力晶成立TFC 抛出NAND Flash深水炸弹规划投入200亿元

　　“经济部”「DRAM产业再造计画」20日最后截止日期，却出现戏剧性变化!台塑集团旗下南亚科和华亚科宣布不送件，形同退出这次计画;而力晶更是突然宣布成立TFC(Taiwan Flash Company)，并将这次台湾存储器产业整合规模推升到NAND Flash格局，反将了台湾创新存储器公司(TIMC)一军。力晶董事长黄崇仁表示，2010年将投入40奈米制程量产NAND Flash，且100%为自有技术，比任何同业都符合“经济部”所要求技术扎根条件，未来力晶NAND Flash技术或许比不上三星电子(Samsung Electronics)和东芝(Toshiba)，但绝对可追平海力士(Hynix)。

　　业界原本认为力晶这次不会参与「DRAM产业再造计画」，加上南亚科和华亚科到最后关头，却对于是否送件态度转为迟疑，TIMC顺理成章成为这次DRAM产业再造计画唯一候选人，对于获得政府补助款亦是如囊中物，然力晶却在20日丢出1颗深水炸弹，宣布成立TFC，以NAND Flash为主轴来规划台湾存储器产业未来发展，再度震撼全球存储器业者。

　　黄崇仁表示，台湾不能没有NAND Flash产业，放眼全球，包括三星、海力士、美光(Micron)等大型存储器公司，都是DRAM和NAND Flash业务并存，台湾必须跳脱DRAM产业格局，全面进军NAND Flash市场，同时将过去DRAM产业的量产规模，复制到NAND Flash业务上，协助下游厂商解决NAND Flash货源全部箝制于韩系大厂的命运。

　　力晶NAND Flash业务源自于2003年为瑞萨(Renesas)代工的AG-AND Flash，2005年买断AG-AND Flash技术后，开发成自有NAND Flash技术，目前50和70奈米制程已进入量产，2010年将导入40奈米制程。黄崇仁强调，TFC规划投入新台币200亿元，其中，将邀请政府出资 80亿元之内，并分为两阶段募资，第1阶段先募资100亿元，政府和民间各募资45亿和55亿元，至于民间募资对象涵盖存储器模块厂、封测厂、外商等，整个计画案已赶在20日下午截止时间前送交经济部。

　　至于在未来营运规画上，TFC将分3个阶段进行，第1阶段定位在IC设计公司，掌握设计能力，产能部分交由力晶负责代工，第2阶段将整并力晶约4万片生产线产能，第3阶段则是整合台湾其它DRAM厂产能，长期NAND Flash产能目标是8万~12万片。

　　黄崇仁强调，TFC符合“经济部”要求自有技术扎根条件，因为NAND Flash技术完全是自己的，不需要支付任何权利金，跳脱原有DRAM产业格局，进入未来成长性高的NAND Flash产业，亦符合“经济部”所要求创新条件，未来整合台湾其它DRAM厂产能，更可让台湾DRAM产业生态更健康，相较于TIMC目前还不确定是否可拿到尔必达(Elpida)技术，TFC更符合条件。

　　黄崇仁表示，TFC计画亦是为未来18寸晶圆厂世代来临作准备，相较于DRAM产业应用长期局限于PC领域，NAND Flash应用扩大至智能型手机、记忆卡、固态硬碟(SSD)，近期NAND Flash产能都被苹果(Apple)包走，让台湾下游厂面临缺货之苦，遂决定成立TFC计画，也可嘉惠产业上、下游。此外，他亦强调，这次TFC计画与尔必达及瑞晶无关，系由力晶独立送件。