在本文中，我们介绍了具有不同负载类型的MOSFET共源放大器的基本行为。模拟电路随处可见，放大器基本上是每个模拟电路的一部分。MOSFET能够制造出卓越的放大器件，这就是为什么有多种基于它们的单级放大器拓扑结构的原因。根据哪个晶体管端子是输入端和哪个晶体管端子是输出端来区分它们。在本文中，我们将讨论共用源极（CS）放大器，它使用栅极作为其输入端子，使用漏极作为其输出。在交流信号方面，源端子对于输入和输出都是公共的，因此得名为共源。图1显示了具有理想电流源的CS放大器。具有理想电流源负载的共源放大器。&nb
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MOSFET 共源放大器
在本文中，我们介绍了具有不同负载类型的MOSFET共源放大器的基本行为。模拟电路随处可见，放大器基本上是每个模拟电路的一部分。MOSFET能够制造出卓越的放大器件，这就是为什么有多种基于它们的单级放大器拓扑结构的原因。根据哪个晶体管端子是输入端和哪个晶体管端子是输出端来区分它们。在本文中，我们将讨论共用源极（CS）放大器，它使用栅极作为其输入端子，使用漏极作为其输出。在交流信号方面，源端子对于输入和输出都是公共的，因此得名为共源。图1显示了具有理想电流源的CS放大器。具有理想电流源负载的共源放大器。&nb
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MOSFET 共源放大器
本文的关键要点各行各业的工厂都在扩大生产线的智能化程度，在生产线上的装置和设备旁边导入先进信息通信设备的工厂越来越多。要将高压工业电源线的电力转换为信息通信设备用的电力，需要辅助设备用的高效率电源，而采用内置1700V耐压SiC MOSFET的AC-DC转换器IC可以轻松构建这种高效率的辅助电源。各行各业加速推进生产线的智能化如今，从汽车、半导体到食品、药品和化妆品等众多行业的工厂，既需要进一步提升生产效率和产品品质，还需要推进无碳生产（降低功耗和减少温室气体排放）。在以往的制造业中，提高工厂的生产效率和
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电力转换 SiC MOSFET
回首2023年，尽管全球供应链面临多重挑战，但我们看到了不少闪光点，比如AIGC的热潮、汽车电子的火爆，以及物联网的小跑落地……今天，安森美(onsemi)碳化硅技术专家牛嘉浩先生为大家带来了他对过去一年的经验总结和对新一年的展望期盼。汽车产业链中的困难与挑战在过去一年中，汽车芯片短缺、全球供应链的复杂性和不确定性及市场需求的变化，可能是汽车产业链最为棘手的难题，汽车制造商需要不断调整生产和采购策略以应对潜在的风险和瓶颈。随着更多传统车企和新兴造车势力进入新能源汽车市场，竞争压力加大，汽车制造商需要不断提
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智能电源 智能感知 汽车领域 SiC
CoolSiC™ 2000V SiC MOSFET系列采用TO-247PLUS-4-HCC封装，规格为12-100mΩ。由于采用了.XT互联技术，CoolSiC™技术的输出电流能力强，可靠性提高。产品型号：▪️ IMYH200R012M1H▪️ IMYH200R024M1H▪️ IMYH200R050M1H▪️ IMYH200R075M1H▪️ IMYH200R0100M1H产品特点■ VDSS=2000V，可用于最高母线电压为1500VDC系统■ 开关损
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MOSFET CoolSiC Infineon
电力电子应用希望纳入新的半导体材料和工艺。
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GaN SiC
在电力电子的很多应用，如电机驱动，有时会出现短路的工况。这就要求功率器件有一定的扛短路能力，即在一定的时间内承受住短路电流而不损坏。目前市面上大部分IGBT都会在数据手册中标出短路能力，大部分在5~10us之间，例如英飞凌IGBT3/4的短路时间是10us，IGBT7短路时间是8us。而 大 部 分 的 SiC MOSFET 都 没 有 标 出 短 路 能 力 ， 即 使 有 ， 也 比 较 短 ， 例 如 英 飞 凌 的CoolSiCTM MOSFET单管封装器件标称短路时间是3us，EASY封装器件标
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infineon MOSFET
回首2023，碳化硅和氮化镓行业取得了哪些进步？出现了哪些变化？2024将迎来哪些新机遇和新挑战？为更好地解读产业格局，探索未来的前进方向，行家说三代半、行家极光奖联合策划了《行家瞭望——2024，火力全开》专题报道。本期嘉宾是意法半导体亚太区功率分立和模拟产品器件部市场和应用副总裁Francesco MUGGERI（沐杰励）。全工序SiC工厂今年投产第4代SiC MOS即将量产行家说三代半：据《2023碳化硅（SiC）产业调研白皮书》统计，2023年全球新发布碳化硅主驱车型又新增了40多款，预计明年部分
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意法半导体 SiC
2月1日消息，近日，浙江嘉兴平湖市政府公示了“年产90万片功率模块、45万片PCBA板和20万台电机控制器”建设项目规划批前公告。据披露，该项目建设单位为臻驱科技的全资子公司——臻驱半导体（嘉兴）有限公司，臻驱半导体拟投约资6.45亿元在平湖市经济技术开发区新明路南侧建造厂房用于生产及研发等，项目建筑面积达45800m2。公开资料显示，臻驱科技成立于2017年，是一家提供国产功率半导体及新能源汽车驱动解决方案的公司，总部位于上海浦东，在上海临港、广西柳州、浙江平湖及德国亚琛（Aachen）等地布局了多家子
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功率模块 碳化硅 SiC
中国 北京，2024 年 1 月 30 日——全球领先的连接和电源解决方案供应商 Qorvo®（纳斯达克代码：QRVO）今日宣布一款符合车规标准的碳化硅（SiC）场效应晶体管（FET）产品；在紧凑型 D2PAK-7L 封装中实现业界卓越的 9mΩ 导通电阻 RDS(on)。此款 750V SiC FET 作为 Qorvo 全新引脚兼容 SiC FET 系列的首款产品，导通电阻值最高可达 60mΩ，非常适合车载充电器、DC/DC
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Qorvo SiC FET 电动汽车
MOSFET的小信号特性在模拟IC设计中起着重要作用。在本文中，我们将学习如何对MOSFET的小信号行为进行建模。正如我们在上一篇文章中所解释的那样，MOSFET对于现代模拟IC设计至关重要。然而，那篇文章主要关注MOSFET的大信号行为。模拟IC通常使用MOSFET进行小信号放大和滤波。为了充分理解和分析MOS电路，我们需要定义MOSFET的小信号行为。什么是小信号分析？当我们说“小信号”时，我们的确切意思是？为了定义这一点，让我们参考图1，它显示了逆变器的输出传递特性。逆变器的传输特性。 图
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MOSFET 模拟IC
众所周知，提高 SiC 晶圆质量对制造商来说非常重要，因为它直接决定了 SiC 器件的性能，从而决定了生产成本。然而，具有低缺陷密度的 SiC 晶圆的生长仍然非常具有挑战性。SiC 晶圆制造的发展已经完成了从100毫米（4英寸）到150毫米（6英寸）晶圆的艰难过渡，正在向8英寸迈进。SiC 需要在高温环境下生长，同时具有高刚性和化学稳定性，这导致生长的 SiC 晶片中晶体和表面缺陷的密度很高，导致衬底质量和随后制造的外延层质量差 。本篇文章主要总结了 SiC 生长过程及各步骤造成的缺陷
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SiC 晶圆
摘要在无线收发器等应用中，系统一般处于偏远地区，通常由电池供电。由于鲜少有人能够前往现场进行干预，此类应用必须持续运行。系统持续无活动或挂起后，需要复位系统以恢复操作。为了实现系统复位，可以切断电源电压，断开系统电源，然后再次连接电源以重启系统。 本文将探讨使用什么方法和技术可以监控电路的低电平有效输出来驱动高端输入开关，从而执行系统电源循环。 简介为了提高电子系统的可靠性和稳健性，一种方法是实施能够检测故障并及时响应的保护机制。这些机制就像安全屏障，能够减轻潜在损害，确保系统正常运行
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MOSFET 系统电源循环 ADI
加利福尼亚州戈莱塔 – 2024 年 1 月 17 日 — 全球领先的氮化镓（GaN）功率半导体供应商 Transphorm, Inc.（纳斯达克：TGAN）今日宣布推出两款采用 4 引脚 TO-247 封装（TO-247-4L）的新型 SuperGaN® 器件。新发布的 TP65H035G4YS 和 TP65H050G4YS FET 器件分别具有 35 毫欧和 50 毫欧的导通电阻，并配有一个开尔文源极端子，以更低的能量损耗为客户实现更全面的开关功能。新
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Transphorm 高功率服务器 工业电力转换 氮化镓场效应晶体管 碳化硅 SiC
1 转型成功的2023得益于成功的战略转型，在汽车和工业市场增长的
推动下，安森美在 2023 年前 3 季度的业绩都超预期。
其中，第一季度由先进驾驶辅助系统 (ADAS) 和能源基
础设施终端市场带来的收入均同比增长约 50%，在第
二季度汽车业务收入超 10 亿美元，同比增长 35%，创
历史新高，第三季度汽车和工业终端市场都实现创纪录
收入。安森美大中华区销售副总裁Roy Chia2 深入布局碳化硅领域在第三代半导体领域，安森美专注于 SiC，重点聚
焦于汽车、能源、电网基础设施等应
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安森美 第三代半导体 碳化硅 SiC
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