据报道，三星正在加紧为其美国代工厂的生产做准备。据韩国媒体 ZDNet 援引 6 月 23 日的消息人士称，该公司正在讨论于 2026 年开始在泰勒晶圆厂安装其 2nm 工艺设备的计划。该报告指出，经过几次延误，三星于 2025 年第二季度恢复了泰勒工厂的洁净室建设。据报道，一旦洁净室完工，该公司正计划引入相关设备以开始设置生产线。值得注意的是，由于这将是初始生产线，因此预计投资规模将相对适中。据韩国媒体 The Elec 报道，当三星于 2021 年底首
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据《商业时报》和 CNA 报道，在有传言称台积电拒绝了在卡塔尔的扩张报价，台湾第二大晶圆代工厂联电于 5 月 28 日透露，中东国家也与他们接洽寻求合作。然而，报告指出，联华电子对此兴趣不大，而是优先考虑新加坡的未来增长。据报道，联华电子首席财务官 Chi-Tung Liu 证实，中东各方正在寻求潜在的合作，但由于重点主要是产能扩张——这是联华电子希望避免的道路——由于新加坡的政治中立立场，该公司将新加坡的未来增长放在首位。CNA 报道称，据 Liu 称，联华电子位于新加坡的 P3 晶
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3 月 11 日消息，据 ZDNet Korea 今日报道，三星电子 11 日的业务报告称，三星电子第四代 4 纳米工艺（SF4X）已于去年 11 月开始量产。由于该工艺专注于人工智能等高性能计算（HPC）领域，预计将在三星代工业务的复苏中发挥关键作用。三星第一代 4 纳米于 2021 年量产。图源：三星电子据了解，与前几代相比，三星的第四代 4 纳米芯片采用了先进的后端连线（BEOL）技术，能够显著提升芯片的整体性能，同时降低制造成本。此外，该芯片还配备了高速晶体管，还支持 2.5D 和 3D 等下一代
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11月6日消息，日本佳能一直在投资纳米压印（Nano-imprint Lithography，NIL）这种新的芯片制造技术，并计划将新型芯片制造设备的价格定在阿斯麦最好光刻机的很小一部分，从而在光刻机领域取得进展。纳米压印技术是极紫外光刻（EUV）技术的低成本替代品。佳能首席执行官御手洗富士夫(Fujio Mitarai)表示，该公司最新的纳米压印技术将为小型芯片制造商生产先进芯片开辟出一条道路。“这款产品的价格将比阿斯麦的EUV少一位数，”现年88岁的御手洗富士夫表示。这是他第三次担任佳能总裁，上一次退
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摘要：● 全新参考流程针对台积公司 N4PRF 工艺打造，提供开放、高效的射频设计解决方案。● 业界领先的电磁仿真工具将提升WiFi-7系统的性能和功耗效率。● 集成的设计流程提升了开发者的生产率，提高了仿真精度，并加快产品的上市时间。近日宣布，携手是德科技（Keysight）、Ansys共同推出面向台积公司业界领先N4PRF工艺（4纳米射频FinFET工艺）的全新参考流程。该参考流程基于新思科技的定制设计系列产品，为追求更高预测精度
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8月2日消息，英特尔、三星和台积电都在吹嘘他们能在一个小小的芯片上塞进多少晶体管，但就事实而言，这种宣传中的纳米级尺寸几乎没有任何意义。业内专家称这种说法都是无稽之谈，事实上的芯片“节点”尺寸远大于厂商们宣传的数值。制造用于智能手机、电视和其他电子产品的芯片厂商们总喜欢吹嘘自家产品的强大算力。他们还夸口说，完成所有复杂工作的芯片体积正在不断缩小。对于芯片制造商来说，芯片晶体管的日趋小型化标志着处理速度不断提高或能源消耗不断降低，有助于赢得利润丰厚的合同。但是，关于芯片小型化的竞争导致市场一片混乱。多少纳米
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5月25日，有消息传出，华为将在VLSI Symposium 2022期间发表其与中科院微电子研究所合作开发的 3D DRAM 技术。随着“摩尔定律”走向极限，DRAM芯片工艺提升将愈发困难。3D DRAM就成了各大存储厂商突破DRAM工艺极限的新方案。DRAM工艺的极限目前，DRAM芯片最先进的工艺是10nm。据公开资料显示，三星早已在2020年完成了10nm制程DRAM的出货；美光和SK海力士也在2021年完成了10nm DRAM产品的量产。那么，10nm是DRAM工艺的极限吗？在回答这个问题之前，我
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中科院今天宣布,国内学者研发出了一种简单的制备低维半导体器件的方法——用“纳米画笔”勾勒未来光电子器件,它可以“画出”各种需要的芯片。随着技术的发展,人们对半导体技术的要求越来越高,但是半导体制造难度却是越来越大,10nm以下的工艺极其烧钱,这就需要其他技术。中科院表示,可预期的未来,需要在更小的面积集成更多的电子元件。针对这种需求,厚度仅有0.3至几纳米(头发丝直径几万分之一)的低维材料应运而生。这类材料可以比作超薄的纸张,只是比纸薄很多,可以用于制备纳米级别厚度的电子器件。从材料到器件,现有的制备工艺
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如何不断提升5G性能，持续扩展5G生态，成为2020年行业重点考虑的5G发展议题。近日，Qualcomm举办了一场线上新闻发布会，聚焦5G发布了多款全新产品，Qualcomm首席执行官史蒂夫·莫伦科夫（Steve Mollenkopf）和总裁安蒙（Cristiano Amon）携手来自三星、爱立信、Facebook、微软公司、乐天公司的合作伙伴，共同分享和探讨了5G网络和终端发展新态势，并展望未来5G演进方向以及在更多行业开创的新机遇。Qualcomm首席执行官史蒂夫·莫伦科夫发表演讲虽有挑战 5G发展势
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新闻摘要：• 16Gb LPDDR4X改进了能耗、速度和业内最高容量的单片式裸晶，它的推出进一步巩固了美光在低功耗 DRAM 领域的领先地位。• 基于 UFS 的多芯片封装可在同等尺寸条件下降低功耗并增加容量，从而使手机设计更加轻巧美光科技股份有限公司（纳斯达克股票代码：MU）今天宣布推出业内容量最高的单片式 16Gb 低功耗双倍数据率 4X (LPDDR4X) DRAM。美光16Gb LPDDR4X 能够在单个智能手机中提供高达 16GB1 的低功耗 DRAM (LPDRAM)，显示了美光为当前和下一代
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“智能玻璃”是一种节能产品，在汽车、建筑和飞机窗户上都能找到它的身影。但是，智能玻璃通常需要几分钟才能达到暗沉状态，而且长时间在明暗之间反复循环，也会降低着色质量。据外媒报道，科罗拉多州立大学（Colorado State University）的化学家们，通过更好地了解智能玻璃在纳米尺度下的工作原理，提出纳米级智能玻璃设计方法，或将提高智能玻璃的变色速度和耐用性。
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作者/Dan McNamara 英特尔公司高级副总裁兼可编程解决方案事业部总经理 基于 10 纳米技术构建的全新英特尔® FPGA 提供了比前代FPGA 更高的性能，并且降低了能耗从边缘到网络再到云，以数据为中心的计算新时代已经到来。海量数据对处理数据的硬件、软件和解决方案的灵活性和敏捷性提出了迫切的需求，无论数据在何处创建、传输与存储。 数据的激增和利用数据盈利的竞争正在为客户创造新的机会，帮助他们在各个细分市场进行创新。其中，现场可编程逻辑门阵列 (FPGA) 一直备受瞩目。 因此，在英特尔
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随着半导体行业塌缩到更小的节点和/或采用 3D
NAND等复杂的体系结构，以继续追赶或取代摩尔定律，业界关注的焦点往往是制程优化和化学配方改良。业界似乎很少考虑辅助技术，而此类技术对于满足当今细微特征和复杂结构的需求而言同样重要。在半导体制造制程中，以前化学品的交付并未被视为关键领域之一，但现在正变得越来越重要。 以加仑玻璃瓶为例，它用于包装、存储、运输和交付洁净的制程用化学品，如光刻胶、蚀刻剂、前驱体、电介质等。多年来，这些容器对于当时的任务而言是适合的而且经济上很划算。然而，
随着今天的
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定义：不是所有尺寸小于100nm纳米材料都叫纳米科技纳米科技广义的定义，泛指尺寸小于100nm(纳米)的材料，而研究纳米材料的科学技术泛称为「纳米科技(N
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中国投入进行纳米科研已有数十年时间，已经成为当今世界纳米科学与技术进步重要的贡献者，部分基础研究居国际领先水平，中国纳米科技应用研究与成果转化的成效也已初具规模。这一判断来自由施普林格·自然集团、国家纳米科学中心和中国科学院文献情报中心29日在第七届中国国际纳米科学技术会议上联合发布的《国之大器 始于毫末—中国纳米科学与技术发展状况概览》(中英文)白皮书。
8月29日，第七届中国国际纳米科学技术会议在北京召开，大会吸引来自全球30多个国家和地区的2000多名代表出席。在大会开幕式上，
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纳米介绍
纳米是长度单位，原称毫微米，就是10^-9米（10亿分之一米），即10^-6毫米（100万分之一毫米）。纳米科学与技术，有时简称为纳米技术，是研究结构尺寸在1至100纳米范围内材料的性质和应用。纳米效应就是指纳米材料具有传统材料所不具备的奇异或反常的物理、化学特性，如原本导电的铜到某一纳米级界限就不导电，原来绝缘的二氧化硅、晶体等，在某一纳米级界限时开始导电。这是由于纳米材料具有颗粒尺寸小、比表面 [
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