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sic-mosfet 文章

如何利用 SiC 打造更好的电动车牵引逆变器

  • 在本文中,我们将调查电动车牵引逆变器采用 SiC 技术的优势。我们将展示在各种负荷条件下逆变器的能效是如何提升的,包括从轻负荷到满负荷。使用较高的运行电压与高效的 1200V SiC FET 可以帮助降低铜损。还可以提高逆变器开关频率,以对电机绕组输出更理想的正弦曲线波形和降低电机内的铁损。预计在所有这些因素的影响下,纯电动车的单次充电行驶里程将提高 5-10%,同时,降低的损耗还能简化冷却问题。简介近期的新闻表明,纯电动车 (BEV) 的数量增加得比之前的预期要快。这促使汽车制造商(包括现有制
  • 关键字: SiC  BEV  

安世半导体推出采用LFPAK56封装的0.57mΩ产品

  • 奈梅亨,2020年2月19日:安世半导体,分立器件和MOSFET器件及模拟和逻辑集成电路器件领域的生产专家,今日宣布推出有史以来最低RDS(on)的功率MOSFET。今日推出的PSMNR51-25YLH已经是业内公认的低压、低RDS(on)的领先器件,它树立了25 V、0.57 mΩ的新标准。该市场领先的性能利用安世半导体独特的NextPowerS3技术实现,并不影响最大漏极电流(ID(max))、安全工作区(SOA)或栅极电荷QG等其他重要参数。 很多应用均需要超低RDS(on)器件,例如OR
  • 关键字: 安世半导体  MOSFET  RDS(on)  

Vishay推出高效80 V MOSFET,导通电阻与栅极电荷乘积即优值系数达到同类产品最佳水平

  • 日前,Vishay Intertechnology, Inc. 宣布,推出新款6.15 mm x 5.15 mm PowerPAK? SO-8单体封装的——SiR680ADP,它是80 V TrenchFET? 第四代n沟道功率MOSFET。Vishay Siliconix SiR680ADP专门用来提高功率转换拓扑结构和开关电路的效率,从而节省能源,其导通电阻与栅极电荷乘积,即功率转换应用中MOSFET的重要优值系数(FOM)为129 mW*nC,达到同类产品最佳水平。
  • 关键字: SiR680ADP  MOSFET  Vishay  

罗姆集团旗下的SiCrystal与意法半导体就碳化硅(SiC)晶圆长期供货事宜达成协议

  • 近日,全球知名半导体制造商罗姆和意法半导体(以下简称“ST”)宣布,双方就碳化硅(以下简称“SiC”)晶圆由罗姆集团旗下的SiCrystal GmbH (以下简称“SiCrystal”)供应事宜达成长期供货协议。在SiC功率元器件快速发展及其需求高速增长的大背景下,双方达成超1.2亿美元的协议,由SiCrystal(SiC晶圆生产量欧洲第一)向ST(面向众多电子设备提供半导体的全球性半导体制造商)供应先进的150mm SiC晶圆。ST 总经理 兼 首席执行官(CEO) Jean-Marc Chery 说:
  • 关键字: SiC  车载  

Vishay推出新款共漏极双N沟道60 V MOSFET,提高功率密度和效率

  • 日前,Vishay Intertechnology, Inc.宣布,推出采用小型热增强型PowerPAK 1212-8SCD封装新款共漏极双N沟道60 V MOSFET---SiSF20DN。Vishay Siliconix SiSF20DN是业内最低RS-S(ON)的60 V共漏极器件,专门用于提高电池管理系统、直插式和无线充电器、DC/DC转换器以及电源的功率密度和效率。日前发布的双片MOSFET在10V电压下RS-S(ON) 典型值低至10 mW,是3mm x 3mm封装导通电阻最低的60
  • 关键字: MOSFET  N沟道  

使用ADuM4136隔离式栅极驱动器和LT3999 DC/DC转换器驱动1200 V SiC电源模块

  • 简介电动汽车、可再生能源和储能系统等电源发展技术的成功取决于电力转换方案能否有效实施。电力电子转换器的核心包含专用半导体器件和通过栅极驱动器控制这些新型半导体器件开和关的策略。目前最先进的宽带器件,如碳化硅(SiC)和氮化镓(GaN)半导体具有更高的性能,如600 V至2000 V的高电压额定值、低通道阻抗,以及高达MHz范围的快速切换速度。这些提高了栅极驱动器的性能要求,例如,,通过去饱和以得到更短的传输延迟和改进的短路保护。本应用笔记展示了ADuM4136 栅极驱动器的优势,这款单通道器件的输出驱动能
  • 关键字: DC/DC  SiC  

Nexperia 推出行业领先性能的高效率氮化镓功率器件 (GaN FET)

  • 近日,分立、逻辑和 MOSFET 器件的专业制造商Nexperia,今天推出650V的功率器件GAN063-650WSA,宣布其进入氮化镓场效应管(GaN)市场。这款器件非常耐用,栅极电压 (VGS) 为 +/- 20 V,工作温度范围为 -55 至 +175 °C。GAN063-650WSA的特点是低导通电阻(最大RDS(on) 仅为 60 mΩ)以及快速的开关切换;效率非常高。Nexperia氮化镓器件的目标是高性能要求的应用市场,包括电动汽车、数据中心、电信设备、工业自动化和高端电源。Nexperi
  • 关键字: Nexperia  GaN FET  氮化镓功率器件  MOSFET 器件  

CISSOID与国芯科技签署战略合作协议

  • 各行业所需高温半导体解决方案的领导者CISSOID近日宣布:在湖南株洲举行的中国IGBT技术创新与产业联盟第五届国际学术论坛上,公司与湖南国芯半导体科技有限公司(简称“国芯科技”)签署了战略合作协议,将携手开展宽禁带功率技术的研究开发,充分发挥其耐高温、耐高压、高能量密度、高效率等优势,并推动其在众多领域实现广泛应用。近年来,宽禁带半导体功率器件(如碳化硅SiC和氮化镓GaN等)凭借多方面的性能优势,在航空航天、电力传输、轨道交通、新能源汽车、智能家电、通信等领域开始逐渐取代传统硅器件。然而,在各类应用中
  • 关键字: IGBT  SiC  GaN  

功率MOSFET的参数那么多,实际应用中该怎么选?

  • 功率 MOSFET也有两年多时间了,这方面的技术文章看了不少,但实际应用选型方面的文章不是很多。在此,根据学到的理论知识和实际经验,和广大同行一起分享、探讨交流下功率MOSFET的选型。
  • 关键字: MOSFET  功率MOSFET  

SiC MOSFET在汽车和电源应用中优势显著

  • 商用硅基功率MOSFET已有近40年的历史,自问世以来,MOSFET和IGBT一直是开关电源的主要功率处理控制组件,被广泛用于电源、电机驱动等电路设计。不过,这一成功也让MOSFET和IGBT体会到因成功反而受其害的含义。随着产品整体性能的改善,特别是导通电阻和开关损耗的大幅降低,这些半导体开关的应用范围越来越广。结果,市场对这些硅基MOSFET和IGBT的期望越来越高,对性能的要求越来越高。尽管主要的半导体研发机构和厂商下大力气满足市场要求,进一步改进MOSFET/ IGBT产品,但在某些时候,收益递减
  • 关键字: SiC MOSFET  意法半导体  

减慢开关转换时要谨慎

  • 开关调节器中的快速开关瞬变是有利的,因为这显著降低了开关模式电源中的开关损耗。尤其是在高开关频率时,可以大幅提高开关调节器的效率。但是,快速开关转换也会带来一些负面影响。开关转换频率在20 MHz和200 MHz之间时,干扰会急剧增加。这就使得开关模式电源开发人员必须在高频率范围内,在高效率和低干扰之间找到良好的折衷方案。此外,ADI公司提出了创新的Silent Switcher®技术,即使是极快的开关边沿,也可能产生最小电磁辐射。图1.对开关模式电源进行开关转换,在开关节点处施加输入电压。图1显示了快速
  • 关键字: 开关  MOSFET  

ST进军工业市场,打造丰富多彩的工业乐园

  • 近日,意法半导体(ST)在华举办了“ST工业巡演2019”。在北京站,ST亚太区功率分立和模拟产品器件部区域营销和应用副总裁Francesco Muggeri分析了工业市场的特点,并介绍了ST的产品线宽泛且通用性强,能够提供完整系统的支持。1 芯片厂商如何应对工业市场少量多样的挑战工业领域呈现多样、少量的特点,需要改变消费类电子大规模生产的模式,实现少量、高质量的生产。具体地,工业的一大挑战是应用的多样化,即一个大应用下面通常有很多小的子应用,所以产品会非标准化,即一个产品只能针对某一类小应用/小客户的需
  • 关键字: 电机  MCU  电源  SiC  

ROHM开发出4引脚封装的SiC MOSFET “SCT3xxx xR

  • 全球知名半导体制造商ROHM(总部位于日本京都),开发出6款沟槽栅结构※1)SiC MOSFET “SCT3xxx xR系列”产品(650V/1200V耐压),非常适用于要求高效率的服务器用电源、太阳能逆变器及电动汽车的充电站等。此次新开发的系列产品采用4引脚封装(TO-247-4L),可充分地发挥出SiC MOSFET本身的高速开关性能。与以往3引脚封装(TO-247N)相比,开关损耗可降低约35%,非常有助于进一步降低各种设备的功耗。另外,罗姆也已开始供应SiC MOSFET评估板“P02SCT304
  • 关键字: SiC  MOSFET  

中欧“大咖”齐聚深圳,共话第三代半导体发展

  • 最近,由深圳市科学技术协会、坪山区人民政府、第三代半导体产业技术创新战略联盟指导,青铜剑科技、深圳第三代半导体研究院、南方科技大学深港微电子学院主办,深圳基本半导体、深圳中欧创新中心承办的第三届“中欧第三代半导体高峰论坛”在深圳五洲宾馆成功举办。来自中国和欧洲的专家学者、企业高管、投资精英等近200名代表参会,围绕第三代半导体技术创新、产业发展、国际合作进行深入探讨与交流,加速第三代半导体材料国产化替代进程,助力国产半导体开辟一片新天地。深圳市科学技术协会党组书记林祥、深圳市坪山区科技创新局局长黄鸣出席论
  • 关键字: 碳化硅  二极管  MOSFET  

Diodes公司推出微型车用 MOSFET,可提供更高的功率密度

  • Diodes 公司 (Nasdaq:DIOD) 今日宣布推出额定 40V 的 DMTH4008LFDFWQ 及额定 60V 的 DMTH6016LFDFWQ,两者均为符合车用规范的 MOSFET,采用 DFN2020 封装。这两款微型 MOSFET 仅占较大封装 (例如 SOT223) 10% 的 PCB 区域,可在直流对直流 (DC-DC) 转换器、LED 背光、ADAS 及其他「引擎盖下」的汽车应用之中,提供更高的功率密度。DMTH4008LFDFWQ 在 VGS = 10V 时的 RDS(ON) 标
  • 关键字: MOSFET  汽车  
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