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保障下一代碳化硅 (SiC) 器件的供需平衡

  • 在工业、汽车和可再生能源应用中,基于宽禁带 (WBG) 技术的组件,比如 SiC,对提高能效至关重要。在本文中,安森美 (onsemi) 思考下一代 SiC 器件将如何发展,从而实现更高的能效和更小的尺寸,并讨论对于转用 SiC 技术的公司而言,建立稳健的供应链为何至关重要。在广泛的工业系统(如电动汽车充电基础设施)和可再生能源系统(如太阳能光伏 (PV))应用中,MOSFET 技术、分立式封装和功率模块的进步有助于提高能效并降低成本。然而,平衡成本和性能对于设计人员来说是一项持续的挑战,必须在不增加太阳
  • 关键字: 安森美  SiC  

如何更好的使用EiceDRIVER IC驱动SiC MOSFET

  • 碳化硅(SiC MOSFET)和氮化镓(GaN)因其高频率、低损耗的特性得到广泛的应用,但对驱动系统的性能提出了更高的要求。英飞凌最新一代增强型EiceDRIVER™ 1ED34X1系列可提供高的输出电流、米勒钳位保护、精准的短路保护、可调的软关断等功能,为新一代的功率器件保驾护航。EiceDRIVER™增强型1ED34X1主要特色:●  单通道隔离型栅极驱动芯片●  输出电流典型值+3/6/9A●  功能绝缘电压高达2300V●  带米勒钳位、Desat短路保护、
  • 关键字: MOSFET  EiceDRIVER  MOSFET  

保障下一代碳化硅(SiC)器件的供需平衡

  • 在工业、汽车和可再生能源应用中,基于宽禁带 (WBG) 技术的组件,比如 SiC,对提高能效至关重要。在本文中,安森美 (onsemi) 思考下一代 SiC 器件将如何发展,从而实现更高的能效和更小的尺寸,并讨论对于转用 SiC 技术的公司而言,建立稳健的供应链为何至关重要。在广泛的工业系统(如电动汽车充电基础设施)和可再生能源系统(如太阳能光伏 (PV))应用中,MOSFET 技术、分立式封装和功率模块的进步有助于提高能效并降低成本。然而,平衡成本和性能对于设计人员来说是一项持续的挑战,必须在不增加太阳
  • 关键字: 碳化硅  SiC  

意法半导体为博格华纳提供SiC,“上车”沃尔沃?

  • 近日,意法半导体官微宣布,将为博格华纳的Viper功率模块提供最新的第三代750V碳化硅功率MOSFET芯片。博格华纳将该功率模块用于沃尔沃和未来多款纯电动汽车设计电驱逆变器平台。为了充分发挥意法半导体SiC MOSFET 芯片的优势,意法半导体和博格华纳技术团队密切合作,力争让意法半导体的芯片与博格华纳的Viper功率开关匹配,最大限度提高逆变器性能,缩小电驱架构尺寸并提升经济效益。意法半导体汽车和分立器件产品部(ADG)总裁Marco Monti表示,意法半导体和博格华纳合作有助于提升沃尔沃的车辆性能
  • 关键字: 意法半导体  博格华纳  SiC  沃尔沃  

基于STM32G474RBT6 MCU的数字控制3KW通信电源方案

  • STDES-3KWTLCP参考设计针对5G通信应用的3 kW/53.5V AC-DC转换器电源,使用完整的ST数字电源解决方案。STDES-3KWTLCP参考设计针对5G通信应用的3 kW/53.5V AC-DC转换器电源,使用完整的ST数字电源解决方案。电路设计包括前端无桥图腾柱PFC和后端LLC全桥架构。前级图腾柱PFC提供功率因数校正(PFC)和谐波失真(THD)抑制,后记全桥LLC转换器提供安全隔离和稳定的输出电压。该参考设计为高效率紧凑型解决方案,在230 VAC输入时,测量峰值效率为96.3%
  • 关键字: ST  第三代半导体  SIC  GNA  图腾柱PFC  无桥PFC  全桥LLC  数字电源  

意法半导体SiC技术助力博格华纳Viper功率模块设计

  • ●   意法半导体为博格华纳的Viper功率模块提供碳化硅(SiC)功率MOSFET,支持沃尔沃汽车在2030年前全面实现电动化目标●   博格华纳将采用意法半导体碳化硅芯片为沃尔沃现有和未来的多款纯电动汽车设计电驱逆变器平台服务多重电子应用领域、全球排名前列的半导体公司意法半导体(STMicroelectronics,简称ST)将与提供创新和可持续移动解决方案的全球领导者博格华纳公司(纽约证券交易所股票代码:BWA)合作,为博格华纳专有的基于 Viper 功率模块
  • 关键字: 意法半导体  SiC  博格华纳  功率模块  沃尔沃  电动汽车  

100W MOSFET功率放大器电路

  • 我们设计了一个使用 MOSFET 的功率放大电路,可产生 100W 的输出功率,驱动约 8 欧姆的负载。 所设计的功率放大电路具有效率高、交叉失真和总谐波失真的优点。工作原理:该电路采用多级功率放大原理,包括前置放大器、驱动器和使用 MOSFET 的功率放大。 前置放大器采用差分放大器,驱动级是带有电流镜负载的差分放大器,功率放大采用 MOSFET AB 类工作方式。与 BJT 相比,MOSFET 具有驱动电路简单、热稳定性较低、输入阻抗高等优点。前置放大器由两级差分放大器电路组成,用于产生无噪声放大信号
  • 关键字: 功率放大器  MOSFET  

自动执行宽禁带SiC/GaN器件的双脉冲测试

  • _____减少碳排放的迫切需求推动了对电气技术的投资,特别是数据中心和电动汽车领域。根据彭博社最新的电动汽车展望报告,到 2050 年,几乎所有道路运输都将实现电气化,预计将导致全球电力需求激增 27%。这一趋势凸显了电气解决方案在遏制温室气体排放和塑造更具可持续性的未来方面的重要意义。越来越多的氮化镓 (GaN) 和碳化硅 (SiC) 等宽带隙 (WBG) 半导体取代开关模式电源和电机驱动器中的硅基功率 MOSFET 和 IGBT。这种转变是由 GaN 和 SiC 器件的出色性能带来的,包括比硅器件更快
  • 关键字: 宽禁带  SiC  GaN  双脉冲测试  

碳化硅芯片是否即将主宰市场?阿斯麦脸色不再重要!

  • 在科技领域中,碳化硅芯片正如一颗闪耀的明星,逐渐崭露头角。随着移动互联网、人工智能和物联网等领域的迅速发展,芯片技术也不断突破创新。而在这股技术浪潮中,碳化硅芯片凭借其独特的优势正愈发引起人们的瞩目。伴随着阿斯麦这位传统芯片巨头的重磅投资,人们开始纷纷关注,碳化硅芯片是否即将主宰市场?更高的温度耐受性碳化硅芯片,作为一种新兴的半导体材料,因其出色的性能和优异的耐受性而备受关注。其中,其更高的温度耐受性是其最大的优势之一。碳化硅芯片的高温耐受性是由其特殊的晶格结构决定的。碳化硅是由碳原子和硅原子组成的晶体,
  • 关键字: 碳化硅芯片  SiC  阿斯麦  

东芝开发出业界首款2200V双碳化硅(SiC)MOSFET模块

  • 东芝电子元件及存储装置株式会社(“东芝”)近日宣布,推出业界首款[1]2200V双碳化硅(SiC)MOSFET模块---“MG250YD2YMS3”。新模块采用东芝第3代SiC MOSFET芯片,其漏极电流(DC)额定值为250A,适用于光伏发电系统和储能系统等使用DC 1500V的应用。该产品于今日开始支持批量出货。类似上述的工业应用通常使用DC 1000V或更低功率,其功率器件多为1200V或1700V产品。然而,预计未来几年内DC 1500V将得到广泛应用,因此东芝发布了业界首款
  • 关键字: 东芝  2200V  双碳化硅  SiC  MOSFET模块  

大功率、高性能汽车类 SiC 牵引逆变器参考设计

  • TIDM-02014 是一款由德州仪器 (TI) 和 Wolfspeed 开发的基于 SiC 的 800V、300kW 牵引逆变器系统参考设计,该参考设计为 OEM 和设计工程师创建高性能、高效率的牵引逆变器系统并更快地将其推向市场提供了基础。该解决方案展示了 TI 和 Wolfspeed 的牵引逆变器系统技术(包括用于驱动 Wolfspeed SiC 电源模块、具有实时可变栅极驱动强度的高性能隔离式栅极驱动器)如何通过降低电压过冲来提高系统效率。隔离式栅极驱动器与 TI 的隔离式辅助电源解决方案配合使用
  • 关键字: SiC  牵引逆变器  

适用于高性能功率器件的 SiC 隔离解决方案

  • 随着设备变得越来越小,电源也需要跟上步伐。因此,当今的设计人员有一个优先目标:化单位体积的功率(W/mm 3)。实现这一目标的一种方法是使用高性能电源开关。尽管需要进一步的研发计划来提高性能和安全性,并且使用这些宽带隙 (WBG) 材料进行设计需要在设计过程中进行额外的工作,但氮化镓 (GaN) 和 SiC 已经为新型电力电子产品铺平了道路阶段。使用 SiC 栅极驱动器可以减少 30% 的能量损耗,同时限度地延长系统正常运行时间。Maxim Integrated 推出了一款碳化硅 (SiC) 隔离式栅极驱
  • 关键字: SiC  

高性能 SiC MOSFET 技术装置设计理念

  • 合适的设备概念应允许一定的设计自由度,以便适应各种任务概况的需求,而无需对处理和布局进行重大改变。然而,关键性能指标仍然是所选器件概念的低面积比电阻,与其他列出的参数相结合。图 1 列出了一些被认为必不可少的参数,还可以添加更多参数。合适的设备概念应允许一定的设计自由度,以便适应各种任务概况的需求,而无需对处理和布局进行重大改变。然而,关键性能指标仍然是所选器件概念的低面积比电阻,与其他列出的参数相结合。图 1 列出了一些被认为必不可少的参数,还可以添加更多参数。图 1:必须与 SiC MOSF
  • 关键字: MOSFET  

全球SiC争霸赛,谁在豪掷千金?

  • “能够优先掌握SiC这种领先技术的国家,将能够改变游戏规则,拥有SiC将对美国具有深远的影响。” Alan Mantooth 接受媒体采访时坦言道。2021年10月,由Alan Mantooth 领导的工程研究人员从美国国家科学基金(NSF)获得了1787万美元的资助,用于在阿肯色大学开始建设一个国家级SiC研究和制造中心。该SiC研究与制造中心一方面为美国学生提供SiC相关技术的培训和教育,以达到鼓励美国新一代在该领域发展的目的,此外其部署的SiC晶圆生产线,能够让美国大学,企业以及政府研究人员进行长期
  • 关键字: SiC  MOSFET  功率损耗  碳中和  

意法半导体是怎样炼成巨头的?擅长联合,布局多重应用,投资未来

  • 欧洲是世界半导体的重要一极,ST(意法半导体)、英飞凌、恩智浦(NXP)被称为欧洲半导体的三驾马车,也是全球知名的半导体巨头。ST的特点是不像欧洲其他两家巨头——英飞凌和恩智浦出身名门1、自带一定的应用市场,ST要靠自己找市场、摸爬滚打,以解决生存和发展问题。据市场研究机构Garnter数据,ST 2022年营收158.4亿美元,年增长率为25.6%,是欧洲最大、世界第11大半导体公司。大浪淘沙、洗牌无数的半导体行业,ST是如何显露出真金本色,成为欧洲乃至世界半导体巨头的?又是如何布局未来的?表1 202
  • 关键字: 意法半导体  MCU  SiC  
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