据罗姆官方消息，日本半导体制造商罗姆在今年3月完成了第5代碳化硅（SiC）MOSFET的开发。新产品通过改进器件结构和优化制造工艺，在175℃结温（Tj）条件下，导通电阻较上一代产品降低了约30%。罗姆指出，这款SiC MOSFET在电动汽车（xEV）牵引逆变器等高温环境下表现出色，能够有效缩小单元体积并提升输出功率。同时，该芯片还非常适合用于AI服务器电源和数据中心等工业设备的电源系统，展现了其在高性能应用场景中的潜力。
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罗姆 第5代碳化硅 MOSFET
来源：万高半导体（Alpha & Omega Semiconductor，AOS）万高半导体（AOS）推出的 AOTL037V60DE2 型 600V MOSFET，是该公司基于 MOS E2 平台实现量产的首款器件。该平台及其衍生产品旨在满足大功率开关电源（SMPS）与逆变系统的应用需求，可为服务器、工作站、通信整流器、光伏逆变器、电机驱动及工业电源系统等广泛场景带来更高效率、更高功率密度、更低整体系统成本与更强的可靠性。该器件适用于图腾柱功率因数校正（PFC）、LLC 谐振变换器、相移全桥（P
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MOSFET 太阳能逆变器 电动车 单频电源
SiC MOSFET 的单管额定电流受芯片面积、封装散热、导通电阻等因素限制,常见的单管额定电流多在几十到两百安培,而轨道交通、新能源并网、高压逆变器等场景,往往需要千安级的电流输出,单管无法满足。因此,SiC MOSFET的并联应用的场景越来越普遍。不管是SiC MOSFET还是IGBT,并联的目标都是实现电流的均匀分布,且消除芯片间的振荡。为了达到这一目标,我们需要做到三点:1.并联芯片参数尽可能一致2.功率回路、驱动回路与散热结构布局一致3.门极驱动电路的优化设计作为高速开关器件,SiC MOSFE
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英飞凌 SiC MOSFET 并联设计
对于我国的电力电子界来说,固态变压器(SST)并非是一个全新的话题,在轨道交通、电网合环运行、大型超充站项目里都有过试点实践。受限于高成本、功率器件参数选择少、高频变压器散热瓶颈,SST曾经的商业化之路面对的挑战大于机遇。智算中心800V高压直流供电系统概念的普及,和未来智能电网的电力潮流双向流动,让SST的商业价值获得了前所未有的想象力。随着AI算力向MW级机架演进,传统数据中心供电架构已经不堪重负,难以承载极端功率密度与能效要求。智算中心正从“算力堆砌”迈入“算电协同”的关键阶段。在这一背景下,SST
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英飞凌 沟槽栅 SiC MOSFET SST高频高压
碳化硅(SiC)凭借其优异的材料特性,在服务器、工业电源等关键领域掀起技术变革浪潮。本教程聚焦 SiC 尤其是 SiC JFET 系列器件,从碳化硅如何重构电源设计逻辑出发,剖析其在工业与服务器电源场景的应用价值。我们已经介绍了碳化硅如何革新电源设计、工业与服务器电源。三种替代 Si 和 SiC MOSFET的方案。SiC Cascode JFET的动态特性、SiC Combo JFET的应用灵活性。本文将介绍利用 SiC CJFET替代超结 MOSFET以及开关电源应用。1、利用 SiC CJFET替代
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安森美 碳化硅 SiC CJFET，MOSFET
引言电力电子领域正在飞速发展，MOSFET 晶体管始终处于创新前沿。随着 2026 年临近，这类器件在消费电子、工业系统等众多应用中变得愈发不可或缺。2026 年全球半导体产业规模预计达到 5952 亿美元，正反映出这一增长趋势。在高效电源转换与管理方案需求持续攀升的背景下，掌握 MOSFET 技术的最新趋势与参数规格，对工程师和设计人员至关重要。本文深入解析 MOSFET 晶体管的关键参数、设计要点与应用场景，展望其在未来电力电子领域的核心作用。技术概述MOSFET（金属‑氧化物‑半导体场效应晶体管）是
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电力电子 MOSFET 晶体管
引言在飞速发展的电子设计领域，选用合适的元器件对优化性能、效率与可靠性至关重要。** 绝缘栅双极型晶体管（IGBT）与金属
- 氧化物 - 半导体场效应晶体管（MOSFET）**
是工程师在电力电子应用中经常选用的两类核心器件。深入理解二者的差异、参数特性与适用场景，将显著提升设计方案的整体效率。随着全球半导体市场持续增长，预计到
2026 年市场规模将达到 5952 亿美元，对优化电子设计的需求也变得前所未有的迫切。本文将基于数据对 IGBT 与 MOSFET
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IGBT MOSFET 优化电子设计
本文面向工程师与采购人员的专业指南，涵盖 IRF540 功率 MOSFET 的实际应用、案例研究与深度解析，包含技术规格、应用场景及采购建议。引言在不断发展的电子技术领域中，IRF540 功率 MOSFET 凭借其通用性脱颖而出，成为众多应用中的核心元器件。这款功率 MOSFET 以处理大功率的能力著称，已成为汽车电子、消费电子等行业的常用器件。据预测，到 2026 年全球半导体营收将达到 5952 亿美元，市场对 IRF540 功率 MOSFET 这类高可靠性元器件的需求持续攀升。本文将深入解析其技术参
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IRF540 MOSFET
在设计常见的DCDC或DCAC等电路时，我们经常遇到需要桥臂直通保护的要求。IGBT通常具有5~10us的短路耐受时间，足以应付大部分短路工况。然而，对于SiC MOSFET器件来说，问题变得复杂了。因为在相同的电流等级下，SiC MOSFET的短路耐受时间通常比IGBT小很多。这主要是因为SiC MOSFET的芯片尺寸比传统的硅基器件小很多，同时非常薄的外延层使得发热位置更加集中（详细原因阐述见谈谈SiC MOSFET的短路能力）。这给短路保护设计带来了巨大的挑战，即使是微小的系统设计差异也会显著影响S
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英飞凌 SiC MOSFET 短路行为
在新能源革命与工业数字化的浪潮中，功率半导体作为核心“能量管家”，直接决定着电力转换系统的效率、密度与可靠性。英飞凌作为全球功率器件的领军者，凭借其深耕碳化硅（SiC）领域的技术积淀，推出了CoolSiC™ MOSFET G2系列产品，以全方位的性能突破，重新定义了SiC MOSFET的行业标准，为光伏、储能、电动汽车充电等关键领域注入强劲动力。相比于G1单管器件仅有650V/1200V两档电压等级，G2系列电压等级更加全面，涵盖400V/650V/750V/1200V/1400V，以及丰富多样的封装形式
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英飞凌 SiC MOSFET
引言在飞速发展的电子领域中，选择合适的 MOSFET（金属 - 氧化物 - 半导体场效应晶体管）对项目成功至关重要。据预测，到 2026 年半导体行业规模将达到 5952 亿美元，对高效、可靠 MOSFET 的需求持续增长。MOSFET 在电源管理、开关应用及信号放大中扮演关键角色，已成为现代电子设计中不可或缺的器件。充分理解其规格参数、数据手册及应用电路，是保证设计实现最优性能与可靠性的关键。技术概述MOSFET 是用于放大或切换电子信号的半导体器件。凭借高效率与快速开关特性，它成为众多电子电路的核心组
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MOSFET 电源管理
Diodes 公司（Nasdaq：DIOD）推出行业领先的超低RDS（ON）100V MOSFET，扩充其PowerDI8080-5 汽车级*N沟道MOSFET产品组合。与新型40V至80V MOSFET一同推出，所有8mm x 8mm海鸥翼引线器件均设计用于最大限度降低导通损耗、减少热量产生，并提升整体效率。其应用涵盖电池电动汽车（BEV）、混合动力汽车（HEV）及内燃机（ICE）平台中的无刷直流（BLDC）和直流-直流（DC-DC）转换系统。 工程师可利用额定电压100V DMTH10H1M
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Diodes PowerDI MOSFET 48V
【2026年3月25日, 中国上海讯】中国人工智能服务器电源供应商深圳麦格米特电气股份有限公司（以下简称：麦米电气）宣布，将在其5.5 kW人工智能（AI）服务器电源中采用由全球功率系统和物联网领域的半导体领导者英飞凌科技股份公司（FSE代码：IFX / OTCQX代码：IFNNY）最新推出的CoolMOS™ 8超结MOSFET技术。为满足日益增长的AI服务器需求，麦米电气依托英飞凌CoolMOS™ 8半导体器件，实现了高效率与白金级性能。基于该技术，麦米电气面向AI服务器及开放计算生态系统开发出一套紧凑
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麦米电气 英飞凌 CoolMOS 8 MOSFET AI服务器
2026年3月17日 — 日前，威世科技Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代号：VSH）宣布，推出五款全新的1200 V MOSFET功率模块---VS-SF50LA120、VS-SF50SA120、VS-SF100SA120、VS-SF150SA120和VS-SF200SA120，其目标在于提升汽车、能源、工业及通信系统中高频应用的功率效率。Vishay VS-SF50LA120、VS-SF50SA120、VS-SF100SA120、VS-SF150SA120和VS
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Vishay SOT-227 1200V SiC MOSFET 功率模块
为顺应可再生能源领域中1500V直流母线应用日益增长的趋势，英飞凌推出XHP™ 2系列2300V CoolSiC™ MOSFET产品扩充。该系列产品电流规格丰富，最高可达2000A，并提供4kV或6kV的隔离电压等级，非常适用于高功率应用。结合可靠耐用的.XT扩散焊技术，该产品在使用寿命和可靠性方面均达到同类最佳水平，为高可靠性应用提供了坚实的保障。每款模块均可提供预涂导热界面材料版本，以简化组装流程，并实现最佳热性能。产品型号：■ FF1000UXTR23T2M1_B5■ FF100
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英飞凌 再生能源 MOSFET
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