首页  资讯  商机   下载  拆解   高校  招聘   杂志  会展  EETV  百科   问答  电路图  工程师手册   Datasheet  100例   活动中心  E周刊阅读   样片申请
EEPW首页 >> 主题列表 >> mosfet

mosfet 文章

意法半导体推出离线转换器 提高5-30V电源的雪崩耐量、能效和灵活性

  •   意法半导体的VIPer11离线转换器内置800V耐雪崩MOSFET,可帮助设备制造商设计更耐用的辅助电源和电源适配器,其26Vdc漏极启动电压允许超宽的线路输入电压,并提高诸多消费和工业电源的灵活性。  逻辑级原边MOSFET让VIPer11能够在4.5V至30V的宽电源电压范围内工作,可用于设计高效的5V输出开关电源。结合内部高压启动、误差放大器和降低EMI干扰的抖动振荡器等功能,这种优势可简化设计,节省空间和物料清单成本。  VIPer11高压转换器可实现由整流的AC线或其它直流电源直接供电的反激
  • 关键字: 意法半导体,MOSFET  

工业设备辅助电源驱动用的SiC电源解决方案

  •   前言  包括光伏逆变器、电气驱动装置、UPS及HVDC在内的功率转换系统,需要栅极驱动器、微控制器、显示器、传感器及风扇来使系统正常运行。这类产品需要能够提供12V或24V低电压电源的辅助电源。辅助电源则需要输入通常工业设备所使用的三相400/480V AC电源、或太阳能光伏逆变器所使用的高电压DC电源才能工作。本文将介绍融入了ROHM的SiC技术优势且设计简单、性价比高的电源解决方案。  小型辅助电源用SiC MOSFET  图1是辅助电源所用的普通电路。在某些输入电压条件下,MOSFET的最高耐压
  • 关键字: SiC,MOSFET  

计算MOSFET非线性电容

  •   最初为高压器件开发的超级结MOSFET,电荷平衡现在正向低压器件扩展。虽然这极大地降低了RDS(ON) 和结电容,但电荷平衡使后者非线性进一步加大。MOSFET有效储存电荷和能量减少,而且显著减少,但计算或比较不同MOSFET参数以获得最佳性能变得更加复杂。  MOSFET三个相关电容不能作为VDS的函数直接测量,其中有的需要在这个过程中短接或悬空。数据手册最终测量给出的三个值定义如下:  CiSS = CGS + CGD COSS = CDS + CDG CRSS = CGD  三者中,输入电容CG
  • 关键字: MOSFET  非线性电容  

电源设计经验之MOS管驱动电路篇

  •   MOSFET因导通内阻低、开关速度快等优点被广泛应用于开关电源中。MOSFET的驱动常根据电源IC和MOSFET的参数选择合适的电路。下面一起探讨MOSFET用于开关电源的驱动电路。  在使用MOSFET设计开关电源时,大部分人都会考虑MOSFET的导通电阻、最大电压、最大电流。但很多时候也仅仅考虑了这些因素,这样的电路也许可以正常工作,但并不是一个好的设计方案。更细致的,MOSFET还应考虑本身寄生的参数。对一个确定的MOSFET,其驱动电路,驱动脚输出的峰值电流,上升速率等,都会影响MOSFET的
  • 关键字: MOSFET  电源IC  

Littelfuse在2018年APEC大会上推出超低导通电阻1200V碳化硅MOSFET

  •   全球电路保护领域的领先企业Littelfuse, Inc.与从事碳化硅技术开发的德州公司Monolith Semiconductor Inc.今天新推出两款1200V碳化硅(SiC) n通道增强型MOSFET,为其日益扩展的第一代电源半导体器件组合注入新鲜血液。 Littelfuse与Monolith在2015年结成战略合作关系,旨在为工业和汽车市场开发电源半导体。这种新型碳化硅MOSFET即为双方联手打造的最新产品。 这些产品在应用电力电子
  • 关键字: Littelfuse  MOSFET  

宜普电源转换公司(EPC)的专家携手与工程师发挥氮化镓器件及集成电路的最高性能,不仅替代MOSFET器件,更为市场带来创新设计

  •   EPC公司的管理及技术团队将在中国深圳及上海于3月14至16日举行的各大业界论坛及展会上,与工程师会面并作技术交流。届时,EPC团队将分享如何发挥氮化镓场效应晶体管(GaN FET)及集成电路的最高性能、创新设计,从而为工程师及其客户,打造共创共赢新局面。  AirFuel无线充电大会暨开发者论坛 2018 (中国深圳 - 3月14至16日)  首届AirFuel无线充电大会暨开发者论坛将于3月14至16日在深圳南山凯宾斯基酒店举行。由AirFuel™
  • 关键字: 宜普  MOSFET  

高性能ZVS降压稳压器消除在宽输入范围负载点应用中提高功率吞吐量的障碍

  •   当前具有更高整体效率的电子系统需要更高的功率密度,这为非隔离负载点稳压器(niPOL) 带来了大量变革。为了提高整体系统效率,设计人员选择避免多级转换,以获得他们所需要的稳压负载点电压。这就意味着niPOL需要支持更高的工作输入电压,提供更高的转换率。除此之外,niPOL还需要在保持最高效率的同时,继续缩小电源解决方案的总体尺寸。而且随着产品性能的提升,niPOL的功率需求会进一步提高。  电源行业通过对niPOL进行多项技术升级来应对这一挑战。过去几年,行业已经看到器件封装、半导体集成和M
  • 关键字: ZVS  MOSFET  

MOSFET芯片需求加剧 缺货之势持续蔓延

  • MOSFET缺货潮来势汹汹,看着突然实则必然,毕竟消费电子的更新迭代速度加快以及新能源汽车飞速发展已成必然之势。
  • 关键字: MOSFET  芯片  

一种具有后台校正功能的电流舵DAC

  •   随着工艺水平的提高,MOSFET(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor,即金属-氧化物半导体场效应晶体管)阈值电压的失配常数Avt越来越小,电流源之间的匹配程度越来越高,然而随着DAC(Digital to Analog Converter,即数模转换器)分辨率的提高, DAC对电流源误差的要求越来越高[1]。其中阈值电压失配不仅与Avt有关,由于阈值电压的温度系数存在,DAC工作
  • 关键字: DAC  MOSFET  

通过电源模块提高电动工具设计的性能

  •   电动工具、 园艺工具和吸尘器等家电使用低电压(2至10节)锂离子电池供电的电机驱动。这些工具使用有刷直流(BDC)或三相无刷直流(BLDC)电机。BLDC电机效率更高、维护少、噪音小、使用寿命更长。  驱动电机功率级的最重要的性能要求是尺寸小、效率高、散热性能好、保护可靠、峰值电流承载能力强。小尺寸可实现工具内的功率级的灵活安装、更好的电路板布局性能和低成本设计。高效率可提供最长的电池寿命并减少冷却工作。可靠的操作和保护可延长使用寿命,有助于提高产品声誉。  为在两个方向上驱动BDC电机,您
  • 关键字: BLDC  MOSFET  

汽车电源的监视和开关

  •   引言  在如今的汽车中,为了提高舒适度和行车体验而设计了座椅加热、空调、导航、信息娱乐、行车安全等系统,从这些系统很容易理解在车中为各种功能供电的电子系统的好处。现在我们很难想像仅仅 100 多年以前的景象,那时,在汽油动力汽车中,一个电子组件都没有。在世纪交替时期的汽车开始有了手摇曲柄,前灯开始用乙炔气照明,也可以用铃声向行人发出提示信息了。如今的汽车正处于彻底变成电子系统的交界点,最大限度减少了机械系统的采用,正在成为人们生活中最大、最昂贵的“数字化工具”。由于可用性和环保原因
  • 关键字: 电源  MOSFET   

缺货缓解待看12寸产能 国产MOSFET持续主导消费类市场

  •   MOSFET涨价何时能得到缓解?深圳市拓锋半导体科技有限公司总经理陈金松表示可能要到2018年第四个季度,等国内的12寸晶圆量产之后,将8寸的产能腾出来,才有可能缓解。同时要看封测厂的“吞吐力”是否足以化解8寸产能的释放,如果封测厂商难以消化这么大的产能,涨价仍会持续,只是幅度不会像今年这么大了。“明年我们自己的封装厂将扩产,预计2018年6月可正式投产,扩产后的产能可多出一倍,每月达2亿只左右。”陈金松说。   MOSFET作为应用广泛的基础类元器件
  • 关键字: MOSFET  DFN  

600 V CoolMOS™ CFD7 SJ MOSFET将性能提升到全新水准

  •   017年11月24日,德国慕尼黑讯—凭借600 V CoolMOSCFD7,英飞凌科技股份公司推出最新的高压超结MOSFET技术。该600 V CoolMOS CFD7是CoolMOS 7系列的新成员。这款全新MOSFET满足了高功率SMPS市场对谐振拓扑的需求。它的LLC和ZVS PSFB等软开关拓扑具备业内领先的效率和可靠性。这使其非常适合服务器、电信设备电源和 电动汽车充电站等高功率SMPS应用。   &n
  • 关键字: 英飞凌  MOSFET  

缺货缓解待看12寸产能 国产MOSFET持续主导消费类市场

  •   MOSFET涨价何时能得到缓解?深圳市拓锋半导体科技有限公司总经理陈金松表示可能要到2018年第四个季度,等国内的12寸晶圆量产之后,将8寸的产能腾出来,才有可能缓解。同时要看封测厂的“吞吐力”是否足以化解8寸产能的释放,如果封测厂商难以消化这么大的产能,涨价仍会持续,只是幅度不会像今年这么大了。“明年我们自己的封装厂将扩产,预计2018年6月可正式投产,扩产后的产能可多出一倍,每月达2亿只左右。”陈金松说。   MOSFET作为应用广泛的基础类元器件
  • 关键字: MOSFET  晶圆  

功率因数校正最佳策略:如何选取合适的MOSFET?

  • 功率因数校正最佳策略:如何选取合适的MOSFET?-近年来,随着汽车、通信、能源、绿色工业等大量使用MOSFET的 行业的快速发展,功率MOSFET备受关注。
  • 关键字: MOSFET  功率因数  Vishay  
共856条 1/58 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 » ›|

mosfet介绍

  金属-氧化层-半导体-场效晶体管,简称金氧半场效晶体管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET)是一种可以广泛使用在类比电路与数位电路的场效晶体管(field-effect transistor)。MOSFET依照其“通道”的极性不同,可分为n-type与p-type的MOSFET,通常又称为NMOSFET与PMOSF [ 查看详细 ]

热门主题

FPGA    DSP    MCU    示波器    步进电机    Zigbee    LabVIEW    Arduino    RFID    NFC    STM32    Protel    GPS    MSP430    Multisim    滤波器    CAN总线    开关电源    单片机    PCB    USB    ARM    CPLD    连接器    MEMS    CMOS    MIPS    EMC    EDA    ROM    陀螺仪    VHDL    比较器    Verilog    稳压电源    RAM    AVR    传感器    可控硅    IGBT    嵌入式开发    逆变器    Quartus    RS-232    Cyclone    电位器    电机控制    蓝牙    PLC    PWM    汽车电子    转换器    电源管理    信号放大器    树莓派    linux   
关于我们 - 广告服务 - 企业会员服务 - 网站地图 - 联系我们 - 征稿 - 友情链接 - 手机EEPW
Copyright ©2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《电子产品世界》杂志社 版权所有 北京东晓国际技术信息咨询有限公司
备案 京ICP备12027778号-2 北京市公安局备案:1101082052    京公网安备11010802012473