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功率耗散 文章 进入功率耗散技术社区

电阻,电动力和功率耗散

  • 电阻是一种被动的两端电气组件,将电阻作为电路元件实现。它是阻碍电荷流动的导体,从而产生电阻。这种抗性是由于自由电子和导体原子的晶体晶格的碰撞而产生的。这是电阻的主要特性。在电子电路中,电阻通常用于降低电流流量,调整信号水平,划分电压,偏置活动元件和终止传输线。图1显示了一个简单的电路,该电路由两根电线连接到电阻的电池组成。我们假设连接线没有电阻。实际上,我们可以安全地假设电路周围的当前“ i”是相同的。图1:连接到电池的典型电阻正如我们已经提到的那样,欧姆定律指出,通过电阻器的当前“ I”与在其上施加的电
  • 关键字: 电阻  电动力  功率耗散  

高压栅极驱动器的功率耗散和散热分析,一文get√

  • 高频率开关的MOSFET和IGBT栅极驱动器,可能会产生大量的耗散功率。因此,需要确认驱动器功率耗散和由此产生的结温,确保器件在可接受的温度范围内工作。高压栅极驱动集成电路(HVIC)是专为半桥开关应用设计的高边和低边栅极驱动集成电路,驱动高压、高速MOSFET 而设计。《高压栅极驱动器的功率耗散和散热分析》白皮书从静态功率损耗分析、动态功率损耗分析、栅极驱动损耗分析等方面进行了全面介绍。图 1 显示了 HVIC 的典型内部框图。主要功能模块包括输入级、欠压锁定保护、电平转换器和输出驱动级。栅极驱动器损耗
  • 关键字: MOSFET  IGBT  栅极驱动器  功率耗散  

大功率电源MOS工作温度确定之计算功率耗散

  • 在电子电路设计中,散热设计是非常重要的一项指标。但在很多设计环境下,空间的狭小程度限制了散热功能设计与发挥。在大功率电源MOSFET当中这种情况尤
  • 关键字: 大功率电  MOSFET  功率耗散  

运算放大器功率耗散的首要问题-II

  •   在将一个运算放大器设计成为全新应用时经常被问到的两个问题是:   1.他的功率耗散“典型值”是多少?在我的第一个帖子进行了介绍。   2.他的功率耗散“最大值”是多少?   应该在目标电路中评估运算放大器的最大功率。我们假定放大器运行的第一种情况是这样的。我们将最低负载电阻RL加载到输出上,正如OPA 316电气特性表中所列出的那样。这个表格中列出的值为2 kΩ(红色椭圆中的值)。        当VS和 IQ为最大值,并且输出
  • 关键字: 运算放大器  功率耗散  

UCSP封装的热考虑

  • 摘要:本文讨论了UCSP封装的功率耗散能力和其相对于其他封装是如何限制输出功率的。关键词:UCSP封装;功率耗散 UCSP 封装UCSP(晶片级封装)是一种封装技术,它消除了传统的密封集成电路(IC)的塑料封装,直接将硅片焊接到PCB上,节省了PCB空间。但也牺牲了传统封装的一些优点,尤其是散热能力。大多数音频放大器的封装都带有一个裸露焊盘,使IC底层直接连接到散热器或PCB地层。这种设计为IC到周围环境提供了一条低热阻的导热通道,避免器件过热。使用UCSP封装,IC通过底部焊球直接焊接到PCB上,因而
  • 关键字: 0706_A  杂志_设计天地  模拟技术  电源技术  UCSP封装  功率耗散  封装  
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功率耗散介绍

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