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mosfet 文章

一篇文章读懂超级结MOSFET的优势

  •   平面式高压MOSFET的结构   图1显示了一种传统平面式高压MOSFET的简单结构。平面式MOSFET通常具有高单位芯片面积漏源导通电阻,并伴随相对更高的漏源电阻。使用高单元密度和大管芯尺寸可实现较低的RDS(on)值。但大单元密度和管芯尺寸还伴随高栅极和输出电荷,这会增加开关损耗和成本。另外还存在对于总硅片电阻能够达到多低的限制。器件的总RDS(on)可表示为通道、epi和衬底三个分量之和:   RDS(on) = Rch + Repi + Rsub      图1:传统平面式MOSF
  • 关键字: MOSFET  超级结  

智能电网端口保护:这不是一颗“料”在战斗!

  •   今天,做一个产品或系统的电路保护方案,特别是智能电网等工业应用的端口保护设计,就像是组织一场足球比赛的防御战:你需要有大牌的球(yuan)星(jian),还需要有将他们捏合在一起的战术,去抵御来自对手的每一次可能的“进攻”。这其中的门道儿不少,但也有套路可寻,今天我们就来看看世健(Excelpoint)作为工业电路保护界的“豪门”,是怎么玩儿的。  那些明星元件  先来细数一下世健帐下那些在智能电网上可堪重用的电路保护元件“球星”,它们大多来自Bourns公司,每颗料都很有“料”。比如:  TBU高速
  • 关键字: 智能电网  MOSFET  

1200V CoolSiCTM MOSFET兼具高性能与高可靠性

  • SiC在电源转换器的尺寸、重量和/或能效等方面具有优势。当然,要进行大批量生产,逆变器除了静态和动态性能之外,还必须具备适当的可靠性,以及足够的阈值电压和以应用为导向的短路耐受能力等。可与IGBT兼容的VGS=15V导通驱动电压,以便从IGBT轻松改用SiC MOSFET解决方案。英飞凌的1200V CoolSiCTM MOSFET可满足这些要求。
  • 关键字: 电源转换器  SiC  MOSFET  逆变器  201707  

电源模块性能的PCB布局优化

  • 全球出现的能源短缺问题使各国政府都开始大力推行节能新政。电子产品的能耗标准越来越严格,对于电源设计工程师,如何设计更高效率、更高性能的电源是一个永恒的挑战。本文从电源PCB的布局出发。
  • 关键字: 电源模块性能  PCB布局技术  MOSFET  

Diodes代理商:Diodes半导体

  •   Diodes公司是一家在广阔的分散和模拟半导体市场上居全球领先地位的高质量、特定应用标准产品生产商和供应商,服务市场主要面向电子消费品、计算、通讯、工业和汽车制造业。  Diodes的产品种类丰富,包括二极管、整流器、晶体管、MOSFET、保护器件、特定功能阵列、单门逻辑、放大器和比较器、霍尔效应和温度传感器、电源管理设备(包括LED驱动器、AC-DC 转换器和控制器、DC-DC 开关、线性稳压器和电压基准),以及特殊功能器件,如 USB 电源开关、负载开关、电
  • 关键字: Diodes  MOSFET  

三极管和MOS管做开关用时的区别

  • 实际上就是三极管比较便宜,用起来方便,常用在数字电路开关控制。MOS管用于高频高速电路,大电流场合,以及对基极或漏极控制电流比较敏感的地方。一般来说低成本场合,普通应用的先考虑用三极管,不行的话考虑MOS管
  • 关键字: 三极管  MOSFET  

功率MOSFET的结构,工作原理及应用

  • “MOSFET(场效应管)”是英文MetalOxide Semicoductor Field Effect Transistor的缩写,译成中文是“金属氧化物半导体场效应管”。它是由金属、氧化物(SiO2或SiN)及半导体三种材料制成的器件。所谓功率MOSFET(场效应管)(Power MOSFET(场效应管))是指它能输出较大的工作电流
  • 关键字: 功率MOSFET  MOSFET  

MOSFET安全工作区对实现稳固热插拔应用的意义所在

  • 即使是在插入和拔出电路板和卡进行维修或者调整容量时,任务关键的伺服器和通信设备也必须能够不间断工作。热插拔控制器 IC 通过软启动电源,支持从正在工作的系统中插入或移除电路板,从而避免了出现连接火花、背板供电干扰和电路板卡复位等问题。控制器 IC 驱动与插入电路板之电源相串联的功率 MOSFET 开关 (图 1)。电路板插入后,MOSFE
  • 关键字: 安全工作区  MOSFET  LTC4233  热插拔  热插拔控制器  

电源设计小贴士43:分立器件——一款可替代集成MOSFET驱动器的卓越解决方案

  • 在本设计小贴士中,我们来了解一下自驱动同整流器并探讨何时需要分立驱动器来保护同步整流器栅极免受过高电压带来的损坏。理想情况下,您可以利用电源变压器直接驱动同步整流器,但是由于宽泛的输入电压变量,变压器电压会变得很高以至于可能会损坏同步整流器。
  • 关键字: 分立器件  MOSFET  同步整流器  电源设计小贴士  

电源设计小贴士 42:可替代集成MOSFET的分立器件

  • 分立器件可以帮助您节约成本。价值大约 0.04 美元的分立器件可以将驱动器 IC 成本降低 10 倍。分立驱动器可提供超过2A 的电流并且可以使您从控制 IC 中获得电力。此外,该器件还可去除控制 IC 中的高开关电流,从而提高稳压和噪声性能。
  • 关键字: 德州仪器  分立器件  MOSFET  电源设计小贴士  

电源设计小贴士31:同步降压MOSFET电阻比的正确选择

电源设计小贴士 29:估算热插拔 MOSFET 的瞬态温升

  • 在本《电源设计小贴士》中,我们将最终对一种估算热插拔 MOSFET 温升的简单方法进行研究。在《电源设计小贴士28》中,我们讨论了如何设计温升问题的电路类似方法。我们把热源建模成了电流源。根据系统组件的物理属性,计算得到热阻和热容。遍及整个网络的各种电压代表各个温度。
  • 关键字: 热插拔  MOSFET  网络  

意法半导体推出5x6mm双面散热微型封装汽车级功率MOSFET管

  •   意法半导体推出了采用先进的PowerFLATTM 5x6双面散热(DSC)封装的MOSFET晶体管,新产品可提高汽车系统电控单元(ECU)的功率密度,已被为全球所有的汽车厂商提供先进技术的汽车零配件大厂电装株式会社选用。  STLD200N4F6AG和STLD125N4F6AG是40V功率晶体管,可用于汽车电机控制、电池极性接反保护和高性能功率开关。厚度0.8mm的PowerFLATTM 5x6 DSC封装保留了标准封装的尺寸和高散热效率的底部设计,同时将顶部的源极曝露在
  • 关键字: 意法半导体  MOSFET  

全新高压MOSFET高效支持大小功率应用

  •   英飞凌科技股份公司(FSE: IFX / OTCQX: IFNNY)壮大现有的CoolMOS™技术产品阵容,推出600 V CoolMOS™ P7和600 V CoolMOS™ C7 Gold (G7)系列。这两个产品系列的击穿电压高达600 V,具备更出色的超结MOSFET性能。它们可在目标应用中实现非常出色的功率密度。  600 V CoolMOS&
  • 关键字: 英飞凌  MOSFET  
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mosfet介绍

  金属-氧化层-半导体-场效晶体管,简称金氧半场效晶体管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET)是一种可以广泛使用在类比电路与数位电路的场效晶体管(field-effect transistor)。MOSFET依照其“通道”的极性不同,可分为n-type与p-type的MOSFET,通常又称为NMOSFET与PMOSF [ 查看详细 ]

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