首页  资讯  商机   下载  拆解   高校  招聘   杂志  会展  EETV  百科   问答  电路图  工程师手册   Datasheet  100例   活动中心  E周刊阅读   样片申请
EEPW首页 >> 主题列表 >> sic

贸泽开售采用D2PAK-7L 封装的工业用 UnitedSiC 750V UJ4C/SC SiC FET

  • 2022年9月23日 – 提供超丰富半导体和电子元器件™的业界知名新品引入 (NPI) 分销商贸泽电子  (Mouser Electronics) 即日起备货采用行业标准D2PAK-7L表面贴装封装的UnitedSiC(现已被 Qorvo®收购)UJ4C/SC FET。UJ4C/SC系列器件是750 V碳化硅场效应晶体管 (SiC FET),借助D2PAK-7L封装选项提供低开关损耗、在更高速度下提升效率,同时提高系统功率密度。这些FET经优化适合车载充电器、软开关DC/DC
  • 关键字: 贸泽  D2PAK-7L  UnitedSiC  SiC FET  

东芝推出面向更高效工业设备的第三代SiC MOSFET

  • 东芝电子元件及存储装置株式会社(“东芝”)今日宣布,推出新款功率器件---第三代碳化硅(SiC)MOSFET[1][2]“TWxxNxxxC系列”。该系列具有低导通电阻,可显著降低开关损耗。该系列10款产品包括5款1200V产品和5款650V产品,已于今日开始出货。  新产品的单位面积导通电阻(RDS(ON)A)下降了大约43%[3],从而使“漏源导通电阻×栅漏电荷(RDS(ON)×Qgd)”降低了大约80%[4],这是体现导通损耗与开关损耗间关系的重要指标。这样可以将开关损耗减少大约
  • 关键字: 东芝  SiC MOSFET  

安森美庆祝在新罕布什尔州扩张碳化硅工厂

  • 领先于智能电源和智能感知技术的安森美(onsemi,美国纳斯达克股票代号:ON),昨天美国时间举行了剪彩仪式,庆祝其位于新罕布什尔州哈德逊 (Hudson, New Hampshire) 的碳化硅 (SiC) 工厂的落成。该基地将使安森美到2022年底的SiC晶圆产能同比增加五倍,在哈德逊的员工人数几乎翻两番。此扩张使安森美能完全控制其SiC制造供应链,从SiC粉末和石墨原料的采购,到封装好的SiC器件的交付。这使安森美能为其客户提供必要的供应保证,以满足对基于SiC的方案迅速增长的需求。SiC对于提高电
  • 关键字: 安森美  碳化硅工厂  SiC  

UnitedSiC(现已被 Qorvo收购)为功率设计扩展高性能且高效的750V SiC FET产品组合

  • 移动应用、基础设施与航空航天、国防应用中 RF 解决方案的领先供应商 Qorvo®, Inc.(纳斯达克代码:QRVO)今日宣布推出 7 款采用表贴 D2PAK-7L 封装的 750V 碳化硅 (SiC) FET。凭借该封装方案,Qorvo 的 SiC FET 针对快速增长的车载充电器、软开关 DC/DC 转换器、电池充电(快速 DC 和工业)和 IT/服务器电源应用实现量身定制。它们采用热性能增强型封装,为需求最大效率、低传导损失和高性价比的高功耗应用提供理想解决方案。在 650/750V 状态下,第四
  • 关键字: UnitedSiC  Qorvo  750V  SiC FET  

UnitedSiC(现为 Qorvo)针对电源设计扩展更高性能和效率的750V SiC FET 产品组合

  • Qorvo®今天宣布推出采用表面贴装 D2PAK-7L 封装的七款 750V 碳化硅 (SiC) FET,借助此封装选项,Qorvo 的 SiC FET可为车载充电器、软开关 DC/DC 转换器、电池充电(快速 DC 和工业)以及IT/服务器电源等快速增长的应用量身定制,能够为在热增强型封装中实现更高效率、低传导损耗和卓越成本效益的高功率应用提供更佳解决方案。Qorvo 的第四代 UJ4C/SC 系列在 650/750V 时具有9mΩ的业界更低 RDS(on),其额定值分别为 9、11、18、23、33、
  • 关键字: UnitedSiC  Qorvo  电源  SiC FET  

安森美: 打造可提供从衬底到模块的端到端SiC方案供应商

  • 由于 SiC 具有更快的开关速度,因此对于某些拓扑结构,可缩减无源元器件如电感器的尺寸以降低系统尺寸和成本。光伏发电和大规模储能变得越来越重要,最终将取代所有的污染性能源。由于可再生能源目前仅占全球总发电量的一小部分,因此 SiC 将有长远的发展路向。随着电动车采用率的增加,充电桩将大规模部署,另外,SiC 最终还将成为电动车主驱逆变器的首选材料,因为它可减少车辆的整体尺寸和重量,且能效更高,可延长电池使用寿命。安森美首席碳化硅专家,中国汽车OEM技术负责人 吴桐 博士安森美 (onsemi) 在收购上游
  • 关键字: 202207  安森美  SiC  

安森美:打造可提供从衬底到模块的端到端SiC方案供应商

  • 受访人:安森美首席碳化硅专家,中国汽车OEM技术负责人吴桐博士1.氮化镓和碳化硅同属第三代半导体,在材料特性上有什么相似之处和不同之处?根据其不同的特性,分别适用在哪些应用领域?贵公司目前在SiC和GaN两种材料的半导体器件方面都有哪些主要的产品?  氮化镓(GaN)和碳化硅(SiC)具有较高的电子迁移率和较高的能带隙,用它们制成的晶体管具有比硅基晶体管更高的击穿电压和更耐受高温,可以突破硅基器件的应用极限,开关速度更快,导通电阻更低,损耗更小,能效更高。  GaN的开关频率比SiC高得多,而SiC的可靠
  • 关键字: 安森美  SiC  

第三代半导体市场的“互补共生”

  •   受访人:Robert Taylor是德州仪器(TI)系统工程营销组的应用经理,负责工业和个人电子市场的定制电源设计。他的团队每年负责500项设计,并在过去20年中设计了15000个电源。Robert于2002年加入TI,大部分时间都在担任各种应用的电源设计师。Robert拥有佛罗里达大学的电气工程学士学位和硕士学位。1.氮化镓和碳化硅同属第三代半导体,在材料特性上有什么相似之处和不同之处?根据其不同的特性,分别适用在哪些应用领域?贵公司目前在SiC和GaN两种材料的半导体器件方面都有哪些主要的产品? 
  • 关键字: TI  第三代半导体  GaN  SiC  

TrendForce:估今年车用SiC功率组件市场破10亿

  • 为进一步提升电动车动力性能,全球各大车企已将目光锁定在新一代SiC(碳化硅)功率组件,并陆续推出了多款搭载相应产品的高性能车型。依TrendForce研究,随着越来越多车企开始在电驱系统中导入SiC技术,预估2022年车用SiC功率组件市场规模将达到10.7亿美元,2026年将攀升至39.4 亿美元。 随着越来越多车企开始在电驱系统中导入SiC技术,预估2022年车用SiC功率组件市场规模将达到10.7亿美元。TrendForce指出,目前车用SiC功率组件市场主要由欧美IDM大厂掌控,关键供货
  • 关键字: TrendForce  SiC  功率组件  

ROHM SiC技术助力SEMIKRON功率模块 打造次世代电动车

  • SEMIKRON和半导体制造商ROHM在开发碳化硅(SiC)功率模块方面已经有十多年的合作。本次ROHM的第4代SiC MOSFET正式被运用于SEMIKRON车规级功率模块「eMPack」,开启了双方合作的全新里程碑。 合作仪式留影,SEMIKRON CEO兼CTO Karl-Heinz Gaubatz先生(左),ROHM德国公司社长 Wolfram Harnack(中),SEMIKRON CSO Peter Sontheimer先生(右)此外,SEMIKRON宣布已与德国一家大型汽车制造商签
  • 关键字: ROHM  SiC  SEMIKRON  功率模块  

赛米控与罗姆就碳化硅功率元器件展开新的合作

  • 赛米控(总部位于德国纽伦堡)和全球知名半导体制造商罗姆(总部位于日本京都市)在开发碳化硅(SiC)功率模块方面已经开展了十多年的合作。合作仪式剪影:赛米控CEO兼CTO  Karl-Heinz Gaubatz先生(左)罗姆德国公司社长 Wolfram Harnack(中)赛米控CSO Peter Sontheimer先生(右) 此次,罗姆的第4代SiC MOSFET正式被用于赛米控的车规级功率模块“eMPack®”,开启了双方合作的新征程。此外,赛米控宣布已与德国一家大型汽车制造商签署
  • 关键字: 罗姆  碳化硅  SiC  无线宽带  

SiC FET的起源及其向着完美开关发展的历程

  • 使用宽带隙半导体作为高频开关为实现更高的功率转换效率提供了有力支持。一个示例是,碳化硅开关可以实施为SiC MOSFET或以共源共栅结构实施为SiC FET。本白皮书追溯了SiC FET的起源和发展,直至最新一代产品,并将其性能与替代技术进行了比较。白皮书当然,接近完美的电子开关已经存在很长一段时间了,但是我们这里要谈的不是机械开关。现代功率转换依赖的是半导体开关,它们最好在打开时没有电阻,在关闭时电阻和耐受电压无限大,并能在简单驱动下以任意快的速度在开关状态间切换且没有瞬时功率损耗。在这个重视能源与成本
  • 关键字: UnitedSiC  SiC  

破解SiC、GaN栅极动态测试难题的魔法棒 — 光隔离探头

  • SiC、GaN 作为最新一代功率半导体器件具有远优于传统 Si 器件的特性,能够使得功率变换器获得更高的效率、更高的功率密度和更低的系统成本。但同时,SiC、GaN极快的开关速度也给工程师带来了使用和测量的挑战,稍有不慎就无法获得正确的波形,从而严重影响到器件评估的准确、电路设计的性能和安全、项目完成的速度。SiC、GaN动态特性测量中,最难的部分就是对半桥电路中上桥臂器件驱动电压VGS的测量,包括两个部分:开关过程和Crosstalk。此时是无法使用无源探头进行测量的,这会导致设备和人员危险,同时还会由
  • 关键字: SiC  GaN  栅极动态测试  光隔离探头  

仿真看世界之SiC单管并联中的寄生导通问题

  • 这篇微信文章,其实构思已久。为了有所铺垫,已在2020和2021发布了两篇基础篇。2022,让我们再次聊聊在SiC单管并联中的寄生导通问题。这篇微信文章,其实构思已久。为了有所铺垫,已在2020和2021发布了两篇基础篇:●    2020《仿真看世界之SiC单管的寄生导通现象》●    2021《仿真看世界之SiC MOSFET单管并联均流特性》2022,让我们再次聊聊在SiC单管并联中的寄生导通问题。特别提醒:仿真只是工具,仿真无法替代实验,仿真只供参考。在展开
  • 关键字: 英飞凌  SiC  

安森美的VE-Trac SiC系列为电动车主驱逆变提供高能效、高功率密度和成本优势

  • 双碳目标正加速推进汽车向电动化发展,半导体技术的创新助力汽车从燃油车过渡到电动车,新一代半导体材料碳化硅(SiC)因独特优势将改变电动车的未来,如在关键的主驱逆变器中采用SiC可满足更高功率和更低的能效、更远续航、更小损耗和更低的重量,以及向800 V迁移的趋势中更能发挥它的优势,但面临成本、封装及技术成熟度等多方面挑战。安森美(onsemi)提供领先的智能电源方案,在SiC领域有着深厚的历史积淀,是世界上少数能提供从衬底到模块的端到端SiC方案供应商之一,其创新的VE TracTM Direct SiC
  • 关键字: 安森美  SiC  逆变器  
共248条 1/17 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 » ›|

sic介绍

SiC是一种Ⅳ-Ⅳ族化合物半导体材料,具有多种同素异构类型。其典型结构可分为两类:一类是闪锌矿结构的立方SiC晶型,称为3C或β-SiC,这里3指的是周期性次序中面的数目;另一类是六角型或菱形结构的大周期结构,其中典型的有6H、4H、15R等,统称为α-SiC。与Si相比,SiC材料具有更大的Eg、Ec、Vsat、λ。大的Eg使其可以工作于650℃以上的高温环境,并具有极好的抗辐射性能. Si [ 查看详细 ]

热门主题

关于我们 - 广告服务 - 企业会员服务 - 网站地图 - 联系我们 - 征稿 - 友情链接 - 手机EEPW
Copyright ©2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《电子产品世界》杂志社 版权所有 北京东晓国际技术信息咨询有限公司
备案 京ICP备12027778号-2 北京市公安局备案:1101082052    京公网安备11010802012473