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mosfet 文章

占空比的上限

  • 开关稳压器使用占空比来实现电压或电流反馈控制。占空比是指导通时间(TON)与整个周期时长(关断时间(TOFF)加上导通时间)之比,定义了输入电压和输出电压之间的简单关系。更准确的计算可能还需要考虑其他因素,但在以下这些说明中,这些并不是决定性因素。开关稳压器的占空比由各自的开关稳压器拓扑决定。降压型(降压)转换器具有占空比D,D = 输出电压/输入电压,如图1所示。对于升压型(升压)转换器,占空比D = 1 –(输入电压/输出电压)。这些关系仅适用于连续导通模式(CCM)。在这个模式下,电感电流在时间段T
  • 关键字: CCM  TON  MOSFET  

iCoupler技术为AC/DC设计中的氮化镓(GaN)晶体管带来诸多优势

  • 大规模数据中心、企业服务器或电信交换站使得功耗快速增长,因此高效AC/DC电源对于电信和数据通信基础设施的发展至关重要。但是,电力电子行业中的硅MOSFET已达到其理论极限。同时,近来氮化镓(GaN)晶体管已成为能够取代硅基MOSFET的高性能开关,从而可提高能源转换效率和密度。为了发挥GaN晶体管的优势,需要一种具有新规格要求的新隔离方案。GaN晶体管的开关速度比硅MOSFET要快得多,并可降低开关损耗,原因在于:■   较低的漏源极导通电阻(RDS(ON))可实现更高的电流操作,从
  • 关键字: MOSFET  

应用笔记140 - 第3/3部分:开关电源组件的设计考虑因素

  • 开关频率优化一般来讲,开关频率越高,输出滤波器元件L和CO的尺寸越小。因此,可减小电源的尺寸,降低其成本。带宽更高也可以改进负载瞬态响应。但是,开关频率更高也意味着与交流相关的功率损耗更高,这需要更大的电路板空间或散热器来限制热应力。目前,对于 ≥10A的输出电流应用,大多数降压型电源的工作频率范围为100kHz至1MHz ~ 2MHz。 对于<10A的负载电流,开关频率可高达几MHz。每个设计的最优频率都是通过仔细权衡尺寸、成本、效率和其他性能参数实现的。输出电感选择在同步降压转换器中,电感峰峰值
  • 关键字: MOSFET  DCE  ESR  MLCC  

宜普电源转换公司(EPC)最新推出 100 V eGaNFET产品,为业界树立全新性能基准

  • 增强型硅基氮化镓(eGaN)功率场效应晶体管和集成电路的全球领导厂商宜普电源转换公司(EPC)最新推出的两款100 V eGaN FET(EPC2218及EPC2204),性能更高并且成本更低,可立即发货。采用这些先进氮化镓器件的应用非常广,包括同步整流器、D类音频放大器、汽车信息娱乐系统、DC/DC转换器(硬开关和谐振式)和面向全自动驾驶汽车、机械人及无人机的激光雷达系统。EPC2218(3.2 mΩ、231 Apulsed)和EPC2204(6 mΩ、125 Apulsed)比前代eGaN FET的导
  • 关键字: MOSFET  QRR  QG  

应用笔记140 第2/3部分 - 开关模式电源基础知识

  • 为何使用开关模式电源?显然是高效率。在SMPS中,晶体管在开关模式而非线性模式下运行。这意味着,当晶体管导通并传导电流时,电源路径上的压降最小。当晶体管关断并阻止高电压时,电源路径中几乎没有电流。因此,半导体晶体管就像一个理想的开关。晶体管中的功率损耗可减至最小。高效率、低功耗和高功率密度(小尺寸)是设计人员使用SMPS而不是线性稳压器或LDO的主要原因,特别是在高电流应用中。例如,如今12VIN、3.3VOUT开关模式同步降压电源通常可实现90%以上的效率,而线性稳压器的效率不到27.5%。这意味着功率
  • 关键字: MOSFET    

TrenchFET器件典型RDS(ON)为 61 mΩ,优值系数为 854 mΩ*nC,封装面积10.89 mm²

  • 日前,Vishay Intertechnology, Inc. 近日宣布,推出新型200V n沟道MOSFET--- SiSS94DN ,器件采用热增强型3.3 mm x 3.3 mm PowerPAK® 1212-8S封装,10 V条件下典型导通电阻达到业内最低的61 mΩ。同时,经过改进的导通电阻与栅极电荷乘积,即MOSFET开关应用重要优值系数(FOM)为854 mΩ*nC。节省空间的Vishay Siliconix SiSS94DN 专门用来提高功率密度,占位面积比采
  • 关键字: MOSFET  FOM  

健康催生可穿戴多功能需求

  • 可穿戴设备广泛用于娱乐、运动和医疗健康等领域,作为把多媒体、传感器和无线通信等技术嵌入人们的衣着或配件的设备,可支持手势和眼动操作等多种交互方式。作为消费电子业面临的又一个新发展机遇,可穿戴设备经历了前些年从概念火爆到实际产品大量普及的过程之后,行业前景一直稳步成长。据统计,2019年全球可穿戴技术产品市场的规模超过了500亿美元,是2014年的2倍以上,可以说可穿戴设备已成为过去5年来消费电子领域最成功的市场之一。1   市场需求持续爆发虽然2020年全球经历了严重的新冠疫情影响,部
  • 关键字: MOSFET  VR  MR  CGM  IDC  

ROHM为新基建带来的功率器件和电源产品

  • 1 无线基站罗姆(ROHM)针对无线基站推出了多款解决方案,包括一系列高耐压MOSFET和高效率DC/DC转换器等,有助于降低功耗。 SiC MOSFET具有高耐压、高速开关、低导通电阻的特性,即使在高温环境下也能显示出色的电器特性,有助于大幅降低开关损耗和周边零部件的小型化。罗姆备有650V、1200V、1700V SiC MOSFET产品。其中,第3代沟槽栅型SiC MOSFET SCT3系列有650 V和1 200 V的六款产品,特点是导通
  • 关键字: 耐高压  MOSFET  DC/DC  

有助于减轻激光光源电路的设计负担并提高测距精度

  • 全球知名半导体制造商ROHM(总部位于日本京都市)近日确立了一项VCSEL*1模块技术,该技术通过提高VCSEL的输出功率,进一步提高了空间识别和测距系统(TOF系统*2)的精度。以往采用VCSEL的激光光源中,作为光源的VCSEL产品和用来驱动光源的MOSFET产品在电路板上是独立贴装的。在这种情况下,产品之间的布线长度(寄生电感*3)无意中会影响光源的驱动时间和输出功率,这就对实现高精度感应所需的短脉冲大功率光源带来了局限性。ROHM此项新技术的确立,将新VCSEL元件和MOSFET元件集成于1个模块
  • 关键字: MOSFET  VCSEL  TOF  AGV  

内置高压MOS管和高压启动的AC/DC电源控制芯片

  • 一、芯片介绍继推出5W和20W的开关电源控制IC后,为满足客户对更多功率段的需求,金升阳推出内置高压MOS管和高压启动的AC/DC电源控制芯片——SCM1738ASA。SCM1738ASA是一款内置高压MOS 管功率开关的原边控制开关电源(PSR),采用PFM 调频技术,提供精确的恒压/恒流(CV/CC)控制环路,稳定性和平均效率非常高。由于集成高压启动,可以省去外围的启动电阻,实现低损耗可靠启动。同时,该芯片具有可调节线性补偿功能和内置峰值电流补偿功能,输出功率最大可达8W。二、产品应用可广泛应用于AC
  • 关键字: MOSFET  PSR  IC  RFM  

减少开关损耗:儒卓力提供来自罗姆的节能SiC-MOSFET

  • 罗姆的SCT3xxx xR系列包含六款具有沟槽栅极结构(650V / 1200V)的碳化硅MOSFET器件。该产品系列提供4引脚封装(TO-247-4L)型款,与传统3引脚封装类型(TO-247N)相比,可最大限度地提高开关性能,并将开关损耗降低多达35%。SiC-MOSFET特别适合在服务器电源、UPS系统、太阳能逆变器和新能源汽车充电站中的节能使用。通过使用TO-247-4L封装,驱动器和电流源引脚得以分离,从而最大限度地降低了寄生电感分量的影响。这有助于显着降低功耗,对于必须提供不间断电源的高性能应
  • 关键字: MOSFET  碳化硅  UPS  

模块化参考设计帮助用户为各种应用选择不同的功能块 缩短上市时间、节省BOM成本及资源

  • 全球领先的半导体解决方案供应商瑞萨电子集团 近日宣布推出一款48V电动车应用成功产品组合解决方案,可帮助用户加快电动滑板车、电动自行车、混合动力汽车、UPS和储能系统的开发。该参考设计在硬件和软件中均采用模块化方法以展示核心及可选功能块,可用于多种24V-48V应用,如割草机、手推车、机器人清洁器、电动工具、移动电源等。该成功产品组合使用了15个瑞萨IC产品,包括三个关键器件:ISL94216 16芯电池前端(BFE)、强健的HIP2211 100V MOSFET驱动器以及用于电机控制的RX23T 32位
  • 关键字: MOSFET  PWM  BLDC  MCU  

低导通电阻的-30 V P沟道MOSFET,可提高能效和功率密度

  • 日前,Vishay Intertechnology, Inc.宣布,首度推出-30 V p沟道功率MOSFET--- SiRA99DP ,10 V条件下导通电阻降至1.7 mW。Vishay Siliconix TrenchFET®第四代 SiRA99DP 导通电阻达到业内最低水平,采用热增强型6.15 mm x 5.15 mm PowerPAK® SO-8单体封装,专门用来提高功率密度。日前发布的MOSFET导通电阻比市场上排名第二的产品低43
  • 关键字: MOSFET  

储能系统助推电动汽车快速充电基础设施建设

  • 电动汽车(EV)将获得越来越多的市场份额,最终取代内燃机汽车。直流快速充电站将取代或整合加油站。太阳能、风能等可再生能源将为它们提供动力。人们将希望能在不到15分钟的时间内为电动汽车充满电,他们不愿排队等候唯一的充电桩。
  • 关键字: MOSFET  PWM  BMS  

东芝与MikroElektronika展开合作,为电机驱动IC开发评估板

  • 东芝电子元件及存储装置株式会社(“东芝”)近日宣布,与MikroElektronika(“Mikroe”)合作推出基于东芝电机驱动IC的Click boards™开发评估板。Mikroe是一家设计和制造用于嵌入式系统开发的软硬件工具的公司。客户现在可通过由Mikroe制造和销售的评估板Click boards™对东芝电机驱动IC进行评估。东芝高度集成的电机驱动IC拥有四十多年的历史,因得到电机控制系统的普遍采用而在业界广受推崇。为控制多种应用中的直流有刷电机、直流无刷电机和步进电机,东芝提供丰富的电机驱动
  • 关键字: NVM  IC  MOSFET  
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mosfet介绍

  金属-氧化层-半导体-场效晶体管,简称金氧半场效晶体管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET)是一种可以广泛使用在类比电路与数位电路的场效晶体管(field-effect transistor)。MOSFET依照其“通道”的极性不同,可分为n-type与p-type的MOSFET,通常又称为NMOSFET与PMOSF [ 查看详细 ]

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