英飞凌科技股份公司（FSE代码：IFX / OTCQX代码：IFNNY）持续扩大与碳化硅（SiC）供应商的合作。英飞凌是一家总部位于德国的半导体制造商，此次与Resonac Corporation（原昭和电工）签署了全新的多年期供应和合作协议。早在2021年，双方就曾签署合作协议，此次的合作是在该基础上的进一步丰富和扩展，将深化双方在SiC材料领域的长期合作伙伴关系。协议显示，英飞凌未来十年用于生产SiC半导体的SiC材料中，约占两位数份额将由Resonac供给。前期，Resonac将主要供应6英寸SiC
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英飞凌 Resonac 碳化硅 SiC
与硅技术相比，SiC MOSFET在光伏和储能应用中具有明显的优势，它解决了能效与成本的迫切需求，特别是在需要双向功率转换的时候。易于安装是大功率光伏组串式逆变器的关键特征之一。如果只需要两个工人来搬运和安装该系统，将会非常利于运维。因此，尺寸和重量非常重要。最新一代的碳化硅半导体使电力转换效率大幅提高。这不仅节省了能源，而且使设备更小、更轻，相关的资本、安装和维护成本更低。关键的应用要求及其挑战。在光伏和储能系统中，1500V的高系统电压要求宇宙辐射引起的故障率非常低，同时要求功率器件具有更高的系统效率
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英飞凌 SiC 逆变器
_____“ 动态特性是功率器件的重要特性，在器件研发、系统应用和学术研究等各个环节都扮演着非常重要的角色。故对功率器件动态参数进行测试是相关工作的必备一环，主要采用双脉冲测试进行。”按照被测器件的封装类型，功率器件动态参数测试系统分为针对分立器件和功率模块两大类。长期以来，针对功率模块的测试系统占据绝大部分市场份额，针对分立器件的测试系统需求较少，选择也很局限。随着我国功率器件国产化进程加快，功率器件厂商和系统应用企业也越来越重视功率器件动态参数测试，特别是针对分立器件的测试系统提出了越来越多
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MOSFET
高频高效是开关电源及电力电子系统发展的趋势，高频工作导致功率元件开关损耗增加，因此要使用软开关技术，保证在高频工作状态下，减小功率元件开关损耗，提高系统效率。高频高效是开关电源及电力电子系统发展的趋势，高频工作导致功率元件开关损耗增加，因此要使用软开关技术，保证在高频工作状态下，减小功率元件开关损耗，提高系统效率。功率MOSFET开关损耗有2个产生因素：1）开关过程中，穿越线性区（放大区）时，电流和电压产生交叠，形成开关损耗。其中，米勒电容导致的米勒平台时间，在开关损耗中占主导作用。图1 功率MOSFET
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MOSFET ZVS
碳化硅（SiC）金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）作为宽禁带半导体单极型功率 器件，具有频率高、耐压高、效率高等优势，在高压应用领域需求广泛，具有巨大的研究价值。回顾了高压 SiC MOSFET 器件的发展历程和前沿技术进展，总结了进一步提高器件品质因数的元胞优化结构，介绍了针对高压器件的几种终端结构及其发展现状，对高压 SiC MOSFET 器件存在的瓶颈和挑战进行了讨论。1 引言电力电子变换已经逐步进入高压、特高压领域，高压功率器件是制约变换器体积、功耗和效率的决定性因素。特高压交直流输电、
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SiC MOSFET
东芝电子元件及存储装置株式会社（“东芝”）近日宣布推出采用新型L-TOGL™（大型晶体管轮廓鸥翼式引脚）封装的车载40V N沟道功率MOSFET---“XPQR3004PB”和“XPQ1R004PB”。这两款MOSFET具有高额定漏极电流和低导通电阻。产品于今日开始出货。近年来，随着社会对电动汽车需求的增长，产业对能满足车载设备更大功耗的元器件的需求也在增加。这两款新品采用了东芝的新型L-TOGL™封装，支持大电流、低导通电阻和高散热。上述产品未采用内部接线柱[1]结构，通过引入一个铜夹片将源极连接件和外
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东芝 MOSFET
功率半导体器件，也称为电力电子器件，主要用于电力设备的电能变换和控制电路方面大功率的电子器件。逆变（直流转换成交流）、整流（交流转换成直流）、斩波（直流升降压）、变频（交流之间转换）是基本的电能转换方式。MOSFET 和 IGBT 是主流的功率分立器件。一 新能源汽车是功率器件增量需求主要来源01 下游应用领域广泛，新能源汽车为主作为电能转化和电路控制的核心器件，功率器件下游应用十分广泛，包括新能源（风电、光伏、储能和电动汽车）、消费电子、智能电网、轨道交通等，根据每个细分领域性能要求
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功率器件 IGBT MOSFET 国产替代
去年 11 月底，特斯拉 Model 3 新款开售，其产品设计和功能变化都引起了外界关注。在特斯拉 Model 3 车型中，SiC 得到量产应用，这吸引了全球汽车厂商的目光。搭载 SiC 芯片的智能电动汽车，可提高续航里程，对突破现有电池能耗与控制系统上瓶颈，乃至整个新能源汽车行业都有重要意义。目前，业内普遍认为以 SiC 为代表的宽禁带半导体将成为下一代半导体主要材料，那么宽禁带半导体当前发展状况如何？国内外发展宽禁带半导体有哪些区别？未来发展面临着哪些挑战？01、特斯拉 Model 3 首批
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特斯拉 Model 3 SiC
罗姆今年发布了他们的第4代（Gen4）金氧半场效晶体管（MOSFET）产品。新系列包括额定电压为750 V（从650 V提升至750 V）和1200 V的金氧半场效晶体管，以及多个可用的TO247封装元件，其汽车级合格认证达56A/24mΩ。这一阵容表明罗姆将继续瞄准他们之前取得成功的车载充电器市场。在产品发布声明中，罗姆声称其第4代产品“通过进一步改进原有的双沟槽结构，在不影响短路耐受时间的情况下，使单位面积导通电阻比传统产品降低40%。”他们还表示，“此外，显著降低寄生电容使得开关损耗比我们的上一代碳
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罗姆 ROHM MOSFET
美国 宾夕法尼亚 MALVERN、中国 上海 — 2023年1月30日 — 日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代号：VSH）宣布，推出两款新型30 V对称双通道n沟道功率MOSFET---SiZF5300DT和SiZF5302DT，将高边和低边TrenchFET® Gen V MOSFET组合在3.3 mm x 3.3 mm PowerPAIR® 3x3FS单体封装中。Vishay Siliconix SiZF5300DT和SiZF5302DT适用于计算和通信应
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Vishay 对称双通道 MOSFET
全球半导体解决方案供应商瑞萨电子（TSE：6723）近日宣布，推出一款全新栅极驱动IC——RAJ2930004AGM，用于驱动电动汽车（EV）逆变器的IGBT（绝缘栅双极型晶体管）和SiC（碳化硅）MOSFET等高压功率器件。栅极驱动IC作为电动汽车逆变器的重要组成部分，在逆变器控制MCU，及向逆变器供电的IGBT和SiC MOSFET间提供接口。它们在低压域接收来自MCU的控制信号，并将这些信号传递至高压域，快速开启和关闭功率器件。为适应电动车辆电池的更高电压，RAJ2930004AGM内置3.75kV
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瑞萨 栅极驱动IC EV逆变器 IGBT SiC MOSFET
2023 年 1 月 30 日—领先于智能电源和智能感知技术的安森美（onsemi，美国纳斯达克上市代号：ON）宣布与德国大众汽车集团 (VW)签署战略协议，为大众汽车集团的下一代平台系列提供模块和半导体器件，以实现完整的电动汽车 (EV) 主驱逆变器解决方案。安森美所提供的半导体将作为整体系统优化的一部分，形成能够支持大众车型前轴和后轴主驱逆变器的解决方案。 安森美将首先交付其 EliteSiC 1200 V 主驱逆变器电源模块，作为协议的一部分。EliteSiC 电源模块具备引脚兼容特性，可
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安森美 大众汽车集团 电动汽车 碳化硅 SiC
SiC MOSFET 作为第三代宽禁带半导体具有击穿电场高、热导率高、电子饱和速率高、抗辐射能力强等优势，在各种各样的电源应用范围在迅速地扩大。其中一个主要原因是与以前的功率半导体相比，SiC MOSFET 使得高速开关动作成为可能。但是，由于开关的时候电压和电流的急剧变化，器件的封装电感和周边电路的布线电感影响变得无法忽视，导致漏极源极之间会有很大的电压尖峰。这个尖峰不可以超过使用的MOSFET 的最大规格，那就必须抑制尖峰。MOS_DS电压尖峰产生的原因在半桥电路中，针对MOS漏极和源极产生的尖峰抑制
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Arrow 碳化硅 MOSFET
PC、消费性市况在2022年第四季需求持续疲弱，且今年第一季客户端仍旧处于保守态度，使得MOSFET库存去化速度将比原先预期更加缓慢，供应链预期，最差情况可能要延续到今年第三季才可能逐步结束库存去化阶段。法人预期，尼克松（3317）、杰力（5299）、大中（6435）及富鼎（8261）等MOSFET厂营运可能将维持平淡到今年中。PC、消费性市况在历经2022年下半年的景气寒冬，且直到2022年底前都未能有效去化，使得MOSFET市场库存去化速度缓慢。供应链指出，先前晶圆代工产能吃紧，客户端重复下单情况在2
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库存 MOSFET
众所周知，“挖坑”是英飞凌的祖传手艺。在硅基产品时代，英飞凌的沟槽型IGBT（例如TRENCHSTOP系列）和沟槽型的MOSFET就独步天下。在碳化硅的时代，市面上大部分的SiC MOSFET都是平面型元胞，而英飞凌依然延续了沟槽路线。难道英飞凌除了“挖坑”，就不会干别的了吗？非也。因为SiC材料独有的特性，SiC MOSFET选择沟槽结构，和IGBT是完全不同的思路。咱们一起来捋一捋。关于IGBT使用沟槽栅的原因及特点，可以参考下面两篇文章：● 英飞凌芯片简史● &n
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英飞凌 MOSFET
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