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MOSFET-driver资讯

在有源钳位正激转换器中实现自驱动同步整流

自驱动同步整流能够提高有源钳位正激转换器的效率，同时避免使用隔离式次级侧栅极驱动器。本文回顾了传统自驱动方案的工作原理，并指出了它在实际应用中的局限性。文中提出了一些简单的电路修改方案，以扩展可用工作范围，使方案适用于高...

ADI 有源钳位正激控制器 2026-10-08

英飞凌推出2A/mm²双相智能功率级产品，为AI加速器与垂直供电树立全新功率基准

全球功率系统和物联网领域的半导体领导者英飞凌科技股份公司（FSE代码：IFX / OTCQX代码：IFNNY）发布TDA235E5与TDA235E0双相智能功率级产品系列，旨在满足下一代AI加速器和垂直供电模块快速增长的...

英飞凌 TDA235E5 2026-09-23

Nexperia 与 Tata Electronics 合作：MOSFET 晶圆制造与分立器件封测落到印度

Nexperia 与 Tata Electronics 9 月 17 日宣布建立战略合作，范围覆盖半导体晶圆制造、封装测试、技术协作与生态建设。双方没有披露财务条款与具体产量。制造环节的划分比较明确。前端晶圆制造方面，两...

Nexperia TataElectronics 2026-09-18

MOSFET的安全工作区的解读和评估方法

MOSFET的安全工作区（SOA，Safe Operating Area）是功率器件选型和可靠性设计中的重要参数。无论是硅基MOSFET、碳化硅（SiC）MOSFET还是氮化镓（GaN）FET，SOA都用于定义器件在同时...

MOSFET 安全工作区 2026-09-15

软开关应用中功率器件 Eoss 的计算方法

在ZVS（Zero Voltage Switching，零电压开关）软开关设计中，MOSFET关断损耗Eoff的准确计算至关重要。其中，一个经常被忽略但影响显著的参数就是输出电容储能Eoss（Output Capacit...

英飞凌功率器件 2026-09-11

一种专为满足电机驱动应用需求而设计的新型功率MOSFET技术的性能

硬开关电机驱动器容易出现电压过冲和振铃现象，通常需要添加外部元件来减缓开关瞬态过程。本研究推出了一种针对驱动优化、集成了非线性阻尼器的100V MOSFET新技术，无需额外的电路板级电路即可钳制电压峰值并抑制振铃。文中阐...

英飞凌 MOSFET 2026-09-10

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11-19 迅为i.MX6ULL开发板I2C总线实现driver驱动

2220193197|浏览：1143|回复：0| 2220193197 2025-11-19 19:28:44

07-16 永源微AP70H06NF-60VN-Channel增强模式MOSFET

芯美力科技|浏览：4084|回复：0| 芯美力科技 2025-07-16 11:03:43

07-15 永源微APJ14N65D-650VN-Channel增强模式MOSFET

芯美力科技|浏览：3679|回复：0| 芯美力科技 2025-07-15 15:28:08

07-04 永源微APM-AP1N50MI650VN通道增强模式MOSFET

芯美力科技|浏览：2588|回复：0| 芯美力科技 2025-07-04 09:47:18

02-10 超高压MOS在辅助电源上的应用

18752004270|浏览：2211|回复：1| xqh518 2025-02-17 19:24:26

01-18 用中断测试了CANEVALBDPSDRIVER，中断不起作用的原因？

abgh668|浏览：1046|回复：1| 2220193197 2025-01-18 14:03:40

01-05 降低MOSFET损耗同时提升EMI性能

tanfpga|浏览：1489|回复：2| Hope2022 2025-01-28 01:03:07

01-05 浅析MOSFET的UIS及雪崩能量

tanfpga|浏览：1187|回复：0| tanfpga 2025-01-05 14:33:52

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