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简述碳化硅SIC器件在工业应用中的重要作用

  • 电力电子转换器在快速发展的工业格局中发挥着至关重要的作用。它们的应用正在增加,并且在众多新技术中发挥着核心作用,包括电动汽车、牵引系统、太空探索任务、深层石油开采系统、飞机系统等领域的进步。电力电子转换器在快速发展的工业格局中发挥着至关重要的作用。它们的应用正在增加,并且在众多新技术中发挥着核心作用,包括电动汽车、牵引系统、太空探索任务、深层石油开采系统、飞机系统等领域的进步。电力电子电路不断发展以实现更高的效率,绝缘栅双极晶体管(IGBT)和金属氧化物场效应晶体管(MOSFET)等电力电子设备为令人兴奋
  • 关键字: 国晶微半导体  SIC  

罗姆的第 4 代SiC MOSFET成功应用于日立安斯泰莫的纯电动汽车逆变器

  • 全球知名半导体制造商罗姆(总部位于日本京都市)的第4代SiC MOSFET和栅极驱动器IC已被日本先进的汽车零部件制造商日立安斯泰莫株式会社(以下简称“日立安斯泰莫”)用于其纯电动汽车(以下简称“EV”)的逆变器。在全球实现无碳社会的努力中,汽车的电动化进程加速,在这种背景下,开发更高效、更小型、更轻量的电动动力总成系统已经成为必经之路。尤其是在EV领域,为了延长续航里程并减小车载电池的尺寸,提高发挥驱动核心作用的逆变器的效率已成为一个重要课题,业内对碳化硅功率元器件寄予厚望。 罗姆自2010年
  • 关键字: 罗姆  SiC MOSFET  日立安斯泰莫  纯电动汽车逆变器  

意法半导体第3代SiC碳化硅功率模块,这品牌用上了?

  • 现代-起亚集团的 E-GMP 纯电平台以 800V 高电压架构、高功率充电备受肯定,原先 E-GMP 平台在后马达 Inverter 逆变器的功率模块(Power Module)就有采用 SiC 碳化硅半导体,成本与转换效率比传统的硅半导体更高,更能提升续航。如今瑞士半导体供应商意法半导体 (STMicroelectronics) 日前推出第 3 代的 SiC 碳化硅功率模块,并确认 E-GMP 平台的起亚 EV6 等车款将采用,预计在动力、续航都能再升级。E-GMP 平台,原先已在后马达逆变器采用 Si
  • 关键字: SiC  碳化硅功率模块  起亚 EV6  意法半导体  ACEPACK DRIVE  

宇宙辐射对OBC/DCDC中高压SiC/Si器件的影响及评估

  • 汽车行业发展创新突飞猛进,车载充电器(OBC)与DCDC转换器(HV-LV DCDC)的应用因此也迅猛发展,同应对大多数工程挑战一样,设计人员把目光投向先进技术,以期利用现代超结硅(Super Junction Si)技术以及碳化硅(SiC)技术来提供解决方案。在追求性能的同时,对于车载产品来说,可靠性也是一个重要的话题。在车载OBC/DCDC应用中,高压功率半导体器件用的越来越多。对于汽车级高压半导体功率器件来说,门极氧化层的鲁棒性和宇宙辐射鲁棒性是可靠性非常重要的两点。宇宙辐射很少被提及,但事实是无论
  • 关键字: Infineon  OBC  SiC  

通过转向1700V SiC MOSFET,无需考虑功率转换中的权衡问题

  • 高压功率系统设计人员努力满足硅MOSFET和IGBT用户对持续创新的需求。基于硅的解决方案在效率和可靠性方面通常无法兼得,也不能满足如今在尺寸、重量和成本方面极具挑战性的要求。不过,随着高压碳化硅(SiC)MOSFET的推出,设计人员现在有机会在提高性能的同时,应对所有其他挑战。 在过去20年间,额定电压介于650V至1200V的SiC功率器件的采用率越来越高,如今的1700V SiC产品便是在其成功的基础上打造而成。技术的进步推动终端设备取得了极大的发展;如今,随着额定电压为1700V的功率器件的推出,
  • 关键字: SiC MOSFET  功率转换  

安森美:聚焦SiC产能扩建,推出最新MOSFET产品

  • 近日,安森美公布了2022年第三季度业绩,其三季度业绩直线上扬,总营收21.93亿美元,同比增长25.86%;毛利10.58亿美元,同比增长46.82%。财报数据显示,其三大业务中,智能电源组营收为11.16亿美元,同比增长25.1%;高级解决方案组营收7.34亿美元,同比增长19.7%;智能感知组营收为3.42亿美元,同比增长44.7%,三大业务全线保持增长。自安森美总裁兼首席执行官Hassane El-Khoury加入安森美后,安森美执行了一系列的战略转型,聚焦于智能电源和智能感知两大领域,从传统的I
  • 关键字: 安森美  SiC  MOSFET  

EEVIA媒体论坛之英飞凌:赋能未来汽车低碳化和数字化发展

  • 在最近召开的EEVIA第十届年度中国硬科技媒体论坛暨2022产业链研创趋势展望研讨会上,来自英飞凌安全互联系统事业部的汽车级WiFi/BT及安全产品应用市场管理经理杨大稳以“英飞凌赋能未来汽车低碳化和数字化发展“为题,详细介绍了英飞凌在汽车电子领域的相关产品和未来趋势。 新能源车是全球汽车市场增长最快也是需求最旺盛的领域,特别是在中国这个全球产销第一的市场,2022年国有品牌汽车占据近一半的中国汽车市场份额,最大的驱动力是来自于新能源车和电动车。可以预想,随着政府和车厂的支持,电动车未来几年会迎
  • 关键字: 英飞凌  SiC  电动汽车  无人驾驶  

SiC助力轨道交通驶向“碳达峰”

  • 当前,全球主要国家和地区都已经宣布了“碳达峰”的时间表。在具体实现的过程中,轨道交通将是一个重要领域。由于用能方式近乎100%为电能,且带动大量基础设施建设,因此轨道交通的“碳达峰”虽然和工业的“碳达峰”路径有差异,但总体实现时间将较为接近。在中国,这个时间节点是2030年之前。当然,“碳达峰”在每一个领域都有狭义和广义的区分,比如在工业领域,一方面是重点企业自身通过节能+绿电的方式实现“碳达峰”,另一方面也需要围绕重点企业的产业链上下游全面实现能耗降低。对于轨道交通也是如此,狭义层面的轨交工具,以及广义
  • 关键字: Mouser  SiC  

碳化硅(SiC)电源管理解决方案搭配可配置数字栅极驱动技术助力实现“万物电气化”

  • 绿色倡议持续推动工业、航空航天和国防应用,尤其是运输行业的电力电子系统设计转型。碳化硅(SiC)是引领这一趋势的核心技术,可提供多种新功能不断推动各种车辆和飞机实现电气化,从而减少温室气体(GHG)排放。 碳化硅解决方案支持以更小、更轻和更高效的电气方案取代飞机的气动和液压系统,为机载交流发电机、执行机构和辅助动力装置(APU)供电。这类解决方案还可以减少这些系统的维护需求。但是,SiC技术最显著的贡献体现在其所肩负实现商用运输车辆电气化的使命上,这些车辆是世界上最大的GHG排放源之一。随着1700V金属
  • 关键字: 碳化硅  SiC  电源管理  可配置数字栅极驱动  万物电气化  

士兰明镓SiC功率器件生产线初步通线,首个SiC器件芯片投片成功

  • 10月24日,士兰微发布公告称,近期,士兰明镓SiC功率器件生产线已实现初步通线,首个SiC器件芯片已投片成功,首批投片产品各项参数指标达到设计要求,项目取得了阶段性进展。士兰明镓正在加快后续设备的安装、调试,目标是在今年年底形成月产2000片6英寸SiC芯片的生产能力。士兰微表示,公司目前已完成第一代平面栅SiC-MOSFET技术的开发,性能指标达到业内同类器件结构的先进水平。公司已将SiC-MOSFET芯片封装到汽车主驱功率模块上,参数指标较好,继续完成评测,即将向客户送样。据了解,2017年12月1
  • 关键字: 士兰微  士兰明镓  SiC  功率器件  

世平安森美推出新一代GaN氮化镓/SiC碳化硅MOSFET高压隔离驱动器NCP51561 应用于高频小型化工业电源

  • 现阶段硅元件的切换频率极限约为65~95kHz,工作频率再往上升,将会导致硅MOSFET耗损、切换损失变大;再者Qg的大小也会影响关断速度,而硅元件也无法再提升。因此开发了由两种或三种材料制成的化合物半导体GaN氮化镓和SiC碳化硅功率电晶体,虽然它们比硅更难制造及更昂贵,但也具有独特的优势和优越的特性,使得这些器件可与寿命长的硅功率LDMOS MOSFET和超结MOSFET竞争。GaN和SiC器件在某些方面相似,可以帮助下一个产品设计做出更适合的决定。 GaN氮化镓是最接近理想的半导体开关的器
  • 关键字: GaN  氮化镓  SiC  碳化硅  NCP51561  onsemi  

使用TI功能安全栅极驱动器提高SiC牵引逆变器的效率

  • 随着电动汽车 (EV) 制造商竞相开发成本更低、行驶里程更长的车型,电子工程师面临降低牵引逆变器功率损耗和提高系统效率的压力,这样可以延长行驶里程并在市场中获得竞争优势。功率损耗越低则效率越高,因为它会影响系统热性能,进而影响系统重量、尺寸和成本。随着开发的逆变器功率级别更高,每辆汽车的电机数量增加,以及卡车朝着纯电动的方向发展,人们将持续要求降低系统功率损耗。过去,牵引逆变器使用绝缘栅双极晶体管 (IGBT)。然而,随着半导体技术的进步,碳化硅 (SiC) 金属氧化物半导体场效应晶体管具有比IGBT更高
  • 关键字: TI  功能安全  栅极驱动器  SiC  逆变器  

贸泽开售采用D2PAK-7L 封装的工业用 UnitedSiC 750V UJ4C/SC SiC FET

  • 2022年9月23日 – 提供超丰富半导体和电子元器件™的业界知名新品引入 (NPI) 分销商贸泽电子  (Mouser Electronics) 即日起备货采用行业标准D2PAK-7L表面贴装封装的UnitedSiC(现已被 Qorvo®收购)UJ4C/SC FET。UJ4C/SC系列器件是750 V碳化硅场效应晶体管 (SiC FET),借助D2PAK-7L封装选项提供低开关损耗、在更高速度下提升效率,同时提高系统功率密度。这些FET经优化适合车载充电器、软开关DC/DC
  • 关键字: 贸泽  D2PAK-7L  UnitedSiC  SiC FET  

东芝推出面向更高效工业设备的第三代SiC MOSFET

  • 东芝电子元件及存储装置株式会社(“东芝”)今日宣布,推出新款功率器件---第三代碳化硅(SiC)MOSFET[1][2]“TWxxNxxxC系列”。该系列具有低导通电阻,可显著降低开关损耗。该系列10款产品包括5款1200V产品和5款650V产品,已于今日开始出货。  新产品的单位面积导通电阻(RDS(ON)A)下降了大约43%[3],从而使“漏源导通电阻×栅漏电荷(RDS(ON)×Qgd)”降低了大约80%[4],这是体现导通损耗与开关损耗间关系的重要指标。这样可以将开关损耗减少大约
  • 关键字: 东芝  SiC MOSFET  

安森美庆祝在新罕布什尔州扩张碳化硅工厂

  • 领先于智能电源和智能感知技术的安森美(onsemi,美国纳斯达克股票代号:ON),昨天美国时间举行了剪彩仪式,庆祝其位于新罕布什尔州哈德逊 (Hudson, New Hampshire) 的碳化硅 (SiC) 工厂的落成。该基地将使安森美到2022年底的SiC晶圆产能同比增加五倍,在哈德逊的员工人数几乎翻两番。此扩张使安森美能完全控制其SiC制造供应链,从SiC粉末和石墨原料的采购,到封装好的SiC器件的交付。这使安森美能为其客户提供必要的供应保证,以满足对基于SiC的方案迅速增长的需求。SiC对于提高电
  • 关键字: 安森美  碳化硅工厂  SiC  
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sic介绍

SiC是一种Ⅳ-Ⅳ族化合物半导体材料,具有多种同素异构类型。其典型结构可分为两类:一类是闪锌矿结构的立方SiC晶型,称为3C或β-SiC,这里3指的是周期性次序中面的数目;另一类是六角型或菱形结构的大周期结构,其中典型的有6H、4H、15R等,统称为α-SiC。与Si相比,SiC材料具有更大的Eg、Ec、Vsat、λ。大的Eg使其可以工作于650℃以上的高温环境,并具有极好的抗辐射性能. Si [ 查看详细 ]

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