- 据报道，海力士今天宣布了基于54nm工艺的第二代1Gb DDR3内存芯片，新一代1Gb DDR3芯片分为256Mb X 4和128Mb X 8两种，并将会在本月开始投入量产。
此次宣布的1Gb DDR3芯片仍然沿用前一代芯片的1.5V电压，但功耗降低了30%，号称是目前主流1Gb DDR3市场上性能最高的内存芯片。根据iSuppli的统计，1Gb DDR3内存芯片的市场份额已经达到了87%，更高密度的内存芯片将在2011年成为市场上的主流。
根据海力士的介绍，数据中心、服务器、超级计算机或
- 关键字：
海力士 内存芯片 54nm DDR3
- 茂德电子(Promos)23日向台湾证交所提报了一份声明，声明称茂德与海力士间有关54nm制程内存芯片制造技术的合作协议已宣告中止。业内人士认为此举意味着茂德将转而投入尔必达以及即将成立的TMC台湾内存公司的怀抱。茂德发言人称，与海力士间54nm制程技术合作关系的结束并不会影响到两家公司在现有主流制程技术方面的合作关系，不过他并没有对此作详细说明。
2005年，茂德在海力士的帮助下成功转向90nm制程技术，2007年又在其协助下转换为70nm制程。不过按此前的报道，茂德在转向54nm制程的过程中
- 关键字：
茂德 内存芯片 54nm 90nm
54nm介绍
您好，目前还没有人创建词条54nm!
欢迎您创建该词条，阐述对54nm的理解，并与今后在此搜索54nm的朋友们分享。
创建词条
关于我们 -
广告服务 -
企业会员服务 -
网站地图 -
联系我们 -
征稿 -
友情链接 -
手机EEPW
Copyright ©2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《电子产品世界》杂志社 版权所有 北京东晓国际技术信息咨询有限公司
京ICP备12027778号-2 北京市公安局备案：1101082052 京公网安备11010802012473
