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科锐宣布与德尔福科技开展汽车SiC器件合作

  • 近日,科锐宣布与德尔福科技(Delphi Technologies PLC)开展汽车碳化硅(SiC)器件合作。
  • 关键字: 科锐  德尔福科技  SiC  

SiC: 为何被称为是新一代功率半导体?

  •   王 莹 (《电子产品世界》编辑,北京 100036)  SiC(碳化硅)作为第三代半导体,以耐高压、高温和高频,在高性能功率半导体上显出优势。据SiC厂商罗姆基于IHS的调查显示,2025年整个市场规模将达到约23亿美元。在应用中,在光伏和服务器市场最大,正处于发展中的市场是xEV(电动与混动汽车)。随着SiC产品特性越做越好,在需要更高电压的铁路和风电上将会得到更多的应用。  不过,制约SiC发展的关键是价格,主要原因有两个:衬底和晶圆尺寸。例如晶圆尺寸越大,成本也会相应地下降,罗姆等公司已经有6英
  • 关键字: 201909  新一代功率半导体  SiC  

SiC将达23亿美元规模,技术精进是主攻方向

  •       SiC(碳化硅)作为第三代半导体,以耐高压、高温和高频,在高性能功率半导体上显出优势。在应用中,在光伏和服务器市场最大,正处于发展中的市场是xEV(电动与混动汽车)。随着SiC产品特性越做越好,在需要更高电压的铁路和风电上将会得到更多的应用。      不过,制约SiC发展的,最主要的是价格,主要原因有两个,一个是衬底,一个是晶圆尺寸所限。例如晶圆尺寸越大,成本也会相应地下降,ROHM等公司已经有6英寸的晶圆片。在技术方面,众厂商竞争
  • 关键字: SiC  MOSFET  

SiC MOSFET “SCT3xxxxxHR系列”又增10个机型, 产品阵容丰富且支持汽车电子产品可靠性标准AEC-Q101

  •   全球知名半导体制造商ROHM(总部位于日本京都)面向车载充电器和DC/DC转换器※1)又推出SiC MOSFET※3)“SCT3xxxxxHR系列”共10个机型,该系列产品支持汽车电子产品可靠性标准AEC-Q101※2),而且产品阵容丰富,拥有13个机型。  ROHM于2010年在全球率先成功实现SiC MOSFET的量产,在SiC功率元器件领域,ROHM始终在推动领先的产品开发和量产体制构建。在需求不断扩大的车载市场,ROHM也及时确立车载品质,并于2012年开始供应车载充电器用的SiC肖特
  • 关键字: ROHM  SiC  MOSFET  

安森美半导体将在APEC 2019演示 用先进云联接的Strata Developer Studio™快速分析电源方案

  •   2019年3月14日 — 推动高能效创新的安森美半导体(ON Semiconductor,美国纳斯达克上市代号:ON),将在美国加利福尼亚州阿纳海姆举行的APEC 2019展示由Strata Developer Studioä 开发平台支持的新电源方案板。Strata便于快速、简易评估应用广泛的电源方案,使用户能在一个具充分代表性的环境中查看器件并分析其性能。工程师用此缩小可行器件和系统方案的选择范围,且在采购硬件和完成设计之前对系统性能有信心。  Strata Developer S
  • 关键字: 安森美  SiC   

集邦咨询:需求持续扩张,2019年中国功率半导体市场规模逾2,900亿元

  •   Mar. 7, 2019 ---- 全球市场研究机构集邦咨询在最新《中国半导体产业深度分析报告》中指出,受益于新能源汽车、工业控制等终端市场需求大量增加,MOSFET、IGBT等多种产品持续缺货和涨价,带动了2018年中国功率半导体市场规模大幅成长12.76%至2,591亿元人民币。其中功率分立器件市场规模为1,874亿元人民币,较2017年同比成长14.7%;电源管理IC市场规模为717亿元人民币,较2017年同比增长8%。  集邦咨询分析师谢瑞峰指出,功率半导体作为需求驱动型的产业,2019年
  • 关键字: IGBT  SiC   

碳化硅MOSFET的短路实验性能与有限元分析法热模型的开发

  • 本文的目的是分析碳化硅MOSFET的短路实验(SCT)表现。具体而言,该实验的重点是在不同条件下进行专门的实验室测量,并借助一个稳健的有限元法物理模型来证实和比较测量值,对短路行为的动态变化进行深度评估。
  • 关键字: 碳化硅(SiC)MOSFET  短路  热模型  

Power Integrations推出全新SCALE-iDriver SiC-MOSFET门极驱动器,可最大程度提高效率及安全性

  •   深耕于中高压逆变器应用门极驱动器技术领域的知名公司Power Integrations(纳斯达克股票代号:POWI)今日推出SIC1182K SCALE-iDriver™ —— 这是一款市售可提供高效率、单通道碳化硅(SiC) MOSFET门极驱动器,可提供最大峰值输出门极电流且无需外部推动级。新品件经过设定后可支持不同的门极驱动电压,来满足市售SiC-MOSFET的需求;其主要应用包括不间断电源(UPS)、光伏系统、伺服驱动器、电焊机和电源。  SIC1182K可在125°C结温下提供8
  • 关键字: Power Integrations  SiC-MOSFET  

SiC市场趋势及应用动向

  • 介绍了SiC的市场动向,SiC市场不断扩大的原因,SiC技术及解决方案的突破,以及罗姆公司在SiC方面的特点。
  • 关键字: SiC  市场  应用  汽车  201903  

ST将收购Norstel 55%股权,扩大SiC器件供应链

  • 意法半导体(ST)近日与瑞典碳化硅(SiC)晶圆制造商Norstel AB公司签署协议,收购后者55%股权。Norstel公司于2005年从Linköping大学分拆出来,开发和生产150mm SiC裸晶圆和外延晶圆。ST表示,在交易完成之后,它将在全球产能受限的情况下控制部分SiC器件的整个供应链,并为自己带来一个重要的增长机会。
  • 关键字: ST  Norstel  SiC  

第三代半导体又有新成员?氧化镓有什么优点?

  •   目前,以碳化硅(SiC)和氮化镓(GaN)为代表的第三代化合物半导体受到的关注度越来越高,它们在未来的大功率、高温、高压应用场合将发挥传统的硅器件无法实现的作用。特别是在未来三大新兴应用领域(汽车、5G和物联网)之一的汽车方面,会有非常广阔的发展前景。  然而,SiC和GaN并不是终点,最近,氧化镓(Ga2O3)再一次走入了人们的视野,凭借其比SiC和GaN更宽的禁带,该种化合物半导体在更高功率的应用方面具有独特优势。因此,近几年关于氧化镓的研究又热了起来。  实际上,氧化镓并不是很新的技术,多年前就
  • 关键字: 半导体  SiC  GaN  

北汽新能源联手罗姆半导体,推动SiC产品技术研发

  •   11月30日,北汽新能源(北汽蓝谷 600733)与罗姆半导体集团合作成立SiC产品技术联合实验室。北汽新能源执行副总经理陈上华与罗姆半导体集团董事末永良明现场签署了合作协议书,并共同为SiC产品技术联合试验室揭牌。    该联合实验室的成立,是北汽新能源在新能源汽车领域不断加强自主技术实力的重要举措,联合实验室成立后,北汽新能源将可以与罗姆半导体集团共同深入到碳化硅等新技术的预研中,并围绕碳化硅的新产品进行全面合作开发。    近年来,以SiC为代表的第三代功率半导体材料,已经被广泛应用在新能源
  • 关键字: 北汽新能源  罗姆半导体  SiC  

罗姆为汽车、工业领域提供更多SiC解决方案

  • 罗姆(ROHM)作为一个日本企业,很早便打入欧洲市场,丰富的行业经验、值得信赖的产品品质和口碑让欧洲本土企业成为罗姆(ROHM)的合作伙伴。在本次的elecronica 2018展上,我们也见到了很多罗姆(ROHM)的得意之作。
  • 关键字: ROHM  SiC  罗姆  

使用SiC技术攻克汽车挑战

  •   摘要 – 在未来几年投入使用SiC技术来应对汽车电子技术挑战是ECSEL JU 的WInSiC4AP项目所要达到的目标之一。ECSEL JU和ESI协同为该项目提供资金支持,实现具有重大经济和社会影响的优势互补的研发活动。由DTSMNS(Distretto Tecnologico Sicilia Micro e Nano Sistemi)牵头,20个项目合作方将在技术研究、制造工艺、封装测试和应用方面展开为期36个月的开发合作。本文将讨论本项目中与汽车相关的内容,重点介绍有关SiC技术和封
  • 关键字: SiC  WInSiC4AP  

ROHM推出1700V 250A全SiC功率模块

  •   全球知名半导体制造商ROHM(总部位于日本京都)面向以户外发电系统和充放电测试仪等评估装置为首的工业设备用电源的逆变器和转换器,开发出实现业界顶级※可靠性的额定值保证1700V 250A的全SiC功率模块“BSM250D17P2E004”。(※截至2018年11月13日 ROHM调查数据)  近年来,由于SiC产品的节能效果优异,以1200V耐压为主的SiC产品在汽车和工业设备等领域的应用日益广泛。随着各种应用的多功能化和高性能化发展,系统呈高电压化发展趋势,1700V耐压产品的需求日益旺盛。然而,受
  • 关键字: ROHM  SiC  
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sic介绍

SiC是一种Ⅳ-Ⅳ族化合物半导体材料,具有多种同素异构类型。其典型结构可分为两类:一类是闪锌矿结构的立方SiC晶型,称为3C或β-SiC,这里3指的是周期性次序中面的数目;另一类是六角型或菱形结构的大周期结构,其中典型的有6H、4H、15R等,统称为α-SiC。与Si相比,SiC材料具有更大的Eg、Ec、Vsat、λ。大的Eg使其可以工作于650℃以上的高温环境,并具有极好的抗辐射性能. Si [ 查看详细 ]

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