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内存芯片 文章 进入内存芯片技术社区

美光新技术 内存芯片无需再用昂贵的EUV光刻机

  • 内存工艺进入20nm节点之后,厂商的命名已经发生了变化,都被称为10nm级内存,但有更细节的划分,之前是1x、1y 和 1z三代,后面是1α,1β,1γ。    在1α,1β,1γ这三代中,三星在1α上就开始用EUV光刻工艺,但是代价就是成本高。而美光前不久抢先宣布的量产1β内存芯片则没有使用EUV工艺,避免了昂贵的光刻机。    不使用EUV光刻,美光在1β内存上使用的主要是第二代HKMG工艺、ArF浸液多重光刻等工艺,实现了35%的存储密度提升,同时省电15%。
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芯片巨头美光:成功绕过了EUV光刻技术

  •   本周美光宣布,采用全球最先进1β(1-beta)制造工艺的DRAM内存芯片已经送样给部分手机制造商、芯片平台合作伙伴进行验证,并做好了量产准备。  1β工艺可将能效提高约15%,存储密度提升35%以上,单颗裸片(Die)容量高达16Gb(2GB)。  一个值得关注的点是,美光称,1β绕过了EUV(极紫外光刻)工具,而依然采用的是DUV(深紫外光刻)。  这意味着相较于三星、SK海力士,美光需要更复杂的设计方案。毕竟,DRAM的先进性很大程度上取决于每平方毫米晶圆面积上集成更多更快半导体的能力,各公司目
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消息称Intel欲出售内存芯片业务:SK海力士100亿美元接手

  • 据外媒最新消息称,Intel可能出售内存芯片业务,而接盘者是SK海力士,价格是100亿美元。报道中提到,这家半导体巨头将对自己进行重新定位,远离一个具有历史重要性、但正日益受到挑战的领域。消息人士称,这两家公司正就上述交易展开讨论,最快可能会在周一宣布,前提是双方之间的谈判不会在最后时刻破裂。目前尚不清楚这笔交易的细节信息,如SK海力士具体将收购什么业务等。Intel旗下内存芯片部门生产NAND闪存产品,主要用于硬盘、拇指驱动器和相机等设备。由于闪存价格下跌的缘故,Intel一直都在考虑退出这项业务。虽然
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疫情刺激内存芯片需求 三星第一季度利润或保持不变

  • 据外媒报道,新冠病毒的全球大流行推动了在家办公的浪潮,这种转变势必会提振笔记本电脑制造商以及数据中心对三星电子内存芯片的需求。但与此同时,由于疫情削弱了消费电子产品的销售,三星电子第一季度的利润可能会保持不变。
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加州理工开发出可瞬间存储数据的光量子内存芯片

  •   据外媒报道,加州理工大学的研究人员们,已经开发出了一款能够以“光的形式”、“纳米级速度”存储量子信息的计算机芯片。这标志着量子计算机和网络的一项最新突破,在更小的设备上实现更快的信息处理和数据传输。传统计算机系统中的内存部件,只能将信息以“0”或“1”的形式存储。尽管仍处于实验阶段,但量子计算机的基本原理还是一样的,即以“量子比特”来存储数据 —— 除了&ld
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2013年全球半导体总收入3181亿美元

  •   2014年4月25日市场研究机构IHS称,2013年的全球半导体收入增长了5%,其中表现最好的是内存芯片产品。   2013年半导体总收入达到3181亿美元,较2012年的3031亿美元增长5%,有效扭转了这个行业的发展趋势。2012年的半导体收入比2011年的3106亿美元减少2.4%。   规模最大的25家芯片厂商的营收总和达到2253亿美元,占整个行业总收入的71%。营收最高的芯片厂商是英特尔,其2013年的营收为470亿美元,对应的市场份额为15%。   IHS的副总裁戴尔福特(Dale
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内存芯片商扬眉吐气 靠中国企业赚钱了

  •   7月5日消息,由于中国廉价平板、智能手机需求增长,由于中国移动设备商的出现,东芝、海力士等内存商终于摆脱了倒霉运,开始收获金钱了。   在高端产品领域,尽管市场增速没过去那么快了,但是,这些设备渴望装上更大的内存,也会刺激内存销售的增长。   两种趋势之下,加上2011年以来内存商缩减投资,DRAM(动态随机访问存储器)和NAND内存芯片价格已经开始回升,在厂商面前,内存制造商抬起头来,它们有了更高的议价能力。   I’M投资证券公司分析师Hong Sung-ho指出:“
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内存芯片工厂营收排名 新美光追三星

  • 台系厂商部分,力晶(5346)营收季成长有38%,主要受益标准型记忆体价格回升,加上代工业务稳定成长,同时出售子公司瑞晶的股份,对力晶的财务状况有明显的挹注;南科(2408)、华亚科(3474)则拉高非标准型记忆体的产出量;华邦电(2344)投片的比例也逐渐转往Flash产品,未来预计将持续减少DRAM投片。
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三星全球最快嵌入式NAND内存芯片投产

  •  为了适应下代移动设备超轻超薄的特性,SamsungeMMCProClass1500采用了20nm工艺规范,一块64GB的芯片厚度仅为1.2毫米,而重量仅有0.6克。

      三星表示,新一代芯片将会包括16GB,32GB以及64GB等三个版本。不知道我们能否在下一代三星智能手机(GalaxyS4?)上看到它的身影呢?

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内存芯片放显屏上?透明柔性3D内存芯片制成显示屏

  •   据麻省理工 新发明的透明柔性3D存储芯片会成为小存设备中的一件大事。这种新的内存芯片透明柔韧,可以像纸一样折叠,而且可以耐受1000华氏度的温度,是厨房烤箱最高温度的两倍,而且可以耐受其他有害条件,有助于开发下一代内存,可与闪存竞争,用于明天的随身碟,手机和电脑,这是科学家在3月27日报道的。   在美国化学学会(American Chemical Society)第243届全国会议暨博览会(243rd National Meeting & Exposition)上,发明者说,一些设备使用这
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尔必达突然破产 内存芯片行业面临调整

  •   近日,全球第三大内存芯片厂商日本尔必达公司无预警地向东京地方法院提出破产保护申请。目前,该公司债务达到4480亿日元(约合55亿美元),也成为日本制造业历史上负债规模最大的破产案。   眼下,这家日本芯片制造商市值几乎蒸发殆尽。从2008年第四季度到2011年第四季度里,尔必达只有两个季度实现赢利。业界分析普遍认为,日元汇率的持续走强、产品价格下滑以及泰国洪灾是造成PC供货低迷的多重压力下。   不过,曾数次在资金紧缺的情况下仍然让尔必达起死回生的公司CEO坂本幸雄也承认,自己的确在过去的某个时间
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内存芯片识别方法

  • 内存芯片识别方法1.LGS:LGS的SDRAM芯片上的标识; GM72V*****1**T** GM为LGS产品; 72为SDRAM; 第1,2个*代表容量,16 ...
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现代内存芯片的编号识别

  • 现代内存芯片的编号识别一、现代(HYUNDAI)公司的SDRAM内存芯片上的标识格式如下(这里说的是2000年9月30日后 ...
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日股尔必达一天大跌97%

  •   日本内存芯片厂商尔必达已申请破产保护,该公司股价在昨日东京股市的交易中大跌97%,创下东京股票交易所取消单日涨跌幅限制以来的最大跌幅。尔必达的破产是日本两年来规模最大的公司破产案。在东京股市昨日的交易中,尔必达股价一度跌至4日元,远低于周二收盘时的254日元。将于2015年到期、面值100日元的尔必达可转债价格则较2月27日下跌60日元,至14日元。   尔必达是日本最后一家计算机内存芯片厂商,该公司此前已连续5个季度亏损。尔必达于2月27日向东京地区法院提交了破产保护申请,其债务达到4480亿日元
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美光将利用IBM 3D制程制造首颗商用内存芯片

  •   近日,IBM表示促使美光(Micron)的混合式记忆体立方体(HybridMemoryCube)在不久成为第一颗采用3D制程的商用芯片。   美光将会开始生产利用IBM的3D芯片制程硅穿孔(through-siliconvias;TSVs)所打造的第一颗芯片。硅穿孔制程将运用在美光的混合式记忆体立方之中。美光芯片的部分零件将会在IBM位于纽约的晶圆厂生产。   IBM将会在12月5日于美国华盛顿举行的IEEE国际电子装置会议上展示它的TSV制程技术。   对于美光而言,混合式记忆体立方(HMC)
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内存芯片介绍

  简单地说:内存之所以能存储资料,就是因为有了这些芯片!   根据品牌的不同,所采用的芯片亦有所区别,具体的识别办法是:   具体含义解释:   例:SAMSUNG K4H280838B-TCB0   主要含义:   第1位——芯片功能K,代表是内存芯片。   第2位——芯片类型4,代表DRAM。   第3位——芯片的更进一步的类型说明,S代表SDRAM、H代表DDR、G代表SGR [ 查看详细 ]

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