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mosfet 文章

双脉冲测试基础系列:基本原理和应用

  • 编者按双脉冲是分析功率开关器件动态特性的基础实验方法,贯穿器件的研发,应用和驱动保护电路的设计。合理采用双脉冲测试平台,你可以在系统设计中从容的调试驱动电路,优化动态过程,验证短路保护。双脉冲测试基础系列文章包括基本原理和应用,对电压电流探头要求和影响测试结果的因素等。为什么要进行双脉冲测试?在以前甚至是今天,许多使用IGBT或者MOSFET做逆变器的工程师是不做双脉冲实验的,而是直接在标定的工况下跑看能否达到设计的功率。这样的测试确实很必要,但是往往这样看不出具体的开关损耗,电压或者电流的尖峰情况,以及
  • 关键字: MOSFET  

基于NCL35076或NCL30076的高能效、高精度、高可靠性的可调光LED照明降压方案

  • 本文主要介绍安森美 (onsemi)的基于NCL35076连续导通模式 (CCM) DC-DC 降压控制器的75 W方案和基于NCL30076准谐振(QR)降压控制器的100 W及240 W方案。两款方案的典型应用是LED照明系统、模拟/PWM可调光LED驱动器,模拟调光范围宽,从1%到100%。安森美专有的LED电流计算技术和内部检测及反馈放大器的零输入电压偏移,在整个模拟调光范围内进行精确的稳流,稳流精度在满载时<±2%,在1%的负载时<±20%。卓越的调光特性可根据负载情况在CCM (N
  • 关键字: MOSFET  

Microchip首款碳化硅MOSFET 可降低50%开关损耗

  • 随着对电动公共汽车和其他电气化重型运输车辆的需求增加,以满足更低的碳排放目标,基于碳化硅的电源管理解决方案正在为此类运输系统提供更高效率。为了进一步扩充其广泛的碳化硅MOSFET分离式和模块产品组合,Microchip推出一款全新 ”生产就绪”的1200V数字栅极驱动器,为系统开发人员提供多层级的控制和保护,以实现安全、可靠的运输并满足严格的行业要求。 Microchip推出首款碳化硅MOSFET数字栅极驱动器,可降低50%开关损耗对于碳化硅电源转换设备的设计人员来说,Microchip的Agi
  • 关键字: Microchip  碳化硅  MOSFET  

双极结型晶体管——MOSFET的挑战者

  • 0   引言数字开关通常使用MOSFET 来创建,但是对于低饱和电压的开关模型,双极结型晶体管已成为不容忽视的替代方案。对于低电压和低电流的应用,它们不仅可以提供出色的电流放大效果,还具有成本优势(图1)。图1 双极结型晶体管可为移动设备提供更长的使用寿命 图源:IB Photography/Shutterstock在负载开关应用中,晶体管需要精确地放大基极电流,使输出电压接近零,以便仅测量晶体管的饱和电压。MOSFET 通常用于这项用途,因为它们不需要任何底层控制器作为电压控制组件。
  • 关键字: MOSFET  202109  

使用无刷直流电机加速设计周期的3种方法

  • 全球都在致力降低功耗,且势头愈来愈烈。许多国家/地区都要求家用电器(如图 1 所示)满足相关组织(如中国标准化研究院 (CNIS)、美国能源之星和德国蓝天使)制定的效率标准。为了满足这些标准,越来越多的系统设计人员在设计中放弃了简单且易用的单相交流感应电机,转而采用更节能的低压无刷直流 (BLDC) 电机。为了实现更长的使用寿命和更低的运行噪音,扫地机器人等小型家电的设计人员也转而在他们的许多系统中使用更先进的 BLDC 电机。同时,永磁技术的进步正不断简化 BLDC 电机的制造,在提供相同扭矩(负载)的
  • 关键字: MOSFET  

面向工业环境的大功率无线电力传输技术

  • 1.   简介随着无线电力传输技术在消费类电子产品中的日益普及,工业和医疗行业也把关注焦点转移至这项技术及其固有优势。在如 WLAN 和蓝牙(Bluetooth)等各项无线技术的推动下,通信接口日益向无线化发展,无线电力传输技术也成为一种相应的选择。采用一些全新的方案,不仅能带来明显的技术优势,还能为新的工业设计开辟更多可能性。这项技术提供了许多新的概念,特别是在需要对抗腐蚀性清洁剂、严重污染和高机械应力等恶劣环境的工业领域,例如 ATEX、医药、建筑机械等。比如,它可以替代昂贵且易损
  • 关键字: MOSFET  

仿真看世界之SiC MOSFET单管的并联均流特性

  • 开篇前言关于SiC MOSFET的并联问题,英飞凌已陆续推出了很多技术资料,帮助大家更好的理解与应用。此文章将借助器件SPICE模型与Simetrix仿真环境,分析SiC MOSFET单管在并联条件下的均流特性。特别提醒仿真无法替代实验,仅供参考。1、选取仿真研究对象SiC MOSFETIMZ120R045M1(1200V/45mΩ)、TO247-4pin、两并联Driver IC1EDI40I12AF、单通道、磁隔离、驱动电流±4A(min)2、仿真电路Setup如图1所示,基于双脉冲的思路,搭建双管并
  • 关键字: MOSFET  

功率半导体IGBT失效分析与可靠性研究

  • 高端变频空调在实际应用中出现大量外机不工作,经过大量失效主板分析确认是主动式PFC电路中IGBT击穿失效,本文结合大量失效品分析与电路设计分析,对IGBT失效原因及失效机理分析,分析结果表明:经过对IGBT失效分析及IGBT工作电路失效分析及整机相关波形检测、热设计分析、IGBT极限参数检测对比发现IGBT失效由多种原因导致,IGBT在器件选型、器件可靠性、闩锁效应、驱动控制、ESD能力等方面存在不足,逐一分析论证后从IGBT本身及电路设计方面全部提升IGBT工作可靠性。
  • 关键字: 主动式PFC升压电路  IGBT  SOA  闩锁效应  ESD  热击穿失效  202108  MOSFET  

罗姆即将亮相2021 PCIM Asia深圳国际电力元件、可再生能源管理展览会

  • 全球知名半导体制造商罗姆将于2021年9月9日~11日参加在深圳国际会展中心举办的PCIM Asia 2021深圳国际电力元件、可再生能源管理展览会(展位号:11号馆B39),届时将展示面向工业设备和汽车领域的、以世界先进的SiC(碳化硅)元器件为核心的产品及电源解决方案。同时,罗姆工程师还将在现场举办的“SiC/GaN功率器件技术与应用分析大会”以及“电动交通论坛”等同期论坛上发表演讲,分享罗姆最新的碳化硅技术成果。展位效果图罗姆拥有世界先进的SiC为核心的功率元器件技术,以及充分发挥其性能的控制IC和
  • 关键字: MOSFET  

了解热阻在系统层级的影响

  • 在电阻方面,电流流动的原理可以比作热从热物体流向冷物体时遇到的阻力。每种材料及其接口都有一个热阻,可以用这些数字来计算从源头带走热的速率。在整合式装置中,半导体接面是产生热的来源,允许接面超过其最大操作温度将导致严重故障。整合式装置制造商虽使用一些技术来设计保护措施,以避免发生过热关机等情况,但不可避免的是仍会造成损坏。一个更好的解决方案,就是在设计上选择抑制 (或至少限制) 会造成接面温度超过其操作最大值的情况。由于无法直接强制冷却接面温度,透过传导来进行散热是确保不会超过温度的唯一方法。工程师需要在这
  • 关键字: MOSFET  

BUCK转换器的PCB布局设计

  • 讨论了BUCK转换器的开通回路、关断回路的电流特性,具有高电流变化率di/dt的输入回路,以及具有高的电压变化率dV/dt的开关节点是其关键回路和关键 节点,使用尽可能小的环路,短粗布线,优先对其进行PCB布局。给出了多层板的信号分配原则,也给出了分立和集成的BUCK转换器的PCB布局技巧和一些实例,分析了它们的优缺点。
  • 关键字: PCB布局  磁场干扰  电场干扰  MOSFET  202108  

碳化硅迈入新时代 ST 25年研发突破技术挑战

  • 1996年,ST开始与卡塔尼亚大学合作研发碳化硅(SiC),今天,SiC正在彻底改变电动汽车。为了庆祝ST研发SiC 25周年,我们决定探讨 SiC在当今半导体行业中所扮演的角色,ST的碳化硅研发是如何取得成功的,以及未来发展方向。Exawatt的一项研究指出,到2030年, 70%的乘用车将采用SiC MOSFET。这项技术也正在改变其他市场,例如,太阳能逆变器、储能系统、服务器电源、充电站等。因此,了解SiC过去25年的发展历程是极其重要的,对今天和明天的工程师大有裨益。碳化硅:半导体行业如何克服技术
  • 关键字: MOSFET  

Maxim Integrated发布来自Trinamic子品牌的3相MOSFET栅极驱动器,可最大程度地延长电池寿命并将元件数量减半

  • TRINAMIC Motion Control GmbH & Co. KG (Maxim Integrated Products, Inc子公司)近日宣布推出完全集成的TMC6140-LA  3相MOSFET栅极驱动器,有效简化无刷直流(DC)电机驱动设计,并最大程度地延长电池寿命。TMC6140-LA 3相MOSFET栅极驱动器为每相集成了低边检流放大器,构成完备的电机驱动方案;与同类产品相比元件数量减半,且电源效率提高30%,大幅简化设计。TMC6140-LA针对较宽的电压范围进行性
  • 关键字: MOSFET  

电动汽车用SiC和传统硅功率元器件都在经历技术变革

  • 近年来,在全球“创建无碳社会”和“碳中和”等减少环境负荷的努力中,电动汽车(xEV)得以日益普及。为了进一步提高系统的效率,对各种车载设备的逆变器和转换器电路中使用的功率半导体也提出了多样化需求,超低损耗的SiC 功率元器件(SiC MOSFET、SiC SBD等)和传统的硅功率元器件(IGBT、SJ-MOSFET 等)都在经历技术变革。在OBC(车载充电机)方面,罗姆以功率器件、模拟IC 以及标准品这三大产品群进行提案。罗姆半导体(上海)有限公司 技术中心 副总经理 周劲1   Si
  • 关键字: MOSFET  202108  

功率因素校正电路旁路二极管的作用

  • 本文总结了功率因素校正电路加旁路二极管作用的几种不同解释:减少主二极管的浪涌电流;提高系统抗雷击的能力;减少开机瞬间系统的峰值电流,防止电感饱和损坏功率MOSFET。具体分析了输入交流掉电系统重起动,导致功率MOSFET驱动电压降低、其进入线性区而发生损坏,才是增加旁路二极管最重要、最根本的原因。给出了在这种模式下,功率MOSFET发生损坏的波形和失效形态,同时给出了避免发生这种损坏的几个措施。
  • 关键字: 功率因素校正  旁路二极管  线性区  欠压保护  202103  MOSFET  
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mosfet介绍

  金属-氧化层-半导体-场效晶体管,简称金氧半场效晶体管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET)是一种可以广泛使用在类比电路与数位电路的场效晶体管(field-effect transistor)。MOSFET依照其“通道”的极性不同,可分为n-type与p-type的MOSFET,通常又称为NMOSFET与PMOSF [ 查看详细 ]

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