期间的封锁政策并未对电动汽车行业造成太大影响。2021 年,由于疫情期间人们对电动汽车的需求上升,再加上全球各国政府纷纷采取激励措施,电动汽车充电站的需求量开始增加。在过去的三年里,电动车领导品牌的销量纷纷呈现巨幅成长的趋势。 低成本、低排放汽车的不断发展,将推动整个亚太地区的电动汽车市场实现稳步扩张。同时,不断加码的政府激励措施和持续扩张的高性能车市场也推动着北美和欧洲地区电动汽车市场的快速增长。因此,根据MarketsandMarkets 市调数据估计,全球电动汽车市场规模将从 2
  • 关键字: 车用  电能转换  车电领域  IGBT  SiC  功率模块  

如何利用1200 V EliteSiC MOSFET 模块,打造充电更快的车载充电器?

  • 要能快速高效地为电动车更大的电池充电,电动车才能在市场普及并发展。2021 年,市场上排名前 12 位的电动汽车的平均电池容量为 80 kW-hr。消费者主要在家中使用车辆的车载充电器(OBC) 进行充电。为确保合理的车辆充电时间,OEM 还将 OBC 的功率容量从 6.6 kW 提高到 11 kW,甚至高达 22 kW。使用 6.6 kW OBC 时,这些电动汽车需要 12.1 小时才能充满电。而将 OBC 功率增加到 11 kW 后,充电时间缩短至 7.3 小时,而使用 22 kW OBC 时,只需
  • 关键字: MOSFET  车载充电器  

中国电科55所高性能高可靠碳化硅MOSFET成功通过技术鉴定

  • 近日,中国电科55所牵头研发的“高性能高可靠碳化硅MOSFET技术及应用”成功通过技术鉴定。鉴定委员会认为,该项目技术难度大,创新性显著,总体技术达到国际先进水平。该项目聚焦新能源汽车、光伏储能、智能电网等领域对高性能高可靠碳化硅MOSFET器件自主创新的迫切需求,突破多项关键工艺技术,贯通碳化硅衬底、外延、芯片、模块全产业链量产平台,国内率先研制出750V/150A和6500V/25A的大电流碳化硅MOSFET器件,实现新能源汽车、光伏、智能电网等领域碳化硅MOSFET批量供货,有力保障碳化硅功率器件供
  • 关键字: 中国电科  55所  碳化硅  MOSFET  

采用增强互连封装技术的1200 V SiC MOSFET单管设计高能效焊机

  • “引言”近年来,为了更好地实现自然资源可持续利用,需要更多节能产品,因此,关于焊机能效的强制性规定应运而生。经改进的碳化硅CoolSiC™ MOSFET 1200 V采用基于.XT扩散焊技术的TO-247封装,其非常规封装和热设计方法通过改良设计提高了能效和功率密度。 逆变焊机通常是通过功率模块解决方案设计来实现更高输出功率,从而帮助降低节能焊机的成本、重量和尺寸[1]。 在焊机行业,诸如提高效率、降低成本和增强便携性(即,缩小尺寸并减轻重量)等趋势一直是促进持续发展的推动力。譬如,多
  • 关键字: 增强互连封装技术  SiC MOSFET单管  焊机  
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