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纳微半导体与您相约亚洲充电展,最新GaN+SiC技术展望快充未来

  • 唯一全面专注的下一代功率半导体公司及氮化镓和碳化硅功率芯片行业领导者——纳微半导体近日宣布将参加于2024年3月20-22日在深圳福田会展中心举办的亚洲充电展,邀请观众造访由最新氮化镓和碳化硅技术打造,象征着全电气化未来的“纳微芯球”展台。纳微半导体将展出最新的GaNFast™和GeneSiC™应用及解决方案,包括:●   功率水平更高、以应用为导向的GaNSense™ Halfbridge半桥氮化镓技术●   高性能、速度快的第三代高速碳化硅技术●  &
  • 关键字: 纳微半导体  亚洲充电展  GaN+SiC  快充  

纳芯微推出基于创新型振铃抑制专利的车规级CAN SIC: NCA1462-Q1

  • 纳芯微宣布推出基于其自研创新型振铃抑制专利的车规级CAN SIC(信号改善功能,Signal Improvement Capability)NCA1462-Q1。相比当前主流的CAN FD车载通信方案,NCA1462-Q1在满足ISO 11898-2:2016标准的前提下,进一步兼容CiA 601-4标准,可实现≥8Mbps的传输速率。凭借纳芯微专利的振铃抑制功能,即使在星型网络多节点连接的情况下,NCA1462-Q1仍具有良好的信号质量;此外,超高的EMC表现,更加灵活、低至1.8V的VIO可有效助力工
  • 关键字: 纳芯微  振铃抑制  CAN SIC  

基于SiC的完整“傻瓜型”逆变器参考设计为先进电机应用铺平了道路

  • 先进电机应用(如高转速、高频、高功率密度、高温等)需要相匹配的逆变器支持,但业界一直为其开发难度所困扰。全球领先的高温半导体解决方案提供商CISSOID公司近期推出的基于碳化硅(SiC)功率器件的完整逆变器参考设计很好地解决了这一问题。该参考设计整合了CISSOID 公司的SiC高压功率模块和相匹配的集成化栅极驱动器,Silicon Mobility公司的控制板和软件,超低寄生电感的直流母线电容和EMI滤波器,直流和相电流传感器等其它附件。由此为先进电机应用提供了一个已全面集成的完整“傻瓜型”逆变器开发平
  • 关键字: SiC  逆变器  电机  CISSOID  Silicon Mobility  

Qorvo推出紧凑型E1B封装的1200V SiC模块

  • 中国 北京,2024 年 2 月 29 日——全球领先的连接和电源解决方案供应商 Qorvo®(纳斯达克代码:QRVO)近日宣布推出四款采用紧凑型 E1B 封装的 1200V 碳化硅(SiC)模块,其中两款为半桥配置,两款为全桥配置,导通电阻 RDS(on) 最低为 9.4mΩ。全新的高效率 SiC 模块非常适合电动汽车充电站、储能、工业电源和太阳能等应用。Qorvo SiC 电源产品线市场总监 Ramanan Natarajan 表示:“该全新系列中的模块可以取代多达四个分立式 SiC FET,从而简化
  • 关键字: Qorvo  1200V  SiC模块  SiC  

内置1700V耐压SiC MOSFET的AC-DC转换器IC,助推工厂智能化

  • 本文的关键要点各行各业的工厂都在扩大生产线的智能化程度,在生产线上的装置和设备旁边导入先进信息通信设备的工厂越来越多。要将高压工业电源线的电力转换为信息通信设备用的电力,需要辅助设备用的高效率电源,而采用内置1700V耐压SiC MOSFET的AC-DC转换器IC可以轻松构建这种高效率的辅助电源。各行各业加速推进生产线的智能化如今,从汽车、半导体到食品、药品和化妆品等众多行业的工厂,既需要进一步提升生产效率和产品品质,还需要推进无碳生产(降低功耗和减少温室气体排放)。在以往的制造业中,提高工厂的生产效率和
  • 关键字: 电力转换  SiC  MOSFET  

安森美碳化硅技术专家“把脉”汽车产业2024年新风向

  • 回首2023年,尽管全球供应链面临多重挑战,但我们看到了不少闪光点,比如AIGC的热潮、汽车电子的火爆,以及物联网的小跑落地……今天,安森美(onsemi)碳化硅技术专家牛嘉浩先生为大家带来了他对过去一年的经验总结和对新一年的展望期盼。汽车产业链中的困难与挑战在过去一年中,汽车芯片短缺、全球供应链的复杂性和不确定性及市场需求的变化,可能是汽车产业链最为棘手的难题,汽车制造商需要不断调整生产和采购策略以应对潜在的风险和瓶颈。随着更多传统车企和新兴造车势力进入新能源汽车市场,竞争压力加大,汽车制造商需要不断提
  • 关键字: 智能电源  智能感知  汽车领域  SiC  

带隙对决:GaN和SiC,哪个会占上风?

  • 电力电子应用希望纳入新的半导体材料和工艺。
  • 关键字: GaN  SiC  

意法半导体:SiC新工厂今年投产,丰沛产能满足井喷市场需求

  • 回首2023,碳化硅和氮化镓行业取得了哪些进步?出现了哪些变化?2024将迎来哪些新机遇和新挑战?为更好地解读产业格局,探索未来的前进方向,行家说三代半、行家极光奖联合策划了《行家瞭望——2024,火力全开》专题报道。本期嘉宾是意法半导体亚太区功率分立和模拟产品器件部市场和应用副总裁Francesco MUGGERI(沐杰励)。全工序SiC工厂今年投产第4代SiC MOS即将量产行家说三代半:据《2023碳化硅(SiC)产业调研白皮书》统计,2023年全球新发布碳化硅主驱车型又新增了40多款,预计明年部分
  • 关键字: 意法半导体  SiC  

臻驱科技拟投超6亿元新增SiC功率模块项目

  • 2月1日消息,近日,浙江嘉兴平湖市政府公示了“年产90万片功率模块、45万片PCBA板和20万台电机控制器”建设项目规划批前公告。据披露,该项目建设单位为臻驱科技的全资子公司——臻驱半导体(嘉兴)有限公司,臻驱半导体拟投约资6.45亿元在平湖市经济技术开发区新明路南侧建造厂房用于生产及研发等,项目建筑面积达45800m2。公开资料显示,臻驱科技成立于2017年,是一家提供国产功率半导体及新能源汽车驱动解决方案的公司,总部位于上海浦东,在上海临港、广西柳州、浙江平湖及德国亚琛(Aachen)等地布局了多家子
  • 关键字: 功率模块  碳化硅  SiC  

Qorvo® 推出D2PAK 封装 SiC FET,提升 750V 电动汽车设计性能

  • 中国 北京,2024 年 1 月 30 日——全球领先的连接和电源解决方案供应商 Qorvo®(纳斯达克代码:QRVO)今日宣布一款符合车规标准的碳化硅(SiC)场效应晶体管(FET)产品;在紧凑型 D2PAK-7L 封装中实现业界卓越的 9mΩ 导通电阻 RDS(on)。此款 750V SiC FET 作为 Qorvo 全新引脚兼容 SiC FET 系列的首款产品,导通电阻值最高可达 60mΩ,非常适合车载充电器、DC/DC 
  • 关键字: Qorvo  SiC FET  电动汽车  

SiC生长过程及各步骤造成的缺陷

  • 众所周知,提高 SiC 晶圆质量对制造商来说非常重要,因为它直接决定了 SiC 器件的性能,从而决定了生产成本。然而,具有低缺陷密度的 SiC 晶圆的生长仍然非常具有挑战性。SiC 晶圆制造的发展已经完成了从100毫米(4英寸)到150毫米(6英寸)晶圆的艰难过渡,正在向8英寸迈进。SiC 需要在高温环境下生长,同时具有高刚性和化学稳定性,这导致生长的 SiC 晶片中晶体和表面缺陷的密度很高,导致衬底质量和随后制造的外延层质量差 。本篇文章主要总结了 SiC 生长过程及各步骤造成的缺陷
  • 关键字: SiC  晶圆  

Transphorm发布两款4引脚TO-247封装器件,针对高功率服务器、可再生能源、工业电力转换领域扩展产品线

  • 加利福尼亚州戈莱塔 – 2024 年 1 月 17 日 — 全球领先的氮化镓(GaN)功率半导体供应商 Transphorm, Inc.(纳斯达克:TGAN)今日宣布推出两款采用 4 引脚 TO-247 封装(TO-247-4L)的新型 SuperGaN® 器件。新发布的 TP65H035G4YS 和 TP65H050G4YS FET 器件分别具有 35 毫欧和 50 毫欧的导通电阻,并配有一个开尔文源极端子,以更低的能量损耗为客户实现更全面的开关功能。新
  • 关键字: Transphorm  高功率服务器  工业电力转换  氮化镓场效应晶体管  碳化硅  SiC  

安森美:紧握第三代半导体市场,助力产业 转型与可持续发展

  • 1 转型成功的2023得益于成功的战略转型,在汽车和工业市场增长的 推动下,安森美在 2023 年前 3 季度的业绩都超预期。 其中,第一季度由先进驾驶辅助系统 (ADAS) 和能源基 础设施终端市场带来的收入均同比增长约 50%,在第 二季度汽车业务收入超 10 亿美元,同比增长 35%,创 历史新高,第三季度汽车和工业终端市场都实现创纪录 收入。安森美大中华区销售副总裁Roy Chia2 深入布局碳化硅领域在第三代半导体领域,安森美专注于 SiC,重点聚 焦于汽车、能源、电网基础设施等应
  • 关键字: 安森美  第三代半导体  碳化硅  SiC  

SiC 长期供货,理想签协议

  • 意法半导体与理想汽车签署碳化硅长期供货协议。
  • 关键字: SiC  

SiC仿真攻略手册——详解物理和可扩展仿真模型功能!

  • 过去,仿真的基础是行为和具有基本结构的模型。这些模型使用的公式我们在学校都学过,它们主要适用于简单集成电路技术中使用的器件。但是,当涉及到功率器件时,这些简单的模型通常无法预测与为优化器件所做的改变相关的现象。当今大多数功率器件不是横向结构,而是垂直结构,它们使用多个掺杂层来处理大电场。栅极从平面型变为沟槽型,引入了更复杂的结构,如超级结,并极大地改变了MOSFET的行为。基本Spice模型中提供的简单器件结构没有考虑所有这些非线性因素。现在,通过引入物理和可扩展建模技术,安森美(onsemi)使仿真精度
  • 关键字: 功率器件  Spice模型  SiC  仿真  
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sic介绍

SiC是一种Ⅳ-Ⅳ族化合物半导体材料,具有多种同素异构类型。其典型结构可分为两类:一类是闪锌矿结构的立方SiC晶型,称为3C或β-SiC,这里3指的是周期性次序中面的数目;另一类是六角型或菱形结构的大周期结构,其中典型的有6H、4H、15R等,统称为α-SiC。与Si相比,SiC材料具有更大的Eg、Ec、Vsat、λ。大的Eg使其可以工作于650℃以上的高温环境,并具有极好的抗辐射性能. Si [ 查看详细 ]

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