内存芯片 文章
据外媒报道，新冠病毒的全球大流行推动了在家办公的浪潮，这种转变势必会提振笔记本电脑制造商以及数据中心对三星电子内存芯片的需求。但与此同时，由于疫情削弱了消费电子产品的销售，三星电子第一季度的利润可能会保持不变。
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疫情 内存芯片 三星
据外媒报道，加州理工大学的研究人员们，已经开发出了一款能够以“光的形式”、“纳米级速度”存储量子信息的计算机芯片。这标志着量子计算机和网络的一项最新突破，在更小的设备上实现更快的信息处理和数据传输。传统计算机系统中的内存部件，只能将信息以“0”或“1”的形式存储。尽管仍处于实验阶段，但量子计算机的基本原理还是一样的，即以“量子比特”来存储数据 —— 除了&ld
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2014年4月25日市场研究机构IHS称，2013年的全球半导体收入增长了5%，其中表现最好的是内存芯片产品。
2013年半导体总收入达到3181亿美元，较2012年的3031亿美元增长5%，有效扭转了这个行业的发展趋势。2012年的半导体收入比2011年的3106亿美元减少2.4%。
规模最大的25家芯片厂商的营收总和达到2253亿美元，占整个行业总收入的71%。营收最高的芯片厂商是英特尔，其2013年的营收为470亿美元，对应的市场份额为15%。
IHS的副总裁戴尔福特(Dale
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半导体 内存芯片
7月5日消息，由于中国廉价平板、智能手机需求增长，由于中国移动设备商的出现，东芝、海力士等内存商终于摆脱了倒霉运，开始收获金钱了。
在高端产品领域，尽管市场增速没过去那么快了，但是，这些设备渴望装上更大的内存，也会刺激内存销售的增长。
两种趋势之下，加上2011年以来内存商缩减投资，DRAM(动态随机访问存储器)和NAND内存芯片价格已经开始回升，在厂商面前，内存制造商抬起头来，它们有了更高的议价能力。
I’M投资证券公司分析师Hong Sung-ho指出：“
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台系厂商部分，力晶(5346)营收季成长有38%，主要受益标准型记忆体价格回升，加上代工业务稳定成长，同时出售子公司瑞晶的股份，对力晶的财务状况有明显的挹注;南科(2408)、华亚科(3474)则拉高非标准型记忆体的产出量;华邦电(2344)投片的比例也逐渐转往Flash产品，未来预计将持续减少DRAM投片。
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据麻省理工 新发明的透明柔性3D存储芯片会成为小存设备中的一件大事。这种新的内存芯片透明柔韧，可以像纸一样折叠，而且可以耐受1000华氏度的温度，是厨房烤箱最高温度的两倍，而且可以耐受其他有害条件，有助于开发下一代内存，可与闪存竞争，用于明天的随身碟，手机和电脑，这是科学家在3月27日报道的。
在美国化学学会(American Chemical Society)第243届全国会议暨博览会(243rd National Meeting & Exposition)上，发明者说，一些设备使用这
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内存芯片 闪存
近日，全球第三大内存芯片厂商日本尔必达公司无预警地向东京地方法院提出破产保护申请。目前，该公司债务达到4480亿日元(约合55亿美元)，也成为日本制造业历史上负债规模最大的破产案。
眼下，这家日本芯片制造商市值几乎蒸发殆尽。从2008年第四季度到2011年第四季度里，尔必达只有两个季度实现赢利。业界分析普遍认为，日元汇率的持续走强、产品价格下滑以及泰国洪灾是造成PC供货低迷的多重压力下。
不过，曾数次在资金紧缺的情况下仍然让尔必达起死回生的公司CEO坂本幸雄也承认，自己的确在过去的某个时间
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内存芯片识别方法1．LGS：LGS的SDRAM芯片上的标识； GM72V*****1**T** GM为LGS产品； 72为SDRAM； 第1，2个*代表容量，16 ...
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现代内存芯片的编号识别一、现代(HYUNDAI)公司的SDRAM内存芯片上的标识格式如下（这里说的是2000年9月30日后 ...
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日本内存芯片厂商尔必达已申请破产保护，该公司股价在昨日东京股市的交易中大跌97%，创下东京股票交易所取消单日涨跌幅限制以来的最大跌幅。尔必达的破产是日本两年来规模最大的公司破产案。在东京股市昨日的交易中，尔必达股价一度跌至4日元，远低于周二收盘时的254日元。将于2015年到期、面值100日元的尔必达可转债价格则较2月27日下跌60日元，至14日元。
尔必达是日本最后一家计算机内存芯片厂商，该公司此前已连续5个季度亏损。尔必达于2月27日向东京地区法院提交了破产保护申请，其债务达到4480亿日元
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尔必达 内存芯片
近日，IBM表示促使美光(Micron)的混合式记忆体立方体(HybridMemoryCube)在不久成为第一颗采用3D制程的商用芯片。
美光将会开始生产利用IBM的3D芯片制程硅穿孔(through-siliconvias;TSVs)所打造的第一颗芯片。硅穿孔制程将运用在美光的混合式记忆体立方之中。美光芯片的部分零件将会在IBM位于纽约的晶圆厂生产。
IBM将会在12月5日于美国华盛顿举行的IEEE国际电子装置会议上展示它的TSV制程技术。
对于美光而言，混合式记忆体立方(HMC)
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美光 内存芯片 硅穿孔
近日，IBM表示促使美光(Micron)的混合式记忆体立方体(Hybrid Memory Cube)在不久成为第一颗采用3D制程的商用芯片。
美光将会开始生产利用IBM的3D芯片制程硅穿孔(through-silicon vias; TSVs)所打造的第一颗芯片。硅穿孔制程将运用在美光的混合式记忆体立方之中。美光芯片的部分零件将会在IBM位于纽约的晶圆厂生产。
IBM将会在12月5日于美国华盛顿举行的IEEE 国际电子装置会议上展示它的TSV制程技术。
对于美光而言，混合式记忆体立方
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尔必达日前表示，该公司已成功生产出25nm制程、4GB大小的SDRAM内存芯片样品，即将出货。早前，尔必达就宣称从7月开始发售限量版的25nm制程2GB内存芯片，而新款4G的25nm内存芯片将取代现在的30nm制程的4GB DDR3内存芯片产线，产品生产效率也将提高45%。除此之外，新款25nm芯片性能更强劲，可以有效降低待机电流。
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据科技网站DigiTimes报道，业内人士称，苹果公司从日本购买的DRAM和NAND闪存量大幅增加，主要来源为东芝和Elpida Memory公司。
消息称，苹果和三星之间的专利诉讼促使苹果分散其订单。三星一直是苹果公司最大的零部件供应商。苹果目前正在从Elpida和东芝公司采购NAND和RAM芯片，以减少其对三星电子的内存供应的依赖。
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苹果 内存芯片
内存芯片介绍
简单地说:内存之所以能存储资料,就是因为有了这些芯片!
根据品牌的不同,所采用的芯片亦有所区别,具体的识别办法是:
具体含义解释：
例：SAMSUNG K4H280838B-TCB0
主要含义：
第1位——芯片功能K，代表是内存芯片。
第2位——芯片类型4，代表DRAM。
第3位——芯片的更进一步的类型说明，S代表SDRAM、H代表DDR、G代表SGR [
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