- 电气设备（如断路器，电机或变压器）的电流额定值，是指在某个电流下，器件本身达到的温度可能损害器件可靠性和功能时的电流值。制造商虽然知道器件材料的温度限值，但是他并不知道使用器件时的环境温度。因此，他只能假设环境温度。1、什么是电流额定值？ 电气设备（如断路器，电机或变压器）的电流额定值，是指在某个电流下，器件本身达到的温度可能损害器件可靠性和功能时的电流值。制造商虽然知道器件材料的温度限值，但是他并不知道使用器件时的环境温度。因此，他只能假设环境温度。这就带来了两种后果： • 每个电流
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MOSFET
- 电器中配电、上电排序和电源状态转换都需要负载开关，它可以减小待机模式下的漏电流，抑制浪涌电流，实现断电控制。负载开关的作用是开启和关闭电源轨，大部分负载开关包含四个引脚：输入电压引脚、输出电压引脚、使能引脚和接地引脚。当通过ON引脚使能器件时，导通FET接通，从而使电流从输入引脚流向输出引脚，将电能传递到下游电路。东芝面向20V电源线路推出的MOSFET栅极驱动IC（集成电路）TCK421G就是一款负载开关，它是TCK42xG系列中的首款产品。该系列器件专门用于控制外部N沟道MOSFET的栅极电压（基于输
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TOSHIBA MOSFET
- 全球知名半导体制造商罗姆（总部位于日本京都市）的第4代SiC MOSFET和栅极驱动器IC已被日本先进的汽车零部件制造商日立安斯泰莫株式会社（以下简称“日立安斯泰莫”）用于其纯电动汽车（以下简称“EV”）的逆变器。在全球实现无碳社会的努力中，汽车的电动化进程加速，在这种背景下，开发更高效、更小型、更轻量的电动动力总成系统已经成为必经之路。尤其是在EV领域，为了延长续航里程并减小车载电池的尺寸，提高发挥驱动核心作用的逆变器的效率已成为一个重要课题，业内对碳化硅功率元器件寄予厚望。 罗姆自2010年
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罗姆 SiC MOSFET 日立安斯泰莫 纯电动汽车逆变器
- 现代-起亚集团的 E-GMP 纯电平台以 800V 高电压架构、高功率充电备受肯定，原先 E-GMP 平台在后马达 Inverter 逆变器的功率模块(Power Module)就有采用 SiC 碳化硅半导体，成本与转换效率比传统的硅半导体更高，更能提升续航。如今瑞士半导体供应商意法半导体 (STMicroelectronics) 日前推出第 3 代的 SiC 碳化硅功率模块，并确认 E-GMP 平台的起亚 EV6 等车款将采用，预计在动力、续航都能再升级。E-GMP 平台，原先已在后马达逆变器采用 Si
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SiC 碳化硅功率模块 起亚 EV6 意法半导体 ACEPACK DRIVE
- 功率半导体是电子装置中电能转换与电路控制的核心，主要用于改变电子装置中电压和频率、直流交流转换等。凡是在拥有电流电压以及相位转换的电路系统中，都会用到功率器件，MOSFET、IGBT主要作用在于将发电设备产生的电压和频率杂乱不一的“粗电”通过一系列的转换调制变成拥有特定电能参数的“精电”、供给需求不一的用电终端，为电子电力变化装置的核心器件之一。在分立器件发展过程中，20世纪50年代，功率二极管、功率三极管面世并应用于工业和电力系统。20世纪60至70年代，晶闸管等半导体功率器件快速发展。20世纪70年代
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功率半导体 MOSFET IGBT
- IT之家 12 月 12 日消息，国星光电研究院基于宽禁带半导体碳化硅技术，全新推出“NS62m SiC MOSFET 功率模块新品”，可应用于传统工控、储能逆变、UPS、充电桩、轨道交通和其他功率变换领域。面向储能逆变器市场，国星光电 NS62m 功率模块新品依托 SiC MOSFET 芯片的性能，提高了功率模块的电流密度以及开关频率，降低了开关损耗和导通损耗，减少了无源器件的使用和冷却装置的尺寸，最终达到降低系统成本、提升系统效率的目的。国星光电 NS62m 功率模块采用标准型封装，半桥拓扑
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国星光电 碳化硅 NS62m MOSFET
- 新能源汽车动力域高压化、小型化、轻型化是大势所趋。更高的电池电压如800V系统要求功率器件具有更高的耐压小型化要求功率拓扑具有更高的开关频率。碳化硅（SiC）作为第三代半导体代表，具有高频率、高效率、小体积等优点，更适合车载充电机OBC、直流变换器 DC/DC、电机控制器等应用场景高频驱动和高压化的技术发展趋势。本文主要针对SiC MOSFET的应用特点，介绍了车载充电机OBC和直流变换器DC/DC应用中的SiC MOSFET的典型使用场景，并针对SiC MOSFET的特性推荐了驱动芯片方案。最后，本文根
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TI MOSFET OBC
- 相比基于硅(Si)的MOSFET，基于碳化硅(SiC)的MOSFET器件可实现更高的效率水平，但有时难以轻易决定这项技术是否更好的选择。本文将阐述需要考虑哪些标准因素。超过 1000 V 电压的应用通常使用IGBT解决方案。但现在的SiC 器件性能卓越，能够实现快速开关的单极组件，可替代双极 IGBT。这些SiC器件可以在较高的电压下实施先前仅仅在较低电压 (<600 V) 下才可行的应用。与双极 IGBT 相比，这些基于 SiC 的 MOSFET 可将功率损耗降低多达 80%。英飞凌进一步优化了
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儒卓力 MOSFET
- 近年来，工业应用对MOSFET 的需求越来越高。从机械解决方案和更苛刻的应用条件都要求半导体制造商开发出新的封装方案和实施技术改进。从最初的通孔封装（插件）到 DPAK 或 D2PAK 等表面贴装器件 (SMD)，再到最新的无引脚封装，以及内部硅技术的显著改进，MOSFET 解决方案正在不断发展，以更好地满足工业市场新的要求。本文介绍了 TOLT 的封装方案、热性能和电路板的可靠性。关键特性，主要优势和应用目标应用市场英飞凌公司的 TOLT（JEDEC：HDSOP-16)，封装OptiMOS™ 5 功率
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Arrow MOSFET
- 汽车行业发展创新突飞猛进，车载充电器（OBC）与DCDC转换器（HV-LV DCDC）的应用因此也迅猛发展，同应对大多数工程挑战一样，设计人员把目光投向先进技术，以期利用现代超结硅（Super Junction Si）技术以及碳化硅（SiC）技术来提供解决方案。在追求性能的同时，对于车载产品来说，可靠性也是一个重要的话题。在车载OBC/DCDC应用中，高压功率半导体器件用的越来越多。对于汽车级高压半导体功率器件来说，门极氧化层的鲁棒性和宇宙辐射鲁棒性是可靠性非常重要的两点。宇宙辐射很少被提及，但事实是无论
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Infineon OBC SiC
- 全球知名半导体制造商ROHM（总部位于日本京都市）开发出一款小型且高效的20V耐压Nch MOSFET*1“RA1C030LD”，该产品非常适用于可穿戴设备、无线耳机等可听戴设备、智能手机等轻薄小型设备的开关应用。近年来，随着小型设备向高性能化和多功能化方向发展，设备内部所需的电量也呈增长趋势，电池尺寸的增加，导致元器件的安装空间越来越少。另外，电池的尺寸增加也是有限制的，为了更有效地利用有限的电池电量，就需要减少用电元器件的功率损耗。针对这种需求，开发易于小型化而且特性优异的晶圆级芯片尺寸封装的MOSF
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ROHM MOSFET
- 富昌电子（Future Electronics）一直致力于以专业的技术服务，为客户打造个性化的解决方案，并缩短产品设计周期。在第三代半导体的实际应用领域，富昌电子结合自身的技术积累和项目经验，落笔于SiC相关设计的系列文章。希望以此给到大家一定的设计参考，并期待与您进一步的交流。前两篇文章我们分别探讨了SiC MOSFET的驱动电压，以及SiC器件驱动设计中的寄生导通问题。本文作为系列文章的第三篇，会从SiC MOS寄生电容损耗与传统Si MOS作比较，给出分析和计算过程，供设计工程师在选择功率开关器件时
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富昌电子 MOSFET
- 高压功率系统设计人员努力满足硅MOSFET和IGBT用户对持续创新的需求。基于硅的解决方案在效率和可靠性方面通常无法兼得，也不能满足如今在尺寸、重量和成本方面极具挑战性的要求。不过，随着高压碳化硅（SiC）MOSFET的推出，设计人员现在有机会在提高性能的同时，应对所有其他挑战。 在过去20年间，额定电压介于650V至1200V的SiC功率器件的采用率越来越高，如今的1700V SiC产品便是在其成功的基础上打造而成。技术的进步推动终端设备取得了极大的发展；如今，随着额定电压为1700V的功率器件的推出，
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SiC MOSFET 功率转换
- 现阶段半导体市场，900V-1500V的超高压MOSFET几乎被进口品牌垄断，并存在价格高、交付周期长等问题，为填补国内该项系列产品的市场空白，瑞森半导体采用新型的横向变掺杂技术，利用特殊的耐压环和晶胞设计，研发出电压更高、导通内阻更低的超高压系列MOS管，打破了进口品牌垄断的局面 。一、破局进口品牌垄断现阶段半导体市场，900V-1500V的超高压MOSFET几乎被进口品牌垄断，并存在价格高、交付周期长等问题，为填补国内该项系列产品的市场空白，瑞森半导体采用新型的横向变掺杂技术，利用特殊的耐压环和晶胞设
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RS瑞森半导体 MOSFET
- 本文介绍最新的驱动器+ MOSFET（DrMOS）技术及其在稳压器模块（VRM）应用中的优势。单芯片DrMOS组件使电源系统能够大幅提高功率密度、效率和热性能，进而增强最终应用的整体性能。随着技术的进步，多核架构使微处理器在水平尺度上变得更密集、更快速。因此，这些组件需要的功率急剧增加。微处理器所需的此种电源由稳压器模块（VRM）提供。在该领域，推动稳压器发展的主要有两个参数。首先是稳压器的功率密度（单位体积的功率），为了在有限空间中满足系统的高功率要求，必须大幅提高功率密度。另一个参数是功率转换效率，高
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单芯片 驱动器 MOSFET DrMOS 电源系统设计
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