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低功耗SiC二极管实现最高功率密度

  •   相较于硅,碳化硅(SiC)肖特基二极管采用全新的技术,提供更出色的开关性能和更高的可靠性。SiC无反向恢复电流,且具有不受温度影响的开关特性和出色的散热性能,因此被视为下一代功率半导体。  安森美半导体扩展了其650伏(V) SiC二极管系列,提供更高的能效、更高的功率密度和更低的系统成本。工程师在设计用于太阳能光伏逆变器、电动车/混和动力电动车(EV / HEV)充电器、电信电源和数据中心电源等各类应用的PFC和升压转换器时,往往面对在更小尺寸实现更高能效的挑战。这些全新的二极管能为工程师解决这些挑
  • 关键字: 肖特基二极,SiC  

工业设备辅助电源驱动用的SiC电源解决方案

  •   前言  包括光伏逆变器、电气驱动装置、UPS及HVDC在内的功率转换系统,需要栅极驱动器、微控制器、显示器、传感器及风扇来使系统正常运行。这类产品需要能够提供12V或24V低电压电源的辅助电源。辅助电源则需要输入通常工业设备所使用的三相400/480V AC电源、或太阳能光伏逆变器所使用的高电压DC电源才能工作。本文将介绍融入了ROHM的SiC技术优势且设计简单、性价比高的电源解决方案。  小型辅助电源用SiC MOSFET  图1是辅助电源所用的普通电路。在某些输入电压条件下,MOSFET的最高耐压
  • 关键字: SiC,MOSFET  

我国半导体SiC单晶粉料和设备生产实现新突破

  •   6月5日,在中国电子科技集团公司第二研究所(简称中国电科二所)生产大楼内,100台碳化硅(SiC)单晶生长设备正在高速运行,SiC单晶就在这100台设备里“奋力”生长。  中国电科二所第一事业部主任李斌说:“这100台SiC单晶生长设备和粉料都是我们自主研发和生产的。我们很自豪,正好咱们自己能生产了。”  SiC单晶是第三代半导体材料,以其特有的大禁带宽度、高临界击穿场强、高电子迁移率、高热导率等特性, 成为制作高温、高频、大功率、抗辐照、短波发光及光电集成器件的理想材料,是新一代雷达、卫星通讯、高压
  • 关键字: SiC  

我国半导体SiC单晶粉料和设备生产实现新突破

  •   6月5日,在中国电子科技集团公司第二研究所(简称中国电科二所)生产大楼内,100台碳化硅(SiC)单晶生长设备正在高速运行,SiC单晶就在这100台设备里“奋力”生长。  中国电科二所第一事业部主任李斌说:“这100台SiC单晶生长设备和粉料都是我们自主研发和生产的。我们很自豪,正好咱们自己能生产了。”  SiC单晶是第三代半导体材料,以其特有的大禁带宽度、高临界击穿场强、高电子迁移率、高热导率等特性, 成为制作高温、高频、大功率、抗辐照、短波发光及光电集成器件的理想材料,是新一代雷达、卫星通讯、高压
  • 关键字: SiC  

安森美半导体发布碳化硅(SiC)二极管用于要求严苛的汽车应用

  •   推动高能效创新的安森美半导体(ON Semiconductor,美国纳斯达克上市代号:ON),发布了碳化硅(SiC)肖特基二极管的扩展系列,包括专门用于要求严苛的汽车应用的器件。新的符合AEC-Q101车规的汽车级SiC二极管提供现代汽车应用所需的可靠性和强固性,以及等同于宽禁隙(WBG)技术的众多性能优势。  SiC技术提供比硅器件更佳的开关性能和更高的可靠性。SiC二极管没有反向恢复电流,开关性能与温度无关。极佳的热性能、增加的功率密度和降低的电磁干扰(EMI),减小的系统尺寸和降低的成本使SiC
  • 关键字: 安森美  SiC  

美高森美继续扩大碳化硅产品组合提供 下一代1200 V SiC MOSFET样品和700 V肖特基势垒二极管器件

  •   致力于在功耗、安全、可靠性和性能方面提供差异化的领先半导体技术方案供应商美高森美公司(Microsemi Corporation) 宣布在下季初扩大其碳化硅(SiC) MOSFET 和SiC二极管产品组合,包括提供下一代1200 V、25 mOhm和80 mOhm SiC MOSFET器件的样品,及下一代700 V、50 A 肖特基势垒二极管(SBD)和相应的裸片。美高森美将参展6月5日至7日在德国纽伦堡展览中心举行的PCIM欧洲电力电子展,在6号展厅318展台展示这些SiC解决方案以及SiC SBD
  • 关键字: 美高森美  SiC  

ROHM集团Apollo筑后工厂将投建新厂房, 以强化SiC功率元器件的产能

  •   全球知名半导体制造商ROHM为加强需求日益扩大的SiC功率元器件的生产能力,决定在ROHM Apollo Co., Ltd.(日本福冈县)的筑后工厂投建新厂房。  新厂房为地上3层建筑,总建筑面积约11,000㎡。现在,具体设计工作正在有条不紊地进行,预计将于2019年动工,于2020年竣工。  ROHM自2010年开始量产SiC功率元器件(SiC-SBD、SiC-MOSFET)以来,于世界首家量产“全SiC”功率模块和沟槽结构SiC-MOSFET,不断进行着领先业界的技
  • 关键字: ROHM  SiC  

ROHM炫动慕展,为汽车车载带来一大波方案

  •   ROHM不久前亮相"2018慕尼黑上海电子展",并占据馆内的入口人气位置,以炫动的赛车和动感十足的汽车产品,吸引观众的眼球。那么,这次ROHM重点带来了什么汽车新品?  据悉,此次展会围绕“汽车电子”和“工业设备”,重点展示了功率电源产品及解决方案。  图:ROHM展台设在展馆入口处,动感赛车吸引眼球  赛车性能突破极限,因为有SiC  视频上吸睛的车队是文图瑞电动方程式车队 (Venturi Formula E Team) ,RO
  • 关键字: ROHM  SiC  

SiC和GaN产品市场趋势及力特提供的产品

  • 硅半导体器件在过去数十年间长期占据着电子工业的统治地位,它铸就了电子世界的核心,覆盖我们日常生活中的绝大部分应用。宽禁带电子器件,以碳化硅和氮化镓的形式,因其自身有着传统的硅技术无法克服的优势正在日益普及。
  • 关键字: 力特,SiC,GaN  

新一代功率器件动向:SiC和GaN

  • 更为严格的行业标准和政府法规的变迁是更高能效产品的关键驱动因素。例如数据中心正呈指数级增长以跟上需求,其耗电量约占全球总电力供应量(+ 400TWh)的3%,也占总温室气体排放量的2%,与航空业的碳排放量相同。在这些巨大的能源需求之下,各地政府正加紧实施更严格的标准和新的法规,以确保所有依赖能源的产品必须达到最高能效。
  • 关键字: 安森美,SiC,GaN  

新一代功率器件及电源管理IC的发展概况

  • 介绍了包括SiC、GaN在内的新一代功率器件,面向工业和汽车的新型功率模块,可穿戴设备的电源管理IC的发展概况及相关新技术和热门产品。
  • 关键字: SiC  GaN  电源管理  201804  

新发现!SiC可用于安全量子通信

  •   使用单光子作为量子位的载体可以在量子数据传输期间实现可靠的安全性。研究人员发现,目前可以通过某现有材料建立一个系统,能在常温条件下可靠地产生单光子。   来自莫斯科物理技术学院(MIPT)的一个研究小组展示通过使用基于碳化硅(SiC)光电子半导体材料的单光子发射二极管,每秒可以发射多达数十亿个光子。研究人员进一步表明,SiC色心的电致发光可用于将无条件的安全量子通信线路中的数据传输速率提高到1Gbps以上。   量子密码术与传统的加密算法不同,它依赖于物理定律。在不改变原始信息的情况下,是无法
  • 关键字: SiC  量子通信  

受惠5G及汽车科技 SiC及GaN市场前景向好

  •   相较目前主流的硅晶圆(Si),第三代半导体材料SiC及GaN除了耐高电压的特色外,也分别具备耐高温与适合在高频操作下的优势,不仅可使芯片面积可大幅减少,并能简化周边电路的设计,达到减少模组、系统周边的零组件及冷却系统的体积。根据估计,2018年全球SiC基板产值将达1.8亿美元,而GaN基板产值仅约3百万美元。        此外,除了轻化车辆设计之外,因第三代半导体的低导通电阻及低切换损失的特性,也能大幅降低车辆运转时的能源转换损失,两者对于电动车续航力的提升有相当的帮助。因此,
  • 关键字: SiC  GaN  

ROHM携汽车电子及工业设备市场产品强势登陆“2018慕尼黑上海电子展”

  •   全球知名半导体制造商ROHM于2018年3月14日--16日参加了在上海新国际展览中心举办的"2018慕尼黑上海电子展(electronica China 2018)"。  “慕尼黑上海电子展"不仅是亚洲领先的电子行业展览,还是行业内最重要的盛会之一。ROHM在此次展会上以“汽车电子”和“工业设备”为轴,为大家呈现包括“汽车电子”、 “模拟”、“电源”、“传感器”以及“移动设备”在内的5大解决方案展区,囊括了业界领先的强大产品阵容。另外,为此
  • 关键字: ROHM  SiC  

慕展:功率电子、微波通信、阻容感、材料、结构件领域的最新产品 都在世强

  •   慕尼黑上海电子展举办,作为亚洲第一电子大展,展会吸引了数万名电子行业的观众到场参观学习。而全球先进的元件分销商——世强元件电商,则携物联网、汽车、微波通信、功率电子、工业控制及自动化、结构件、阻容感、材料、测试测量等九大领域的最新产品及方案亮相。  凭借集成电路、元件、材料、部件、仪器、阻容感等全品类的电子元器件展示,以及NB-IOT、工业物联网、无线充电与快充、工业4.0、人工智能、楼宇照明、智能网联汽车、新能源汽车、5G通信、蓝牙Mesh等众多热门市场的最新产品的展示,世强元件电商吸引了大批工程师
  • 关键字: SiC  GaN  
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sic介绍

SiC是一种Ⅳ-Ⅳ族化合物半导体材料,具有多种同素异构类型。其典型结构可分为两类:一类是闪锌矿结构的立方SiC晶型,称为3C或β-SiC,这里3指的是周期性次序中面的数目;另一类是六角型或菱形结构的大周期结构,其中典型的有6H、4H、15R等,统称为α-SiC。与Si相比,SiC材料具有更大的Eg、Ec、Vsat、λ。大的Eg使其可以工作于650℃以上的高温环境,并具有极好的抗辐射性能. Si [ 查看详细 ]

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