英飞凌推出TO263-7封装的新一代1200 V CoolSiC沟槽式MOSFET

英飞凌推出采用TO263-7封装的新一代车规级1200 V CoolSiC MOSFET。这款新一代车规级碳化矽（SiC）MOSFET具有高功率密度和效率，能够实现双向充电功能，并显着降低了车载充电（OBC）和DC-DC应用的系统成本。

相比第一代产品，1200 V CoolSiC系列的开关损耗降低了25%，具有同类最佳的开关效能。这种开关效能上的改进实现了高频运行，缩小了系统尺寸并提高了功率密度。由于闸极-源极阈值电压（VGS(th)）大于4V且Crss/Ciss比率极低，因此在VGS=0 V时可实现可靠的关断，而且没有寄生导通的风险。这使得单极驱动成为可能，从而降低了系统成本和复杂性。另外，新一代产品具有低导通电阻（RDS(on)），减少了-55℃至175℃温度范围内的导通损耗。

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先进的扩散焊接芯片贴装制程（.XT技术）显着改善了封装的热效能，相比第一代产品，SiC MOSFET的接面温度降低了25%。

此外，这款 MOSFET的爬电距离为5.89 mm，符合800 V系统要求并减少了涂布工作量。为满足不同应用的需求，英飞凌提供一系列RDS（on）选项，包括目前市场上唯一采用TO263-7封装的9 mΩ型。

KOSTAL在其OBC平台中使用CoolSiC MOSFET

KOSTAL Automobil Elektrik在其为国内OEM厂商提供的新一代OBC平台中采用了英飞凌最新的CoolSiC MOSFET。KOSTAL是一家全球领先的汽车充电器系统供应商，透过其标准化平台方案为全球提供安全、可靠和高效的产品，可满足各OEM厂商的要求及全球法规。

英飞凌车规级高压芯片和分立元件产品线副总裁Robert Hermann表示：「低碳化是这十年的主要挑战，让我们更有动力与客户一起推动汽车的电气化进程。因此，我们十分高兴能够与KOSTAL合作。这个专案突出了我们的标准产品组合在采用先进SiC技术的车载充电器市场中的强大地位。」

KOSTAL ASIA副总裁暨技术执行经理Shen Jianyu表示：「英飞凌的新型1200V CoolSiC沟槽式MOSFET额定电压高、具备优异的强固性，是我们未来一代OBC平台的关键组件。这些优势有助于我们创造一个兼容的设计，以管理我们最先进的技术解决方案，实现优化成本和大规模的市场交付。」

欲知更多详情，请浏览英飞凌官网。