海力士宣布第二代54nm 1Gb DDR3内存芯片

　　据报道，海力士今天宣布了基于54nm工艺的第二代1Gb DDR3内存芯片，新一代1Gb DDR3芯片分为256Mb X 4和128Mb X 8两种，并将会在本月开始投入量产。

　　此次宣布的1Gb DDR3芯片仍然沿用前一代芯片的1.5V电压，但功耗降低了30%，号称是目前主流1Gb DDR3市场上性能最高的内存芯片。根据iSuppli的统计，1Gb DDR3内存芯片的市场份额已经达到了87%，更高密度的内存芯片将在2011年成为市场上的主流。

　　根据海力士的介绍，数据中心、服务器、超级计算机或其它对电池续航要求较高的移动产品都可采用这种低功耗芯片。

　　此次1Gb DDR3内存芯片的设计理念还将应用于未来的40nm 2Gb DDR3芯片设计。