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- 功率因数校正最佳策略：如何选取合适的MOSFET？-近年来，随着汽车、通信、能源、绿色工业等大量使用MOSFET的 行业的快速发展，功率MOSFET备受关注。
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MOSFET 功率因数 Vishay
- 面对国际IDM大厂将旗下MOSFET芯片产能大量移转到车用电子领域，并开始采取限量供应MOSFET芯片给PC、NB及移动装置产品客户的情形，大中、富鼎、尼克森等台系MOSFET芯片三雄不仅2017年第3季终于有像样的营收成长力道，客户追加订单的盛况更是前所未见。虽然第4季全球PC及NB市场需求照理说会开始下滑，但在英特尔(Intel)、AMD新款CPU平台需增加3~5颗MOSFET芯片，加上客户对于MOSFET芯片供需吃紧的议题抱持高度关注态度，台系MOSFET芯片供应商多已表达淡季不淡的乐观预期看法
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MOSFET 芯片
- 以MLCC为代表的被动元件在进入第三季度后，受产能供需吃紧影响，价格大涨，部分物料涨幅甚至超过10倍。而与被动元件市场行情相似的MOSFET芯片也出现缺货潮，导致价格上涨，即便是在溢价20%的基础上新增订单，供应商仍难交出货来。更严重的是，MOSFET芯片市场缺货潮短期内将难以缓解，保守估计到2019年局面才能改观。
据IHS数据显示，2016年MOSFET芯片市场总规模为205亿美元，2017年预计将增长到220亿美元。MOSFET芯片可广泛应用于消费类电子、电动汽车以及IIoT等领域，杭州士
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MOSFET MLCC
- 电源工程师最怕什么?炸机!用着用着就坏了，莫名其妙MOS管就炸了，真是又怕又恨，可到底是哪里出问题了呢?这一切都和SOA相关。 我们知道开关电源中MOSFET、 IGBT是最核心也是最容易烧坏的器件。开关器件长期工作于高电压大电流状态，承受着很大的功耗，一但过压或过流就会导致功耗大增，晶圆结温急剧上升，如果散热不及时，就会导致器件损坏，甚至可能会伴随爆炸，非常危险。这里就衍生一个概念，安全工作区。 一、什么是安全工作区? 安全工作区：SOA(Safe operating&nb
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MOSFET IGBT
- 近日，863计划先进制造技术领域“大尺寸SiC材料与器件的制造设备与工艺技术研究”课题通过了技术验收。
通常，国际上把碳化硅(SiC)、氮化镓(GaN)等宽禁带半导体材料称之为第三代半导体材料。其在禁带宽度、击穿场强、电子饱和漂移速度、热导率等综合物理特性上具有更加突出的综合优势，特别在抗高电压、高温等方面性能尤为明显，由于第三代半导体材料的制造装备对设备真空度、高温加热性能、温度控制精度以及高性能温场分布、设备可靠性等直接影响SiC单晶衬底质量和成品率的关键技术有很高的
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半导体 SiC
- 精华！兼容路创和Leviton调光器的LED灯丝灯解决方案-晶丰明源BP3216灯丝灯可控硅调光方案解决三大LED灯丝灯调光难题，BP3216内部集成MOSFET，体积小，特别适合灯丝灯的应用；采用源极驱动，DCMB的控制方式，没有二极管反向恢复，开关损耗小。P3216系列芯片内部集成不同耐压的MOSFET，可以满足不同功率输出的要求。
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MOSFET 可控硅调光 LED灯丝灯
- 导入栅极屏蔽结构 沟槽式MOSFET功耗锐减-更高系统效率和功率密度，是现今数据和电信电源系统设计的首要目标。为达此一目的，半导体开发商研发出采用栅极屏蔽结构的新一代沟槽式金属氧化物半导体场效电晶体（MOSFET），可显著降低全负载及轻负载时的功率损耗。
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MOSFET 栅极屏蔽 快捷半导体
- 为反向极性保护设计一个电路-反向极性解决方案被看成是一个迫不得已、不得不做的事情。例如，在汽车系统中，搭线启动期间，防止电池反接或者电缆反向连接很重要，然而系统设计人员也必须忍受反向极性保护出现时的功率损耗。
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汽车电池 反向极性保护 二极管 MOSFET
- 有刷直流栅极驱动器的演变-回望在电子产品领域奋战的20年，我们已走过了漫漫长路。2015年正发布的组件具有无与伦比的精细度和集成度。处理器速度更快，发光二极管（LED）亮度更高，存储器密度更大，每样东西的功耗都更低，并且集成电路（IC）集成了比以往任何时候都多的组件。
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MOSFET 栅极驱动器 集成电路
- 模块电源的散热应对措施- 本篇文章以实例为基准，分析一个设计方案中的模块电源散热问题。本文的中的模块采用100W，Vin24VVout5V，采用单管正激电路，使用的是UC3843B芯片控制，没有采用有源嵌位和同步整流，工作频率为300KHZ。
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MOSFET 二极管 模块电源
- 基于MPS芯片的系统电源解决方案-隔离电源模块可以高效解决各种端口干扰，开关芯片转换出各种系统所需电压，LDO给MCU处理器提供稳定可靠的电能。电源模块与芯片方案需要互助互补，各取所长才能共建一个良好的系统供电环境，同时开启它们的共赢之路。
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MPS模块 MOSFET LDO DC-DC
- Littelfuse, Inc.，作为全球电路保护领域的领先企业，今日宣布推出了首个碳化硅(SiC)MOSFET产品系列，成为该公司不断扩充的功率半导体产品组合中的最新系列。 Littelfuse在3月份投资享有盛誉的碳化硅技术开发公司Monolith Semiconductor Inc.，向成为功率半导体行业的领军企业再迈出坚定一步。LSIC1MO120E0080系列具有1200V额定功率和超低导通电阻(80mΩ)，是双方联手推出的首款由内部设计、开发和生产的
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Littelfuse MOSFET
- 利用单个反馈源实现任意量级偏置电流网络-假设须要生成一些任意数量（以N为例）的电流沉/源（current sink/source），而每个电流沉/源的大小任意，可能须要针对不同阶段的一些复杂模拟电路进行偏置。虽然基准电压的生成仅须一次实施即可，电流沉整个反馈部分的重复进行却使成本与设计空间密集化。
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模拟电路 MOSFET
- 采用自举升压结构设计双电压mosfet驱动电路-自举升压电路的原理图如图1所示。所谓的自举升压原理就是，在输入端IN输入一个方波信号，利用电容Cboot将A点电压抬升至高于VDD的电平，这样就可以在B端输出一个与输入信号反相，且高电平高于VDD的方波信号。具体工作原理如下：
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mosfet 驱动电路
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